于六月三十日起，全球瞩目的科技巨头三星电子正式步入了新的里程碑，宣布其率先在全球范围内启动了三纳米芯片的生产流程，这一壮举标志着半导体技术领域的一次革命性飞跃，《韩国日报》对此予以了详尽报道。此次量产的开启，不仅象征着三星在先进制程工艺上的领先地位得以巩固，更为未来的电子产品发展铺垫了坚实的技术基石。
通过此次3纳米芯片的规模化制造，预期将带来一系列技术创新和性能提升，例如更高效的能效比、更高的计算能力以及更快的数据处理速度。这不仅对消费电子市场产生深远影响，还将极大地推动云计算、人工智能、物联网等领域的发展，进一步加速数字时代的步伐。三星在这一领域的突破性进展，有望引领全球科技行业进入全新的技术纪元。
该事件的发布不仅是企业战略规划的成功展现，也体现了韩国乃至全球半导体产业在技术创新和国际竞争中的重要地位与潜力。随着三星3纳米芯片量产的开启，预计未来将有更多创新应用和产品由此诞生，对全球科技生态产生积极而广泛的影响。
在2021年度举行的晶圆代工论坛上，三星公司公布了其基于GAA晶体管架构的3纳米与2纳米工艺节点的发展规划，并宣布计划于2022年第二季度启动生产采用环绕闸极技术的芯片。
根据BusinessKorea的报道，在六月初，三星已率先引入了先进的3纳米Gate-All-Around Field Effect 制程，并启动了试验性生产阶段，这一壮举使该公司成为全球首家采用GAAFET技术的领先企业。
近期，市场对三星在3纳米芯片量产过程中遭遇良率显著低于预期的目标情况感到关注。然而，面对这一挑战，三星坚定回应称其依然遵循既定的时间表，正式启动了3纳米芯片的生产工作。
为了追求在先进制程领域的卓越地位，并实现对晶圆代工领域领军企业台积电的追赶，三星集团计划通过采纳革新性的Gate-All-Around技术，以期在未来的竞争中脱颖而出。
与传统的FinFET工艺相比，采用GAA工艺能够显著优化芯片设计，实现面积减少45%、性能提升30%以及功耗降低至原有水平的50%，这标志着在微电子科技领域的一次重大突破。
近期，台积电正式发布了其最新的技术蓝图，明确宣布其3纳米制程将沿用先进的FinFET架构。预计首个基于3纳米级别的晶片——即N3节点芯片——将有望于今年下半年实现量产，并计划在2023年年初向客户交付实际产品。
在2纳米芯片量产时间的选择上，三星与台积电展现出了高度的一致性和协同性。三星预计将在2025年实现利用门级环绕晶体管架构的2纳米芯片生产，同时，台积电亦规划于同年推出基于GAAFET工艺的2纳米芯片，并借此从传统的FinFET技术中进行革新过渡。
近期，台积电在全球科技聚光灯下，于北美地区隆重举办二零二二年度技术研讨盛会。此次盛事不仅揭示了其在先进制程技术研发上的前瞻蓝图，更展开了对未来发展规划的深入探讨。
初始代号为N3的台积电三纳米节点技术，预计将于本年度下半年实现大规模量产，并于翌年初向客户交付样品。相较于前一代N5制程，N3显著降低了25%至30%的能耗，同时提升了10%至15%的运算性能。此外，台积电正规划在未来数年内推出多种基于N3技术的衍生工艺版本，包括N3E、N3P、N3S及N3X等，以满足不同客户与应用领域的需求。
台积电宣布，即将推出的N2工艺节点将开创性地采用GAAFET架构，并计划于2025年实现量产。作为一项颠覆性的技术平台，N2首次全面应用了先进的极紫外光刻技术。其革新性的环栅晶体管设计在保证性能的同时，显著降低了漏电流，实现了能效的大幅提升。相比前代工艺，在同等功率输出及晶体管规模下，N2将能够提供10%至15%的性能增益；而在保持相同比例复杂度及频率的情况下，则能减少高达25%至30%的能耗。更值得一提的是，相较于N3E节点，N2在单位面积内实现了超过1.1倍的更高集成密度，充分展示了其在技术创新与工艺优化上的卓越成就。
N2技术平台不仅限于基础架构设计，它还拓展了范围，囊括了一个高能效版本与一套完整的小规模集成电路方案。通过这一扩展，N2在性能、效率和集成度上实现了全面提升，为用户提供了一整套更强大且全面的解决方案。
