英飞凌GaN技术突破，CoolGaN BDS简化双向开关设计，引领行业新潮流。

在低碳可持续发展的浪潮与AI技术的双重驱动下，全球功率半导体市场正迎来前所未有的增长契机，预计至2026年，这一市场的规模将跃升至惊人的262亿美元！

传统的硅基设备，如整流器、晶闸管、双极型晶体管、X-FET、IGBT模块及IPM，虽在某些特定应用中依旧保持增长态势，但在更多领域，它们正逐渐让位于宽带隙技术产品。

其中，氮化镓作为一颗耀眼的明星，其增长势头尤为迅猛。当前，氮化镓主要活跃在消费电子领域，但展望未来，其足迹将遍布工业和汽车领域，为这些行业带来革命性的变革。

而碳化硅则在高功率汽车和工业应用中持续保持增长，其渗透率不断扩大，成为这些领域中不可或缺的力量。

具体来看，到2026年，GaN HEMTs，无论是分立器件还是集成器件，其市场规模预计将达到约10亿美元。同时，SiC MOSFETs和二极管，包括分立器件和模块，其市场规模更是预计将达到惊人的30亿美元。

这一切都预示着，功率半导体市场正迎来一个崭新的时代，一个充满无限可能与机遇的时代！

在全球功率半导体领域的璀璨星空中，英飞凌无疑是一颗熠熠生辉的巨星。这家业界翘楚在宽禁带技术的征途上早已深耕细作，并取得了举世瞩目的辉煌成就。就在近日，万众瞩目的2024上海慕尼黑电子展上，英飞凌更是以一场震撼人心的“2024英飞凌宽禁带论坛”闪耀登场，向世界展示了他们在SiC和GaN领域取得的技术巅峰突破。

不仅如此，在展会的热潮中，英飞凌还精心筹备了一场关于氮化镓新品的媒体沟通会。在这次盛会中，他们自豪地分享了去年对GaN System的收购如何助力公司迅速实现产品品类的拓展，进一步巩固了其在全球功率半导体领域的领导地位。

英飞凌的每一步前行，都充满了智慧与决心。他们的成功，不仅仅是技术的胜利，更是对创新的执着追求与对卓越的不懈追求。让我们一起期待英飞凌在未来继续书写辉煌的篇章！

英飞凌，在创新的道路上不断前行，如今其GaN相关产品系列已经华丽地拓宽至五大璀璨瑰宝。这其中，不得不提的是CoolGaN™ Transistor，它如昔日的Discrete单管类型产品般稳健可靠，为行业树立了标杆。

再来看CoolGaN™ BDS，这款双向开关的引入，为工程师们带来了前所未有的便利与高效。无论是何种应用场景，它都能轻松应对，展现出卓越的双向控制能力。

当然，还有CoolGaN™ Smart Sense，这款产品集成了电流检测和其他智能功能，让您的系统设计更加智能化、精细化。它如同一双明亮的眼睛，时刻监控着系统的运行状态，确保万无一失。

此外，我们还有CoolGaN™ Drive，它将驱动功能集成于一身，为您的系统提供强大的驱动力。无论是大功率输出还是高效能转换，它都能轻松胜任，为您的系统注入源源不断的活力。

最后，让我们一同瞩目CoolGaN™ Control，这款产品凭借其卓越的控制性能，为行业树立了新的标杆。它凭借先进的控制算法和高效的执行能力，让您的系统更加稳定、可靠。

英飞凌的GaN系列产品，如同五颗璀璨的明珠，在半导体领域熠熠生辉。它们凭借卓越的性能和稳定的表现，赢得了广大客户的信赖和赞誉。让我们一起期待英飞凌在未来带来更多的创新产品！

"英飞凌科技迎来飞跃性突破，成功收购GaN Systems后IP储量大幅增长"

随着科技浪潮的汹涌澎湃，英飞凌科技在今日迈出了坚实的步伐。在媒体沟通会上，英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务市场总监程文涛激动地宣布：“经过不懈努力，我们成功收购了业界领先的GaN Systems，这一里程碑式的举措让英飞凌的IP储量得到了空前的提升！”

这一收购不仅彰显了英飞凌科技在半导体领域的强大实力和雄心壮志，更为其未来的发展奠定了坚实的基础。GaN Systems的加入，无疑将加速英飞凌在关键技术和创新应用上的研发进程，引领整个行业迈向新的高度。

