美光公司最近开始利用其经过验证的成熟 1 β 技术制造的单片32 Gb DDR5 颗粒。与标准的 JEDEC 规格相比,这种新芯片的位密度提高了 45%以上,能够达到 8000 MT/s,同时还能以更积极的时序延迟运行。该公司声称,与竞争对手的 3DS TSV 产品相比,它的能效提高了 24%,更快的运行速度也有助于加快人工智能训练时间。避免使用 3DS TSV 可以让美光更好地优化数据输入缓冲器和关键 I/O 电路,同时减少数据线上的引脚电容。这些都有助于降低功耗和提高速度。
得益于 CMOS 工艺的进步和阵列效率的提高,美光的单片芯片密度每 3 年左右就会翻一番。该公司认为,随着技术的不断进步,未来实现 48 Gb 和 64 Gb 单片机的前景十分明朗。美光公司还宣称,其 1 β 节点已领先于竞争对手实现量产,并在公司历史上实现了最快的良率成熟。采用 1β DRAM 的双芯片封装和高外形尺寸 (TFF) 模块有望在不久的将来实现 1TB 模块。
在宣布采用 1 β 技术的 128 GB RDIMM 的同时,该公司还为即将推出的产品制定了路线图。HDM 和 GDDR7 预计将主导对带宽要求较高的应用,而 RDIMM、MCRDIMM 和 CXL 解决方案则将用于需要大容量的系统。LPDDR5X 和 LPCAMM2 解决方案最高可达 192 GB,预计最早将于 2026 年出现在功耗敏感型系统中。