近期，杭州市政府为加速推进其集成电路产业的卓越进展与高水准提升，正式推出了《关于促进集成电路产业高质量发展的指导方案》，旨在通过一系列前瞻性政策与举措，全面激发并优化该领域的创新发展潜能。
图片来源：杭州市人民政府官网截图
根据《实施方案》，杭州市展望了其未来的五项关键发展愿景：首先，实现产业结构的显著升级和放大；其次，优化与协调地域发展空间分布；第三，强化创新能力以驱动增长动力；第四，增强服务平台功能与效能；最后，确保产业发展过程中的风险得到有效管控。
塑造长三角地区集成电路的中枢城市，携手宁波市、绍兴市与嘉兴市，共同构建环杭州湾集成电路高端产业集群。
至2025年，集成电路产业规模将攀升至800亿元，并有望达到1000亿大关，实现年均增长20%的目标；届时，预计将诞生营收超百亿元企业一到两家、五十亿元企业三至五家、十亿元企业十余家；在设计制造、化合物半导体、关键材料及核心设备与零部件领域中，将涌现一批专注于细分市场、具备独特优势的“专精特新”中小企业。
构建"一核一廊多点"的空间布局体系。核心部分，即滨江创新中心，聚焦国家集成电路设计杭州产业高地与杭州国家“芯火”创新创业基地的整合力量，营造高端芯片产业的卓越生态系统。走廊层面，城西科创大通道将充分利用其体制优势，协同拱墅、临平等区域，在高端芯片、关键材料、核心技术设备及支撑软件等领域产出一系列重大创新成果。
在多点发展的策略下，以钱塘区、萧山区、富阳区、桐庐县和余杭区为核心区域，着力引育大型制造生产线，加速重大项目实施进度。此举旨在构筑国家级特色工艺半导体制造基地，并积极创建省级级别的万亿级工业集群平台。
至2025年间，一系列尖端技术领域将见证创新突破的涌现：人工智能芯片、视觉处理芯片、服务器芯片、车规级芯片、量子计算芯片、类脑计算芯片以及化合物半导体。这一时期预计将产出多项引领行业发展的先进成果。特别值得关注的是，集成电路领域的核心企业，其研发投入在营业总收入中的比重预计将达到5%或以上，彰显了对技术创新的坚定承诺与不懈追求。
培育集成电路产业共同体，强化协作服务平台的效能，鼓励领军企业在先进芯片、专有工艺、高性能化合物半导体等领域建立研发实验室，确保年增不少于五家具备企业级研发能力的机构。
践行国家级集成电路重大项目的指导原则，我们致力于优化地方项目的地域分布，优先配置资源以扶持具有高技术含量的项目，坚决摒弃低效、冗余的一般性投资。强化对主要项目的市场主体责任，严格遵循国家的动态监管规定，实施全方位、全链条的管理策略。
深化落实国家对于集成电路重大工程的战略部署，并着力优化项目地域规划。在资源配置上，我们将重心倾向于高端技术项目，避免无意义地分散力量于普通项目之上，确保每一分投入都能发挥出最大的效益和价值。
严格要求各项目的实际承担者，明确责任与义务，同时，我们坚定执行国家关于重大项目建设的动态监管机制，形成从立项到运营、再到评估的一体化管理流程。此过程旨在实现对项目全生命周期的有效掌控与优化提升，确保每个环节都能符合国家政策导向和市场发展趋势。
为了实现全面提升的目标，《实施方案》精心规划了五大核心战略举措：首先是发起精英设计驱动计划，其次是推进专属制造品质升级项目，第三是优化专有制造能力提升策略，紧接着是启动平台效能飞跃行动计划，最后是协同长三角地区联合攻克技术难关活动。
这些重点任务旨在通过多维度的创新和合作，以打造更具竞争力的产业生态系统。其中，高端设计引领行动将着力于激发创意与技术创新，特色制造提升行动则聚焦于优化生产流程、提高产品质量及效率；平台能级跃升行动旨在加强数字基础设施建设，促进信息流和价值创造；而长三角协同攻关行动，则旨在强化区域间的技术合作与资源共享，共同应对挑战。
通过这些精心设计的任务，预期能够实现产业的全方位升级，增强区域经济活力，提升国际竞争力。