展望未来，英飞凌科技将继续秉持创新、卓越、务实的理念，不断推动科技进步，为客户带来更加优质的产品和服务。让我们共同期待英飞凌科技在未来的精彩表现！

英飞凌在CoolGaN™ Transistor技术上迈出了革新的一步，推出了具备电压驱动和电流驱动双重优势的分立器件。值得一提的是，所有CoolGaN™ Transistor均采用了先进的贴片封装技术，这一设计无疑进一步放大了快速材料的卓越性能。

在高压领域，英飞凌震撼发布了全新的CoolGaN™ 晶体管 700 V G4产品系列。与市面上的其他氮化镓产品相较，这一系列晶体管在输入输出性能上实现了高达20%的飞跃。不仅如此，凭借700 V E模式的业界最高瞬态电压——高达850 V，它们能够轻松应对用户环境中的异常情况，极大地提升了系统的整体可靠性。

而在中压领域，英飞凌同样展现了其强大的技术实力。全新系列的CoolGaN™ G3中压器件，覆盖了从60 V到120 V的广泛电压等级，为行业带来了更多可能。

英飞凌的每一次创新，都为我们带来了前所未有的技术体验，让我们共同期待他们未来的精彩表现！

CoolGaN

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BDS：单片实现完美的双边开关，大幅简化设计和成本

在科技的浪潮中，BDS——这一双向开关的代名词，正以其独特的魅力引领着电子领域的新篇章。而英飞凌，凭借其卓越的创新力，成功通过单芯片技术，实现了双边开关功能的完美融合。这不仅彻底颠覆了传统双边开关复杂电路设计的束缚，更为客户带来了前所未有的便捷与高效。

想象一下，在移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等关键应用中，英飞凌的BDS技术如何大放异彩。它以其卓越的性能和优化的成本，为用户带来了前所未有的使用体验。无论是在充电速度、数据传输效率，还是在系统稳定性方面，都展现出了令人瞩目的优势。

这一切，都得益于英飞凌对于技术创新的不断追求与坚持。他们凭借着对细节的精益求精，以及对品质的不懈追求，成功打造出了这款引领行业潮流的BDS产品。让我们共同期待，英飞凌在未来能够为我们带来更多令人惊艳的科技成果！

引领新时代的半导体革命，CoolGaN™ BDS高压系列闪亮登场！这一系列的杰出代表，650V与850V型号，凭借真正的常闭单片双向开关设计，为您带来前所未有的四种工作模式。这款半导体器件，深深植根于栅极注入晶体管技术的肥沃土壤，独特之处在于其两个分立栅极，每个都配备了衬底终端和独立隔离控制功能。

想象一下，在复杂的电路环境中，CoolGaN™ BDS如何巧妙地利用相同的漂移区，为两个方向的电压提供无懈可击的阻断。更令人惊叹的是，即便在频繁重复的短路挑战下，它依然能够保持卓越的性能，展现出无与伦比的稳定性与可靠性。

不仅如此，CoolGaN™ BDS还以其创新的设计，实现了一个革命性的飞跃：用一个BDS便能替代传统的四个晶体管。这不仅意味着更高的效率、更紧凑的密度，更为您的应用带来了前所未有的可靠性提升。想象一下，这样的技术革新将如何助您在激烈的市场竞争中脱颖而出，大幅节省成本，实现更大的商业价值。

CoolGaN™ BDS高压系列，是半导体技术的璀璨明珠，是您实现创新、追求卓越的理想选择。让我们一同携手，迎接这一新时代的半导体革命！

在科技的浩瀚星空中，CoolGaN™ BDS犹如一颗璀璨的明星，其独特的魅力在于其中压器件所展现的卓越性能。这款器件，拥有令人瞩目的40 V电压等级，它基于英飞凌肖特基栅极氮化镓的尖端技术，巧妙地设计成了一款常闭单片双向开关。

想象一下，它能够如同守护者一般，坚定不移地阻断来自两个方向的电压威胁，确保电路的稳定与安全。更令人称奇的是，它通过单栅极共源极的创新设计，将性能推向了新的高度，使得传统的背对背MOSFET在电池供电的消费产品中逐渐黯然失色。

CoolGaN™ BDS，不仅是一款产品，更是技术的结晶，是工程师们智慧的体现。它以其卓越的性能，为用户带来了更加安全、可靠的电子体验，让我们共同期待它在未来电子领域的更多精彩表现！

