元器件失效分析方法

器件一旦坏了，千万不要敬而远之，而应该如获至宝。
开车的人都知道，哪里最能练出驾驶水平？高速公路不行，只有闹市和不良路况才能提高水平。社会的发展就是一个发现问题解决问题的过程，出现问题不可怕，但频繁出现同一类问题是非常可怕的。
失效分析基本概念
定义：对失效电子元器件进行诊断过程。
1、进行失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。
2、失效分析的目的是确定失效模式和失效机理，提出纠正措施，防止这种失效模式和失效机理的重复出现。
3、失效模式是指观察到的失效现象、失效形式，如开路、短路、参数漂移、功能失效等。
4、失效机理是指失效的物理化学过程，如疲劳、腐蚀和过应力等。
失效分析的一般程序
1、收集现场场数据,2、电测并确定失效模式,3、非破坏检查,4、打开封装,5、镜验,6、通电并进行失效定位,7、对失效部位进行物理、化学分析，确定失效机理。
8、综合分析，确定失效原因，提出纠正措施。
1、收集现场数据>
应力类型,试验方法,可能出现的主要失效模式,电应力,静电、过电、噪声,MOS器件的栅击穿、双极型器件的pn结击穿、功率晶体管的二次击穿、CMOS电路的闩锁效应,热应力,高温储存,金属－半导体接触的Al－Si互溶，欧姆接触退化，pn结漏电、Au-Al键合失效,低温应力,低温储存,芯片断裂,低温电应力,低温工作,热载流子注入,高低温应力,高低温循环,芯片断裂、芯片粘接失效,热电应力,高温工作,金属电迁移、欧姆接触退化,机械应力,振动、冲击、加速度,芯片断裂、引线断裂,辐射应力,X射线辐射、中子辐射,电参数变化、软错误、CMOS电路的闩锁效应,气候应力,高湿、盐雾,外引线腐蚀、金属化腐蚀、电参数漂移,2、电测并确定失效模式,电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。
连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试，现场失效多数由静电放电（ESD）和过电应力（EOS）引起。
电参数失效，需进行较复杂的测量，主要表现形式有参数值超出规定范围（超差）和参数不稳定。
确认功能失效，需对元器件输入一个已知的激励信号，测量输出结果。如测得输出状态与预计状态相同，则元器件功能正常，否则为失效,功能测试主要用于集成电路。
三种失效有一定的相关性,即一种失效可能引起其它种类的失效。功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。在缺乏复杂功能测试设备和测试程序的情况下，有可能用简单的连接性测试和参数测试方法进行电测，结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。
3、非破坏检查
名称,应用优势,主要原理,X射线透视技术,以低密度区为背景，观察材料的高密度区的密度异常点,透视X光的被样品局部吸收后成象的异常,反射式扫描声学显微术（C－SAM）,以高密度区为背景，观察材料内部空隙或低密度区,超声波遇空隙受阻反射,X-Ray检测，即为在不破坏芯片情况下，利用X射线透视元器件（多方向及角度可选），检测元器件的封装情况，如气泡、邦定线异常，晶粒尺寸，支架方向等。
适用情境：检查邦定有无异常、封装有无缺陷、确认晶粒尺寸及layout,优势：工期短，直观易分析,劣势：获得信息有限,局限性>
1、相同批次的器件，不同封装生产线的器件内部形状略微不同；,2、内部线路损伤或缺陷很难检查出来，必须通过功能测试及其他试验获得。
案例分析>
X-Ray 探伤----气泡、邦定线,X-Ray 真伪鉴别----空包弹（图中可见，未有晶粒）,“徒有其表”,下面这个才是货真价实的,X-Ray用于产地分析（下图中同品牌同型号的芯片）,X-Ray 用于失效分析（PCB探伤、分析）,（下面这个密密麻麻的圆点就是BGA的锡珠。下图我们可以看出，这个芯片实际上是BGA二次封装的）,4、打开封装
开封方法有机械方法和化学方法两种,按封装材料来分类，微电子器件的封装种类包括玻璃封装(二极管)、金属壳封装、陶瓷封装、塑料封装等。
机械开封,化学开封,5、显微形貌像技术
光学显微镜分析技术,扫描电子显微镜的二次电子像技术,电压效应的失效定位技术,6、半导体主要失效机理分析
电应力（EOD）损伤,静电放电（ESD）损伤,封装失效,引线键合失效,芯片粘接不良,金属半导体接触退化,钠离子沾污失效,氧化层针孔失效