在2023年的4月24日，南京晶升装备股份有限公司实现了其在金融领域的重大突破，成功登陆上海证券交易所的科创板。通过此次募集资金活动，该企业不仅获得了雄厚的资金支持，更昭示了它在科技创新道路上的坚定步伐。
晶升股份将以此为契机，聚焦晶体生长设备的研发与生产领域，特别是在半导体级晶体生长设备这一前沿技术上持续投入。公司规划加快推进半导体级晶体生长设备研发和制造中心项目的实施进度，旨在构建一个集创新、研发、实验于一体的顶级平台，以期达成世界级的半导体生长设备研发实验中心目标。
此次上市不仅为晶升股份带来了新的发展动力和市场机遇，更是其在科技创新领域持续突破的重要里程碑。通过这一金融资本与科技梦想的深度融合，企业有望在未来引领行业前沿，推动科技进步，书写更多可能。
晶升股份将聚焦自主研发与产业化的创新路径，以此作为驱动引擎，加速推动上游供应链的本土化进程，并深化与关键下游企业间的协同合作。此举旨在不断强化其在国际市场中半导体级晶体生长装备领域内的领先地位以及品牌号召力。
作为一家专注于半导体领域精密设备制造的企业，晶升装备致力于研发、生产与销售晶体生长设备。依托先进的设备控制技术、设计工艺以及丰富的长晶工艺经验，该企业成功开发出自主研发的12英寸半导体级别单晶硅炉，并已实现规模化量产及市场销售。
自2015年起，我们与沪硅产业建立了稳固的合作纽带，期间一直紧密协作。作为国内率先实现300毫米半导体级硅片规模化生产并成功国产化的先锋企业——上海新昇，成为了行业内的领头羊。在2018年的关键时刻，我们向其供应的十二英寸半导体级单晶硅生长设备，经过上海新昇的严格检验，最终得以通过验证，这标志着国内首台自主研发的十二英寸半导体级单晶硅炉的成功应用，极大地减少了对外部设备的依赖，并为我国半导体领域自给自足、技术自主可控的目标奠定了坚实的基础。
当前，我们的产品与服务已被广泛采纳和信赖，客户群包括了上海新昇、金瑞泓、神工股份、三安光电、东尼电子、合晶科技以及特定合作伙伴A等。
伴随着以碳化硅为代表的第三代半导体材料的崛起与广泛应用，晶升装备敏锐地洞察市场动向，积极投身于这一领域，并在多年的研发积累下，成功研制出碳化硅单晶炉产品。该设备自2019年起，已成功实现商业化生产及销售，在2020年则进一步深入至下游的碳化硅功率器件应用领域，开始进行验证与实际应用。
紧接着，在2020年的技术研发进程中，晶升装备完成了6英寸半绝缘型碳化硅单晶炉的研发、优化及定型工作，并在同年内向行业领先的天岳先进公司交付了首台产品并进行了全面的性能验证。这一系列的技术突破与市场布局，不仅标志着晶升装备在第三代半导体材料领域的领先地位，也为推动碳化硅产业的发展注入了强劲动力。
业绩方面，2019年-2022年上半年，晶升装备营业收入分别为2,295.03万元、12,233.17万元、19,492.37万元和6,505.58万元，销售规模整体呈增长趋势。值得一提的是，而来自碳化硅单晶炉的营收目前已经成为晶升装备最大的收入来源。
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晶升装备筹划在科创板的首次公开募股，旨在筹集资金总额约4.76亿元人民币。此笔资金将主要用于以下几个精心规划的项目：
一、先进碳化硅衬底生产基地建设项目：该项目旨在深化和扩展晶升装备在碳化硅领域的生产能力与技术实力，通过引入先进的制造工艺和设备，大幅提升产能并增强市场竞争力。
二、研发中心升级与技术创新项目：聚焦于研发力量的强化与创新技术的持续探索，该计划将推动公司在半导体材料、装备制造等关键技术领域取得突破性进展，以满足未来市场对高精度、高性能产品的需求。
三、智能工厂建设项目：通过自动化和智能化改造生产线，提升生产效率和质量控制水平，同时降低人工成本和资源消耗。此项目旨在构建一个集成了现代信息技术与高效制造流程的智慧化生产体系，为晶升装备长远发展提供坚实基础。
四、营销网络建设和品牌国际化战略：为了进一步拓展国内外市场，增强品牌的全球影响力，该项目将加强公司营销渠道的建设，同时探索新的国际市场机遇，确保晶升装备在国际竞争中占据有利地位。
南京晶升装备官方截图
"总部生产与创新中枢建设工程旨在构建一座融汇核心业务运营、管理办公与前沿技术产品研发的全面综合型基地与制造设施。此项目蓝图聚焦于以下几大研发领域："
1. 先进技术研发 - 着力推动尖端科技探索与产品创新，为行业树立新标杆。
2. 集成化解决方案开发 - 专注于打造一体化、高效能的技术与服务组合，满足多样化市场需求。
3. 可持续发展策略研究 - 深入探讨并实践绿色技术、节能减排与环境保护的先进方法。
4. 数字化转型项目 - 探索和实施数字科技在生产流程中的深度融合，增强企业竞争力。
5. 智能产品创新 - 力求创造出具备高智能化特性的新型产品，引领行业发展趋势。
在专精于半导体硅技术领域内，我们致力于对14至28纳米工艺流程中的存储器件用抛光片单晶炉进行创新研发。此项目旨在精心设计并优化热场与生产工艺，以适应特定的NPS晶体生长需求，并同步升级核心控制硬件及策略，旨在显著提升NPS晶体的产出良率，确保技术性能达到行业领先水平。
在致力于6至8英寸的碳化硅单晶炉研发过程中，我们深入探索并优化各项设备性能指标，从设计、制造、安装到调试与维护全方位考量，旨在显著提升操作的便捷性，减少个体差异，并增强工艺的重现能力。这一系列努力的目的在于确保设备能够稳定生成适用于MOSFET应用的大尺寸碳化硅晶锭，从而实现生产效率和产品质量的双重提升。
为提升现有PVT法在温度梯度控制方面的局限性，我们正着力于拓展和优化加热及控制系统，引入了多维技术创新，包括电阻式加热和液相法在内的先进碳化硅晶体生长技术。这一策略旨在实现更卓越、更为精细的单晶炉加热过程调控能力，确保在整个晶体生长过程中温度分布得以精确控制，从而显著提升晶体质量与生长效率。通过这种全面的技术升级与整合，我们致力于为用户提供性能更加优异、稳定性更强的晶体生长解决方案，以满足高端应用领域对高质量碳化硅材料的严苛需求。
晶升装备提出，在项目全效运行后，"总部生产及研发中心建设项目"将有能力每年产出约四百多台各类晶体生长设备；与此相应地，"半导体晶体生长设备总装测试厂区建设项目"则预计能实现年产七百台以上各类晶体生长设备的目标。
