近日，“国产替代”又传来一则好消息！
据彭博社援引TechInsights报道称，长江存储在面临美国出口限制和被列入实体清单的双重压力下，已成功采用国产半导体设备取代了部分美系半导体设备。
该报道指出，长江存储已使用国产设备制造出3D NAND闪存芯片，其自研Xtacking架构可让3D NAND的层数堆叠到232层，即使与美光、三星、SK海力士等知名制造商相比，也具有极强的竞争优势！
（相关报道截图）
尽管取得了这些进展，但彭博社和TechInsights表示，长江存储仍面临技术障碍，其最新的使用国产半导体设备生产的3D NAND芯片比早期版本少了70层。而层数的减少，主要因为使用国产设备导致了制造过程中缺陷增多、良率降低。
对此，长江存储回应称，公司正在不断优化产品性能，层数变化与设备产量无关；随着制造工艺、流程及经验的不断成熟，会不断增加堆叠层数。
（图片来源：长江存储官网）
根据官网介绍，长江存储成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉，是一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品于一体的存储器IDM企业，主要为全球合作伙伴提供3D NAND闪存晶圆及颗粒、嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，其业务范围覆盖移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。
●
2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存；
●
2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking® 架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产；
●
2020年4月，长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，拥有发布之时业界最高的I/O速度，最高的存储密度和最高的单颗容量；
●
2022年10月，美国限制先进半导体设备对华出口，随后将中国3D NAND Flash制造商长江存储列入实体清单。
被制裁的两年里，长江存储仍在稳步发展。此前，长江存储一直依赖ASML、泛林集团等外国供应商提供的关键工具和设备。但现如今，中国国产半导体设备供应商越来越多地承担了生产流程的大部分，而长江存储也已转向国内半导体设备供应商了，通过使用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的沉积与蚀刻设备、拓荆科技的沉积设备等，已成功用国产设备制造出3D NAND闪存芯片。
由此可以看出，美方芯片限制根本不能阻挠我国芯片前进的脚步，反而会刺激我们加速突破的步伐，实现更多的“国产替代”。对此，不少外媒也评价道，“美方芯片限制基本落空了”。