推进集成电路产业的高层次研发战略和产业链协同创新项目，着力推动高端模拟及数字混合型芯片的繁荣发展。聚焦于滨江区、城西科创大走廊以及临平区的核心地带，我们将全面提升射频传感器、基带处理器、交换设备、光通信技术、显示驱动器、电源管理组件、RISC-V架构、物联网智能终端、车规级应用、FBAR滤波器、存算一体等新型专用芯片的能级。同时，我们旨在促进嵌入式系统、存储装置、高性能处理器、服务器等高端通用集成电路元件的技术突破与创新。此外，我们将积极推动类脑计算、边缘计算、量子计算、柔性电子技术以及化合物半导体材料等前沿科技领域的研发和产品培育，以实现技术创新的全面引领和产业生态的高度优化。
构建专精特新工艺芯片生产线，致力于孵化具有百亿元级市场主导力的企业。大力推动CMOS及MOSFET等先进技术的应用与创新，聚焦IGBT、智能传感器、MEMS、FinFET、半导体激光器、光电器件等前沿产品的研发与生产。全力推进氮化镓、碳化硅、砷化镓、磷化铟、氮化铝等化合物半导体材料的项目立项及建设工作。
以钱塘区、萧山区、富阳区、桐庐县、余杭区为核心区域，重点支持成套工艺芯片生产线的建设和完善。积极筹划城西科创大走廊内的高端存储重大项目的布局与推进。
聚焦于滨江区、钱塘区、富阳区、临安区、萧山区、余杭区、临平区及建德市的核心区域，着重推进大尺寸硅片等核心材料的研发与技术攻坚；强化光刻胶、高纯度化学试剂、电子气体、功能聚合物材料的本土化生产与供应能力，以提升自给率和本地配套水平。同时，加强电路测试设备、分选系统、超洁净流控装置、半导体外延技术以及化学机械抛光工艺等关键技术的研发力度，力图突破关键核心技术瓶颈。
优化并增强杭州国家“芯火”双创基地、浙江省集成电路创新中心、钱塘芯谷、镓谷射频产业园、临安云制造小镇及杭州集成电路测试服务中心等核心平台的服务效能，旨在推动创新基地、研发机构与产业聚集区间的紧密协同。通过整合资源、构建以龙头企事业单位和科研机构为核心的企业孵化体系，为初创企业提供全方位的支持，包括技术创新、资本对接、市场开拓、法律援助以及知识产权管理等关键环节的指导与服务。此举旨在营造一个充满活力且高效运作的半导体及集成电路产业生态，加速推动技术转化和产业成长，同时促进经济结构优化升级和创新能力建设。
深入探讨并拓展长三角地区协同创新体系中的"揭榜挂帅"机制，旨在汇聚芯片、软件及设备制造企业的力量，以终端系统需求为导向，实现跨域合作与技术攻关，共同构建起自主知识产权的核心技术架构。
构建一个融汇长三角的“芯机联动”协作平台，旨在赋能重大应用领域的研发工作，通过这一平台强化资源对接与整合能力，加速技术创新与成果转化。
依据《具体实施方案》的阐述，旨在推动集成电路领域的科技创新活动。将集中力量攻克核心环节的技术难题，包括但不限于高性能器件、高端芯片设计、关键材料与工艺、核心装备以及EDA工具等关键领域。特别着重于支持本地企业作为主导力量，承担国家级或省级层面的重大科技攻关项目，并对获得国家和省立项的项目，依据相关政策给予相应的财政补贴或其他形式的支持。
同时，《实施方案》也强调激励机制，鼓励当地企业在技术创新方面的努力和成绩得到国际认可，特别是推动其参与“中国芯”等重量级奖项的申报工作。此举旨在通过政策引导与资源倾斜，加速集成电路产业链的整体升级与突破，进而实现科技自立自强的目标。
对于那些在高端芯片支撑服务领域投入逾五亿元、致力于构建EDA工具与IP核心、提供创新设计解决方案、先进工艺流片及封测服务，并开展全面测试验证的集成电路公共技术平台，一旦项目竣工，将获得按其投资额6%计算的资金补助，累计上限为五千万人民币。此外，对于面向中小企业提供专业服务并显著促进长三角区域企业技术研发与产业合作的公共服务平台，基于服务收入的比例，即10%，同样享有资金补助，最高额度则设定在一千万元。
此政策旨在大力推动本市集成电路产业的发展，并加强与周边地区企业的协同创新，通过精准支持和财政激励措施，进一步壮大芯片设计、制造及应用能力。