创新颠覆，CoolGaN™ BDS引领拓扑结构新革命！

🚀 在今日的科技浪潮中，拓扑结构的优化一直是工程师们关注的焦点。据资深工程师程文涛透露，当前的拓扑结构急需一款"完美"的开关——它需能迅速而精准地在两侧进行关断与开启，且开关速度必须超乎寻常。

🔧 以往，我们依赖的是两颗背靠背的Si MOSFET来达成这一目标。但当设计要求RDS低至10mΩ时，我们不得不选择两颗5mΩ RDS的高规格MOSFET并联使用，以满足这一严苛标准。这不仅增加了设计的复杂性，也提升了成本。

💡 但现在，CoolGaN™ BDS的登场彻底改变了这一局面！只需一颗CoolGaN™ BDS，就能实现以往四颗芯片才能达到的效果。这一创新不仅大幅缩减了设计的占用面积，降低了成本，更为我们带来了前所未有的高开关频率。

🌟 CoolGaN™ BDS以其卓越的性能，引领着拓扑结构的新革命。未来，我们有理由相信，它将为我们的设计带来更多可能，书写更多的辉煌篇章！

CoolGaN™ BDS，这款卓越的半导体解决方案，其应用之广泛令人瞩目。在服务器的核心母板和UPS中，它展现出卓越的稳定性；在消费电子领域，无论是OVP还是USB-OTG，CoolGaN™ BDS都发挥着不可或缺的作用；而在储能系统和电动工具的电池管理中，它的高效性能更是让人叹为观止。

更为值得一提的是，高压CoolGaN™ BDS在单相H4 PFC、HERIC逆变器以及三相Vienna整流器等高端应用中，通过巧妙替代背对背开关，不仅优化了整体电路性能，更提升了系统的运行效率。而在AC/DC或DC/AC拓扑中的单级交流电源转换中，它同样展现出了卓越的性能。

而对于中压CoolGaN™ BDS，它的优势更是显而易见。与传统的背对背Si FET设计相比，它不仅能够节省高达50%至75%的PCB面积，使得设备更加紧凑，同时还能够将功耗降低50%以上，大大降低了设备的运行成本。

CoolGaN™ BDS，凭借其卓越的性能和广泛的应用场景，正在引领半导体行业的新潮流。

"在当前竞争激烈的市场格局下，英飞凌以其卓越的创新能力，独树一帜地推出了高压BDS技术。这一突破性的技术不仅彰显了英飞凌在行业内的领先地位，更为大功率电池管理、电动工具，乃至储能、光伏、服务器等多元化领域带来了革命性的变革。程文涛对此表示，高压大功率BDS的广泛应用，无疑将推动这些领域向更高效、更智能的方向发展，展现出英飞凌对技术革新的不懈追求与坚定承诺。"

集成电流感应的CoolGaN

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Smart Sense

在科技的浪潮中，英飞凌不仅推出了颠覆性的CoolGaN™ BDS，更是独具匠心地推出了全新的CoolGaN™ Smart Sense系列。这一系列产品的问世，无疑在芯片领域掀起了新的革命。它巧妙地借助芯片内部的沟槽设计，实现了电流检测，这一创新技术在MOS管领域中虽已有所应用，但主要集中在低压沟槽型MOS，而能将其应用于更广泛的领域，英飞凌无疑是先行者。

尽管当前市场上采用这一技术的产品仍属凤毛麟角，但氮化镓材料在众多应用场景中对内含电流检测功能的渴求却是显而易见的。据资深专家程文涛的深入剖析，其背后原因主要有两点。这不仅彰显了英飞凌对技术前沿的敏锐洞察，更是其持续创新、勇攀科技高峰的生动体现。

在科技的前沿，我们探寻着一种革命性的无损检测技术。这种技术，如同一位精细的工匠，巧妙地从材料的沟槽中提取电流进行采样。想象一下，当加工元器件时，无数个晶胞如同繁星点点，它们并肩作战，共同构建出强大的功能体系。而在这个体系中，晶胞之间的镜像匹配达到了近乎完美的程度。

现在，我们将目光投向几个精心挑选的电芯，它们如同明灯，照亮了前进的道路。我们将它们的信号放大，这一操作如同模拟电子中的镜像电流源，将微弱的电流信号放大，从而镜像出其他沟槽中的总功率电流。这是一种巧妙而精准的操作，它让我们能够更深入地了解材料的性能和状态。

