场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种利用电场效应控制电流的半导体器件。它主要有两种类型：结型场效应管（Junction FET，简称JFET）和金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide Semiconductor FET，简称MOS-FET）。
场效应管属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管的测试方法如下：
1、场效应管的管脚识别：
场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于FQB6N80TM晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换)，余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极(使用中接地)。
2、使用万用表测试：
最简单的方法是使用万用表测试场效应管的导通情况。将万用表设置为测试二极管的模式（NPN或PNP），并将其两个引脚分别接到场效应管的源极和漏极上。如果万用表显示“导通”，则表示场效应管正常工作。如果显示“断路”，则表示场效应管失效。
3、判定栅极：
用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
4、使用示波器测试：
使用示波器测试场效应管的好坏是一种更精确的方法。将场效应管接入一个电路中，并使用示波器测量源极和漏极之间的电压和电流。如果电流和电压的变化符合预期，且没有异常情况（例如噪声或失真），则表示场效应管正常工作。
总之，场效应管是一种重要的半导体器件，具有多种优点和应用。了解其工作原理和测试方法，对于电路设计和故障排除具有重要意义。
