【KUU重磅发布】2款100V耐压双MOSFET以5mm×6mm和3mm×3mm尺寸及超低导通电阻,助力通信基站高效节能

2025-05-06

随着通信基站和工业设备电源系统向48V升级,高效、节能的元器件需求日益迫切。KUU凭借先进工艺与封装技术,全新推出2款100V耐压双MOSFET,以超低导通电阻和紧凑尺寸,为风扇电机驱动提供高性能解决方案,助力客户实现设备功耗与空间的双重优化!

0148V系统升级催生高性能MOSFET需求

在通信基站、工业设备等领域,为提高能效并降低电流损耗,电源系统正从传统的12V/24V向48V升级。作为设备散热的关键部件,风扇电机同样需适配48V电压,而电源波动要求其开关元件具备更高的耐压能力(如100V)。然而,耐压提升往往伴随导通电阻(Ron)增加,导致效率下降。如何平衡高耐压与低导通电阻,成为行业技术难点。

与此同时,设备小型化趋势推动了对高集成度元件的需求。传统方案需使用多颗分立MOSFET,而双MOSFET(一体化封装两枚芯片)既能节省空间,又能简化设计,成为市场新宠。

02KUU创新方案:超低导通电阻+极致紧凑设计

针对这一挑战,KUU通过新工艺芯片开发与散热优化封装技术,推出2款100V耐压双MOSFET(Nch/Nch组合),以两大核心优势引领行业:

1、超低导通电阻,能效提升显著

  • 采用自主新工艺,结合背面散热封装(如PDFN3x3-8L、 PDFN5X6-8L),显著降低导通电阻。
  • Nch+Nch产品导通电阻低至PDFN5X6-8L为35mΩ、PDFN3x3-8L为85mΩ,大幅减少导通损耗,助力设备能效升级。

2、高集成封装,节省77%安装空间

  • 以PDFN5X6-8L封装为例,替换传统TO-252单MOSFET(两颗分立方案),安装面积减少56%。
  • 提供5mm×6mm(PDFN5X6-8L)和3mm×3mm(PDFN3x3-8L)两种紧凑尺寸,灵活适配高密度设计需求。

【KUU重磅发布】2款100V耐压双MOSFET以5mm×6mm和3mm×3mm尺寸及超低导通电阻,助力通信基站高效节能 (https://ic.work/) 推荐 第1张

03应用场景:为高可靠性设备注入动能新产品专为48V系统风扇电机驱动优化,适用于: - 通信基站:5G设备散热模块

- 工业设备:伺服驱动器、PLC控制系统

- 其他领域:数据中心、新能源电力设备

04KUU使命:以技术驱动绿色未来

此次发布的100V双MOSFET系列,是KUU在工业设备功率器件领域的重要布局。未来,我们将继续扩展耐压阵容,并开发低噪声产品,通过技术创新助力客户应对环保与能效挑战,为可持续发展贡献力量。

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