与传统的串联减流电阻方法相比，内含电流检测技术的优势不言而喻。它实现了无损检测，确保在检测过程中不会对材料造成任何损伤。同时，由于氮化镓材料具有极快的开关速度，传统的外部取电流方法会产生额外的感生电动势和巨大的杂讯，这不仅影响了检测的准确性，还可能导致器件应用出现问题。而内含电流检测技术则彻底解决了这一问题，让我们的检测更加精准、可靠。

让我们共同期待这一技术的广泛应用，它将为我们带来更多的惊喜和可能性！

🔥 氮化镓革命：内含电流检测的终极解决方案 🔥

想象一下，一个科技新时代的来临，氮化镓的应用在其中扮演着举足轻重的角色。而在这背后，有一个令人振奋的革新——内含电流检测技术。这一创新不仅将安全性提升至全新高度，更巧妙地避免了因电流检测而产生的额外噪声和效率损失。它就像是为氮化镓应用量身打造的守护神，确保器件在每一次运作中都能展现出超凡的可靠性和高效性。

不再需要担忧电流的不稳定，不再需要为额外的噪声和效率损失而烦恼。内含电流检测技术，让氮化镓的应用更加完美，更加值得信赖。这不仅是技术的飞跃，更是对未来科技发展的坚定承诺。

🌟 氮化镓，内含电流检测，为您带来前所未有的安全与高效体验！🌟

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超越想象的防护力！CoolGaN™ Smart Sense引领新时代

在追求极致性能和稳定性的道路上，CoolGaN™ Smart Sense产品展现了令人瞩目的实力。这款前沿产品不仅拥有高达2 kV的静电放电耐受能力，还巧妙地与控制器电流感应相结合，实现了精准的峰值电流控制和过流保护。

值得一提的是，CoolGaN™ Smart Sense的电流检测响应时间达到了惊人的200 ns，这一速度等于或超越了普通控制器的消隐时间，展现了其无与伦比的高兼容性和实时响应能力。

想象一下，在瞬息万变的工作环境中，CoolGaN™ Smart Sense能够迅速、准确地响应电流变化，为设备提供坚实的保护。这不仅提高了设备的稳定性和安全性，更为用户带来了前所未有的使用体验。

CoolGaN™ Smart Sense，以其卓越的性能和出色的兼容性，成为新时代的引领者，为用户带来更安全、更可靠的电力解决方案。

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希望这次改写符合您的要求，并成功增强了原文的感染力。

在如今科技飞速发展的时代，CoolGaN™ Smart Sense 产品以其卓越的性能和成本优势，正引领着新一代电子器件的潮流。相较于传统的150mΩ GaN晶体管，CoolGaN™ Smart Sense 在RDSs高达350 mΩ的条件下，依然能够以更低廉的成本，提供与之媲美的效率和热性能。这一突破性的表现，无疑为工程师们带来了更多可能性和选择。

更为重要的是，这些先进的器件与英飞凌的分立CoolGaN™封装脚位完美兼容，无需进行繁琐的布局返工和PCB重焊。这不仅大大节省了设计时间和成本，更为使用英飞凌GaN器件的设计师们带来了极大的便利。无论是追求高效能还是注重成本控制，CoolGaN™ Smart Sense 都将是您不可多得的理想之选。让我们一同迎接这一电子科技的新篇章！

集成驱动的CoolGaN

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Drive

在GaN技术的探索之旅中，门极驱动设计无疑是一道难以逾越的关卡，不仅让用户感到困扰，更是给市场带来了诸多挑战。尽管时间流转，但电压型驱动技术路线依旧面临这一棘手难题。程文涛先生深入剖析了其中的奥秘，他指出：“电压型驱动有其独特之处，那就是要精准地将其控制在5-6V的范围内，丝毫不敢逾越7V的界限。一旦超过，门极将受到损害。这意味着，设计师们只有大约1V的设计空间，从确保完全开通到保护其免受损害，这1V的余量成为了他们设计之路上的巨大挑战。这无疑是对设计师们技艺和智慧的严峻考验。”

当面临技术挑战时，您是否也在寻找一个既能高效驱动器件，又能确保它们安全稳定运行的解决方案？许多领先的公司已经找到了答案——那就是将驱动器与器件巧妙地集成在一个紧凑的封装内。而英飞凌的CoolGaN™ Drive，正是这一创新思维的杰出代表。

