于二月十七之日，德国半导体行业巨头英飞凌公司宣布，将投入巨资二十亿欧元，折合约一百四十四亿元人民币，旨在显著提升其在宽带隙半导体的制造工艺与生产能力。此投资策略旨在巩固并强化英飞凌在功率半导体市场中的领先地位。
根据英飞凌的规划，他们计划在位于马来西亚居林的生产基地增设一座全新的第三厂区。一旦此扩建项目成功落成，并全面投入运营后，预计将显著提升其制造能力，带来每年高达20亿欧元的新增收益，进一步巩固英飞凌在全球半导体领域的领先地位和市场影响力。
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英飞凌位于居林的第三座工厂建设项目预计于本年度六月份正式启动，旨在追求卓越。这座全新的晶片制造厂计划在四年后的夏天竣工，紧接着，首批晶圆产出的时刻则定格于二零二四下半年。这一建设活动将为先进科技的发展注入强劲动力。
根据官方声明，英飞凌公司近期宣布了其战略规划，其中包括对位于奥地利菲拉赫地区的六英寸及八英寸硅基半导体制造设施进行升级改造。此项宏大计划旨在将现有生产线全面升级为专注于生产更为先进的第三代半导体产品，这一举措预计将在未来几年内得以实施与完成。此举不仅体现了英飞凌在技术创新上的持续追求，也为全球半导体行业带来了新的增长点和竞争力提升的机遇。
