近期，继博世集团后，中国的SiC材料供应商再度赢得国际市场认可，成功渗透至另一家国际领先的SiC器件制造商供应链之中。5月3日，天岳先进、天科合达两大行业领军企业在官方平台上宣布了与全球半导体巨擘英飞凌科技建立合作关系的消息。
此一合作标志着中国SiC材料产业在国际市场上的地位进一步提升，并且展示出其在全球范围内提供高性能SiC器件的能力日益增强。这一事件不仅增强了中国SiC产业链的国际竞争力，同时也加强了与中国企业的深度合作，促进技术创新与应用拓展。
通过此次供货协议的签订，双方旨在共同推动SiC技术的发展，加速其在新能源、电动汽车等领域的大规模商业化进程。这预示着未来全球半导体市场上将有更多来自中国的创新力量和优质资源注入，为国际产业链带来更加多元化、高质量的产品和服务。
按照官方说明，天岳先进与英飞凌的合作涉及提供高性能的碳化硅衬底及晶棒，而天科合达则专注于为英飞凌贡献先进的碳化硅晶圆与晶锭资源。
天岳先进已承诺向英飞凌提供顶级且极具性价比的150毫米碳化硅衬底及晶棒，专注于生产用于制造碳化硅半导体的高品质物料。此项合作首阶段工作将以150毫米碳化硅材料为核心展开。
△Source：天岳先进官微
△Source：天科合达官微
在这次合作中，两家公司贡献出的产能将显著满足英飞凌未来需求量中的重要部分，预计占其长期需求的双位数比例。同时，通过与天岳先进和天科合达携手，英飞凌有望实现生产工艺上的升级，逐步过渡至200毫米直径碳化硅晶圆制造技术。
英飞凌与国内知名供应商天岳先进以及天科合达达成战略合作伙伴关系，此举旨在确保供应链全局的稳定运行，以充分响应中国市场上对于碳化硅半导体组件日益增长的需求。通过这一合作，英飞凌不仅将能够更好地满足汽车、太阳能发电及电动汽车充电设施和储能系统等领域的技术需求，还将加速推动新兴半导体材料行业的整体进步与创新。
在"碳达峰、碳中和"战略的引导及其背景下的国家政策扶持下，中国碳化硅市场已崭露头角，成为了众多半导体企业竞相追逐的新兴领域，这一发展趋势预示着其将作为关键的增长极，推动行业向前发展。
在这一领域中，三安光电、露笑科技、天岳先进、天科合达以及烁科晶体等国内佼佼者，敏锐地把握住了历史机遇的脉搏，纷纷采取了积极的战略行动：建立新厂、扩大产能、募集资金。这些策略不仅为它们带来了营收的显著增长，同时也使得各大厂商能够在市场竞争中占据更有利的地位，收获了大额订单的丰厚回报。这一系列举措展现了他们在碳化硅产业领域的雄厚实力与前瞻视野，预示着未来将有更为璀璨的发展前景。
截至二零二三年四月二十七日，三安光电已成功签订多份覆盖较长时间周期的碳化硅MOSFET采购合同，累积交易规模突破七百亿人民币之巨。与此相呼应，天岳先进在年报中提及，其在上一会计年度内与博世集团达成长期合作框架，正式跻身后者碳化硅晶片供应商体系的一员。
在全球范围内，随着新能源汽车、第五代移动通信技术、太阳能光伏与风力发电、轨道交通系统以及智能电网领域的发展呈现加速态势，对碳化硅材料的需求呈现出爆炸性的增长趋势。这一现象揭示了在科技快速演进和绿色能源转型的双重驱动下，碳化硅作为关键性半导体材料，在推动全球可持续发展进程中的重要角色日益凸显。市场需求的激增，不仅反映了技术创新与环境保护之间日益紧密的联系，同时也预示着碳化硅产业将迎来前所未有的发展机遇，其技术潜力和市场前景值得期待。
根据TrendForce集邦咨询的化合物半导体研究部门深入剖析，得益于Infineon、ON Semi等企业与汽车以及能源产业合作项目的清晰化，预计2023年全球SiC功率器件市场将攀升至22.8亿美元，较前一年度增长41.4%。加之下游应用市场的旺盛需求持续驱动，预计到2026年，SiC功率器件的市场规模有望壮大至53.3亿美元。