想象一下，拥有CoolGaN™ Drive，您不仅能在性能上获得显著提升，更能在可靠性和安全性上得到强有力的保障。这款产品凭借其卓越的设计和制造工艺，为您的设备和系统带来了前所未有的优势。

在竞争激烈的市场中，选择一款合适的驱动器产品至关重要。而英飞凌的CoolGaN™ Drive凭借其独特的技术优势和卓越的性能表现，无疑成为了市场上的佼佼者。让我们共同期待它在未来能够创造更多的辉煌！

这种前沿的集成方法带来的革命性突破，让您无需再为氮化镓器件的驱动而牺牲偏置电压。想象一下，当您过去在使用硅器件时，驱动电压通常需要设置在10V或更高的水平，而如今，通过我们引以为傲的CoolGaN™ Drive技术，您竟然能够在相同的偏置电压下直接驱动氮化镓器件，无需再为电压调整而费心。这不仅简化了操作过程，更让每一次的驱动变得高效而顺畅。CoolGaN™ Drive，为您的应用带来前所未有的便捷与高效，让您在科技创新的道路上驰骋自如。

在科技的浪潮中，英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务领域的佼佼者——高级首席工程师宋清亮，为我们揭示了集成驱动GaN的卓越魅力。他强调，集成驱动GaN不仅具备三大显著优势，更引领着科技发展的潮流。

首先，对于广大用户而言，集成驱动GaN的操作方式更为简便，无需繁琐的步骤，即可轻松上手。这无疑为我们的生活带来了极大的便利。

其次，随着电源及各类功率设备日益向着高功率密度化、微型化的方向发展，如何在有限的PCB空间内实现更高的集成度成为了一个迫切的问题。而集成驱动GaN正是这一难题的破局者。它的大大减少了外围贴片的数量，使得PCB尺寸得以进一步缩小，实现了更高的集成度。

更为令人欣喜的是，集成驱动GaN在成本上也展现出了其独特的优势。原本需要两个器件再加上外围器件的复杂配置，如今只需一个集成的驱动GaN便可替代。长期来看，或者在相同使用量的情况下，集成驱动GaN的物料成本相较于传统的分立方案更具优势。这无疑为企业降低了成本，提高了竞争力。

因此，宋清亮先生坚信：“集成是未来一个非常重要的发展方向。在很多领域，如果不采用集成技术，将很难实现广泛的应用场景。”集成驱动GaN以其卓越的性能和广泛的应用前景，正成为科技领域的璀璨明星。让我们共同期待它在未来科技发展中的更多精彩表现！

英飞凌的GaN策略：产品布局拓宽，扩产降低成本

英飞凌与GaN Systems的携手，在去年完成了辉煌的一跃。通过这一战略性收购，英飞凌不仅收获了GaN Systems在知识产权上的宝贵财富，更深化了对氮化镓技术应用的洞察。这种优势互补，无疑使英飞凌在氮化镓领域的市场领导地位愈发稳固，确保了在现有市场中的竞争优势，更为未来的发展铺设了坚实的基石。

不仅如此，GaN Systems的产能与可靠性更是成为其无可匹敌的杀手锏。令人振奋的是，英飞凌推出的新一代高压和中压CoolGaN系列，完全采用8英寸工艺制造，这一创新举措充分展现了GaN在更大晶圆直径上的惊人扩展能力，预示着氮化镓技术将迎来更为广阔的应用前景。

这一里程碑式的合作，不仅为英飞凌注入了新的活力，也为整个氮化镓领域的发展注入了强大的动力。我们期待着英飞凌在未来继续书写更多辉煌的篇章！

随着GaN成本的大幅削减和高压技术的飞速进步，以及客户对GaN的日益青睐，我们坚信，在不远的将来，数据中心、汽车、工业等各大领域都将迎来GaN应用的繁荣时代。英飞凌，这家以卓越半导体产品和解决方案享誉业界的领军企业，正凭借其在GaN领域的深厚积累，不断拓宽产品种类，这不仅是英飞凌在GaN领域提供全面解决方案能力的有力体现，更是对其他产品线销售的强大助推。让我们共同期待，英飞凌在GaN领域的更多精彩表现，引领行业迈向新的高度！