SiC 和 GaN，作为崭新的第三代半导体材料，相较于第二代同类材质，以其显著的性能特质脱颖而出，包括更为宽广的禁带宽度、更高阶别的击穿电场以及更高效的热导率。因此，它们被合称为宽禁带半导体材料，并且因应5G射频组件与高压功率器件的应用领域需求而备受瞩目。
采用SiC基MOS器件相较于传统的Si基IGBT技术，显著优势在于其出色的导通电阻性能，这使得在实际应用中能够实现更为紧凑的尺寸设计，从而有效减小整体体积。同时，SIC MOS的独特特性还赋予了其超卓的开关速度能力，与传统功率器件相比，在功耗方面实现了大幅度的优化和降低。这些技术上的突破共同铸就了新一代高效、高能效的电力电子设备。
于电动车工业之内，电池之重与价值尤为显著，若能通过优化SIC器件以实现能耗的减低、体积的缩小，无疑将为电池布局提供更为灵活与高效的解决方案。于此同时，在高压直流充电桩领域采用SIC技术的应用，不仅能够极大地提升充电效率，缩短充电时间，而且还将带来广泛而深远的社会效益。
根据Cree公司的计算模型，在将纯电动车辆BEV的逆变器中之功率元件替换为SiC后，整体能源消耗能够实现约5%至10%的显著降低。这一转变不仅有效延长了电动车的行驶里程，还可能在一定程度上降低了动力电池的购置成本。通过采用SiC组件，实现了能效的提升与成本优化的双重目标，从而为电动车辆的应用提供了更为经济和高效的技术路径。
当前，SIC 的获取成本较Si高出约四至五倍，预计在未来三到五年内，这一价格将逐渐调整为仅为Si的两倍左右。SIC行业的增长速率直接关联于SIC供应链成熟度的进步。目前阶段，高成本以及SIC器件在参数与质量方面的充分验证尚需时日。
根据英飞凌在2020年举办的功率半导体应用大会上，行业专家揭示了SiC MOSFET的实际商业化进程尚处初级阶段，在汽车领域仅开始进入商用化阶段——以特斯拉Model 3的率先采用SIC MOSFET功率模块为标志。当前，技术指标如短路耐受时间等未能得到充分验证，因此在车载及工业控制等领域内，SiC MOSFET需经过较长的时间来证明其稳定性和寿命等关键性能参数，以获得市场的广泛认可与应用推广。
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SIC产业链的结构清晰而精密，由三个关键环节构成，自上游至下游，各环节紧密相接，共同驱动这一技术领域的繁荣与发展。首端的SIC晶片与外延层提供了基础的材料支持；其后，功率器件的制造过程则构建在这坚实的基础上，从IC设计、制造到封装，每个步骤都需精心策划与实施，以确保最终产品的性能和稳定性。下游则是应用领域，包括工业控制、新能源汽车、光伏及风电等行业，它们将先进的SIC技术融入日常运营之中，推动着各领域的进步。
目前，在上游晶片供应方面，美国的CREE公司与II-VI等企业占据主导地位，其在全球市场中扮演着关键角色。在本土市场上，山东天岳和天科合达这两家国内企业已经崭露头角，成功提供了2英寸至6英寸的单晶衬底，并且实现了营收规模的增长，预计今年都将突破两亿元人民币的业绩。
此外，厦门瀚天天成与东莞天域等企业则在SiC外延片领域展现出强大的生产能力，他们有能力提供从2英寸到6英寸尺寸范围内的产品，进一步丰富了SIC产业链的技术供给。这些企业在SIC产业链中的贡献不仅体现在技术层面，更在于对市场供需平衡的积极促进和产业链整体优化的推动作用。
SiC因其显著优势，在高压、高功率与高频应用领域中展现出极佳性能，尤其适用于追求高效能、节能及降低损耗的场景。因此，在新能源汽车、快速充电桩、以及光伏风电等清洁能源发电系统中，SiC功率器件表现出广阔的应用前景和卓越的发展潜力。
在低频、高压场景下，采用硅基绝缘栅双极晶体管是理想之选；而当面对稍高的频率与较低的电压和功率需求时，硅基金属氧化物半导体场效应晶体管则展现出更优性能。若系统同时面临高频与高压挑战，则选择碳化硅基MOSFET将最为适宜。即便电压水平并不高，但对频率有极高要求的情形下，运用氮化镓技术可实现最佳效能。
