在最近的FMS 2024峰会上，SK 海力士凭借其创新实力，率先向业界展示了尚未正式发布规范的UFS 4.1通用闪存新品，再次引领存储技术的前沿。此次展示不仅彰显了SK 海力士在存储技术领域的领先地位，也为未来的移动设备性能提升奠定了坚实基础。
根据JEDEC固态技术协会官网的最新信息，目前广泛采用的UFS规范为2022年8月发布的UFS 4.0，该标准已实现了每个设备至高46.4Gbps的理论接口速度。而SK 海力士此次推出的UFS 4.1通用闪存，预计将在传输速率上实现新的飞跃，为用户带来更加流畅的数据读写体验。
此次展示的UFS 4.1通用闪存包含两款产品，容量分别为512GB和1TB，均采用了先进的321层堆叠V9 1Tb TLC NAND闪存技术。这种技术不仅提升了存储密度，还优化了数据传输效率，使得SK 海力士的UFS 4.1产品在容量和速度上均达到了行业领先水平。
值得注意的是，SK 海力士在V9 NAND闪存技术上的探索并未止步。除了已公布的1Tb容量、2.4Gbps速率TLC产品外，公司还首次展示了容量业界领先的3.2Gbps V9 2Tb QLC以及3.6Gbps高速V9H 1Tb TLC颗粒，进一步丰富了其NAND闪存产品线。
此外，SK 海力士还展示了可提升数据管理效率的ZUFS（分区UFS，Zoned UFS）样品，这些样品均基于V7 512Gb TLC NAND，提供512GB和1TB的存储容量选项。公司此前已宣布其ZUFS 4.0产品将于今年第三季度进入量产阶段，预示着这一创新技术将很快进入实际应用阶段。
综上所述，SK 海力士在FMS 2024峰会上的展示再次证明了其在存储技术领域的创新能力和领先地位。随着UFS 4.1通用闪存的推出，我们有理由相信，未来的移动设备将拥有更加出色的性能和更加丰富的存储选择。
