三星电子在最新的内存产品路线图中透露了未来几年的技术布局。据透露，三星计划在2024年率先推出基于1c nm制程的DDR内存，该制程将支持高达32Gb的颗粒容量，标志着内存性能与密度的双重飞跃。
展望更远的未来，三星已锁定2026年为最后一代10nm级工艺的里程碑，届时将推出1d nm技术，尽管容量上限仍维持在32Gb，但这一决定预示着三星正稳步向更先进制程迈进，为下一代内存技术奠定坚实基础。
三星电子计划在2026年推出最后一代10nm级工艺1d nm
2024-09-10
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