通过Cree提供的评估数据，若将传统动力模块替换为SiC元件以升级纯电动车的逆变器系统，理论上可实现整车能效优化，大约能够降低5%-10%的能量损耗。这一改进举措不仅有效增强车辆的续航里程表现，还能在一定程度上减少对高容量电池的需求，进而降低整体电池成本。由此观之，采用SiC组件不仅是提升能源利用效率的关键步骤，同时也能为电动出行方案带来更为经济实惠的解决方案。
对比传统的硅快恢复二极管，碳化硅肖特基二极管在性能指标上展现出显著优势和更卓越的特性。在经历从正向导通状态至反向阻断转变的过程中，其反向恢复电流几乎为零，实现反向恢复时间小于20纳秒的高效能表现，从而使其能够在更高频率条件下运作，并以较高的效率运行。更为关键的是，碳化硅肖特基二极管表现出正值温度系数的特点：随环境温度升高，其电阻亦相应增加。这一特性使得碳化硅肖特基二极管在并联应用中极具优势，极大地提升了系统的安全性和稳定性。
根据IHSMarkit的统计资料，在二零一八年度，碳化硅功率元件市场的规模估约为三亿九千万美元。受到新能源汽车市场需求的巨大推动，同时在光伏、风能与充电站等产业领域对效能与耗电水平提出更严格要求的影响下，
根据深入调研与专家洞察，在不远的未来，即约在2024年左右，SIC MOS技术有望打破IGBT市场格局。到2025年，全球范围内预期该技术的渗透率将达到25%，由此推算，全球市场对SIC MOS组件的需求量将攀升至30亿美元。而从地域细分视角看，在中国市场上，按照同期预计的20%渗透率，到2025年时，这一领域的市场规模有望达到12亿美元。
在2017年的全球市场份额竞争中，科锐、罗姆以及意法半导体三者脱颖而出，居于前列之位；其中，CREE公司采取了战略性举措，从SIC上游材料领域深入拓展至下游的器件制造环节，从而实现了从SIC晶片到成品器件的完整产业链整合与一体化运营。
传统功率器件领域的领军企业，如华润微、捷捷微电以及扬杰科技，已前瞻性地从硅基MOSFET、晶闸管与二极管等传统技术领域转向了更为先进的SiC领域。在IGBT领域，斯达半导和比亚迪半导体等也紧跟步伐，投入资源以研发和生产SIC相关产品。值得注意的是，扬杰科技于2020年上半年在其SIC业务方面实现了约19.28万元的营收。
在非公开市场与组织内部，展现出色表现的实体，通常能够从先前概述的产业链分析中汲取智慧。它们精心构建战略框架，以实现持续优化和创新，从而在竞争激烈的环境中脱颖而出。通过深度整合资源、强化核心竞争力以及灵活应对市场变化，这些未上市公司和单位得以在各自领域内取得显著成就。它们不仅专注于内部流程的高效运行，还致力于探索与合作伙伴之间的协同效应，以此构建稳固且富有弹性的业务生态系统。这一过程涉及到持续的知识积累、技术创新和服务提升，使得它们能够在多元化与复杂性并存的市场中稳健前行，并实现长期可持续发展。
作为专业领域的领航者，我们有能力大规模生产SiC肖特基二极管。我们的产品系列广泛覆盖600V至5A到50A、1200V至5A到50A以及1700V的10A级别，展现了我们在这一技术领域的卓越实力与深厚积淀。
追溯至2015年，泰科天润就已前瞻性的推出了高功率SiC肖特基二极管产品。作为专注于SiC器件研发与生产的公司，我们不仅引领了行业的风向标，更以先驱者的身份，为这一领域树立了高标准和新基准。
我们的能力与承诺，旨在推动技术的前沿发展，持续为客户带来高性能、高能效的产品解决方案。
在国内，存在一家覆盖了碳化硅外延生长、集成电路设计、半导体晶片生产以及封装集成全链条的专业单位。
成立于二零一六年，该企业由汇集了清华大学、浙江大学、剑桥大学等国内外顶尖高校的博士团队共同创立，致力于深耕SIC功率器件领域，并且作为深圳第三代半导体研究院的创始成员之一，已正式推出其先进的1200V SiC MOSFET产品。
公司创立于二千零六年九月十二日，自二千一十七年四月至二千一九年八月期间，在全国性证券交易所的过渡市场实现了公开交易；后续计划于二千二十年七月向科创板发起战略性的冲刺，追求更高端的资本市场地位。
