SK海力士近日宣布了一项重要计划，即开发采用4F2结构（垂直栅）的DRAM。这一决策紧跟其竞争对手三星的步伐，标志着SK海力士在DRAM制造领域的新探索。SK海力士研究员表示，随着极紫外（EUV）工艺成本的不断攀升，自1c DRAM商业化以来，传统制造工艺的经济性正受到严峻挑战。因此，公司决定尝试4F2结构DRAM，旨在通过技术创新来缩减成本。
4F2结构DRAM作为一种先进的内存制造技术，通过垂直堆叠晶体管来优化单元阵列结构，有效减少了芯片表面积，提升了制造效率。SK海力士此举不仅体现了其对技术前沿的敏锐洞察，也彰显了公司在面对成本压力时的灵活应对能力。未来，随着4F2结构DRAM的推出，SK海力士有望进一步提升市场竞争力，推动行业成本优化和技术进步。
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