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产品分类
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DDR电源 |
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系列
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TPS51116 |
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工作温度
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-40℃~+85℃ |
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安装类型
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SMT |
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封装/外壳
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VQFN24_4X4MM_EP |
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拓扑结构
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降压 |
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输出端数
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3 |
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输出电压
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0.75V~3V |
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长x宽/尺寸
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4.00 x 4.00mm |
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工作电流
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800μA |
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输出类型
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- |
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输出电流
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3A,25A |
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高度
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1.00mm |
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引脚数
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24Pin |
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原始制造商
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Texas Instruments Incorporated |
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原产国家
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America |
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认证信息
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RoHS |
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存储温度
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-55℃~+150℃ |
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元件生命周期
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Active |
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供电电压
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3V~28V |
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商品介绍
全套 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 电源解决方案同步降压控制器、3A LDO VQFN24 3~28V
.pdf "高效78L05MG-AB3-R线性稳压器，优质LDO，稳定可靠，值得信赖。")