公司收入结构精细划分，包含三大板块：其中，碳化硅晶片部分占据主导地位，贡献比例为48.12%；紧接着是宝石及其他碳化硅产品，其市场占比达到36.65%，展现出其显著的经济价值；最后，碳化硅单晶生长炉作为关键技术支撑，贡献了收入的15.23%。这一结构清晰地揭示了公司多元化的业务布局和核心竞争力所在。
作为专注于技术创新的企业，我们以高纯度的硅粉与碳粉为基材，精心运用物理气相传输法这一高端技术工艺，培育出高质量的碳化硅晶体，并进而加工成精致的碳化硅晶片；同时，我们的公司亦自主研发了先进的碳化硅单晶生长炉设备，不仅满足内部生产需求，也对外提供销售服务。此过程中，我们秉持着追求卓越与自主创新的精神，确保每一步工艺流程均达到行业顶尖水平。
在2018年度的全球竞争格局中，天科合达凭借其在导电型SIC领域的卓越成就，以惊人的1.7%市场份额傲居全球第六位，同时独占鳌头，引领国内导电型碳化硅晶片市场。
自二零一零年成立以来，该企业在碳化硅晶体衬底材料领域精耕细作，专注于研发与制造半绝缘型SiC晶片，引领行业前沿。
公司已成功构筑了全球领先的第三代半导体材料产业化基地，集研发和生产国际一流水平的半导体衬底材料于一体。凭借先进的软硬件设施，已然确立其作为中国第三代半导体衬底材料领域先进先锋的地位。
据悉，在2018年公司收获了约一亿一千万元的收入后，至2019年度总收入跃升超过两亿五千万，其中近一半份额归功于SIC衍生产品如宝石等。这标志着公司业绩实现了惊人的百分之一百以上的同比增长率。
值得一提的是，公司的SIC片业务主要聚焦于半绝缘领域，而天科合达则专注于导电型产品的研发与生产。
华为的附属企业哈勃科技持有山东天岳股份的比例约为百分之八点一七。
山东天岳的生产实力以长晶炉的数量为核心指标，在2019年，其生产线上的长晶炉总数约为250台，同期实现了大约2.5万片衬底的销售。公司正计划于年底前追加一批长晶炉设备，旨在将长晶炉的总数量提升至550台或以上。
在过去的两年中，即2018和2019年，公司的衬底平均市场定价大致位于6300元/片与8900元/片之间；展望未来，我们预期今年的平均销售价格将有望超越9000元大关。这一价格动态的变化主要归因于以下两点：一方面，相较于较低价的产品，2.3英寸的小尺寸衬底及N型等性价比略低的衬底占比正在逐渐减少；另一方面，高纯度半绝缘的4寸产品因其高品质特性而占比提升，从而带动了整体平均单价的上扬。
山东天岳的碳化硅技术根基深植于山东大学晶体国家重点实验室之先驱研究之上，于二零一一年通过购得蒋明华院士的专利，并在此后投入巨大研发资源，历时多年精心工艺积累，实现了将碳化硅衬底从学术领域跃升至产业实践的里程碑式突破。山东天岳不仅凝聚着一支规模达三十人的自主研发团队，更在海外设下六个联合研发中心，旨在全球视野下深化技术探索与创新。
公司目前已累积专利近三百项，其中包含约五十项先进的发明专利以及大约两百二十项实用型专利，并且还有约五十项正在申请的发明专利。这一系列成就不仅展现出山东天岳在碳化硅领域内的深厚积累和技术创新实力，更预示着其未来发展的无限潜力与前瞻视野。
作为专注于功率半导体领域的精粹企业，其在已上市公司的行列中脱颖而出，专精于IGBT标的。根据数据显示，在2019年度内，该企业的总收入达到了7.8亿人民币，同比增长率为15.4%；同时，归母净利润录得1.35亿人民币，实现了39.8%的增长率。在此期间，其IGBT模块在全球市场中的占有率达到了惊人的2%，稳固地占据了全球第八位的席次。
公司致力于SiC领域的产品研发与技术创新，正以紧密有序的步伐推进这一领域的工作。
作为技术领导者，我们致力于推进三项核心的创新项目：全系列 FS-Trench型IGBT芯片的研发、新一代IGBT芯片的先进设计与生产，以及SiC和GaN等前沿功率半导体产品的规模化制造与商业化推广。秉持科技至上的原则，我们不断优化和扩展功率半导体领域的布局，并在持续推广传统IGBT模块的同时，凭借精湛的专业技术，积极开拓宽禁带半导体领域，如SiC模块及GaN模块。我们的目标是丰富产品线、增强市场竞争力，并稳固行业龙头地位。
