高效TPS51116RGER DDR存储器电源,稳定可靠,值得您信赖。

2024-03-26
产品分类

DDR电源

系列

TPS51116

工作温度

-40℃~+85℃

安装类型

SMT

封装/外壳

VQFN24_4X4MM_EP

拓扑结构

降压

输出端数

3

输出电压

0.75V~3V

长x宽/尺寸

4.00 x 4.00mm

工作电流

800μA

输出类型

-

输出电流

3A,25A

高度

1.00mm

引脚数

24Pin

原始制造商

Texas Instruments Incorporated

原产国家

America

认证信息

RoHS

存储温度

-55℃~+150℃

元件生命周期

Active

供电电压

3V~28V

商品介绍

全套 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 电源解决方案同步降压控制器、3A LDO VQFN24 3~28V

高效TPS51116RGER DDR存储器电源,稳定可靠,值得您信赖。 (https://ic.work/) 电子元件 第1张

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