虽然半导体工艺提升越来越困难，但是被誉为天字一号代工厂的台积电，这几年却仿佛打了鸡血，进展神速，让Intel、三星都望尘莫及。
现在，台积电7mm工艺已经大范围普及，几乎成为旗舰乃至主流芯片的标配，率先应用EUV极紫外光刻的第二代7nm+也已经规模量产，并得到了华为麒麟990 5G等的采纳，下一站自然就是5nm，而再往后就是3nm，甚至规划好了2nm。
近日，台积电宣布，将会在2023年推出3nm工艺的增强版，名为“3nm Plus”，首发客户是苹果。台积电没有透露3nm Plus相比于3nm有何变化，但是显然会有更高的晶体管密度、更低的功耗、更高的运行频率。
按照台积电的说法，3nm工艺相比于5nm可带来最多70％的晶体管密度增加，或者最多15％的性能提升，或者最多30％的功耗降低。此外，台积电2nm GAA工艺研发进度提前，目前已经结束了路径探索阶段，但3nm和3nm Plus依然是传统的FinFET(鳍式场效应晶体管)，三星则是提前于3nm导入GAA技术。GAA的制造和传统FinFET有着相似之处，但前者技术要求更高，难度也更大，成本相应提升，虽然各家对于GAA工艺的鳍片形状不同，但本质上基本一样。