于二零二零年六月五日，宇通客车——汽车行业内的领航企业，揭示了其先进研发团队正采用斯达半导体与CREE联袂打造的1200V SiC功率模块，旨在开发全球顶级高能效电机控制方案。此举汇集多方力量，共促SiC逆变器在新能源大巴领域的商业化实践与普及。
斯达电气及CREE在SiC领域的探索与创新之举，恰好契合了宇通电机控制器高端化战略的愿景，并且充分展现了宇通公司秉持的“追求更便捷出行”的发展哲学。我们坚信，三方携手在SiC技术领域内的合作必将结出丰硕成果。
在先前发布的深度分析报告里，我们依据不同的SIC渗透率与市场占有率场景，对斯达半导体于二零二五年的营收潜力进行了细致测算。假定以中立视角审视，则预计至二零二五年时，斯达在国内的SiC器件市场份额有望达到六到八个百分点。
以砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石为代表的半导体新材料，其核心业务聚焦于外延片与芯片的生产。这些高性能材料广泛应用于现代科技的诸多领域，包括但不限于照明技术、显示设备、背光应用、农业创新、医疗科技、微波射频通信、激光通讯、光电转换、功率器件制造、光通讯系统以及感应传感技术等前沿研究与实际应用中。
我们的射频业务产品广泛应用于现代通信技术的前沿领域，包括从2G至5G的手持设备、无线网络连接、物联网终端、路由器以及通讯基站的关键部件——射频信号放大器，乃至卫星通信系统，已成功与全球超过90家行业领导者建立合作关系。这些合作伙伴遍布国内外，共同推动着技术创新的边界。
在氮化镓射频领域，我们已经收获了一批重量级客户，并实现了规模化生产。当前，产能正以稳健的步伐提升，持续满足市场对高性能、高效率解决方案的需求，确保技术进步与应用普及同步进行。
于二零二零年六月十八日之官方声明中提及，三安光电决定携手长沙高新技术产业开发区管理委员会，共同建立子公司。此子公司将专注于投资建设涵盖但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及规模化生产项目，其产业链覆盖长晶、衬底制作、外延生长、芯片制备与封装等关键环节。总投资规模定为一百六十亿元人民币。在所有用地及相关事务手续完备之后，预计于二十四个月内完成首期项目建设并投入运营；继而，在四十八个月后，则将实现第二期项目建设及固定资产投资，并顺利投产；最终目标是在七十二个月内达成全面的生产效能。
三安集成的解决方案与产品在业界赢得了广泛赞誉，并且清晰地展现出其在第三代材料如SiC及GaN功率半导体领域的前瞻性布局，预示着未来巨大的发展潜力和市场空间。
作为专注于功率半导体、智能传感器和智能控制领域的专家团队，我们致力于探索并推动技术边界，提供卓越的解决方案和服务。我们的使命是引领行业创新，助力客户实现高效能与智能化转型，共同构建可持续发展的未来。在这一领域内，我们不断追求技术创新，确保产品与服务始终处于全球领先地位，以满足日益增长的市场和技术需求。
在2019年的财务周期内，该企业总收入达到57亿元人民币的骄人成就。具体而言，其中43.8%的收入源自于精心设计的产品与解决方案板块，而剩余部分则由占比高达55%的制造与服务领域贡献，此版块主要聚焦在晶圆制造和封装测试的核心业务上。
在产品与方案主体中，功率半导体是核心关注点，其在整个板块内占据90%的主导地位。这一系列产品的范围广泛且专业，涵盖了MOSFET、IGBT、SBD以及FRD，这些都是现代电子设备不可或缺的关键组件。
当前，本公司掌握着每年约达二百万四千七百片六英寸晶圆与一百三十三万片八英寸晶圆的生产能级，此配置使我们能够向客户全面提供大规模生产能力，确保满足多样化的产能需求。
按照公司的年度报告阐述，在2019年的财务分析中，功率分立器件贡献了总营收的75%，而功率半导体芯片则占到了23%的比例。这些产品主要应用于电能的变换与控制领域，其功能核心在于有效地管理能源流通过程中的各种动态需求。除此之外，公司还涉足二极管业务，以进一步完善在电力传输环节的服务。同时，防护器件系列也占据了一席之地，它们的主要职责是为电子产品内部的精密电子电路提供保护，抵御诸如浪涌冲击和静电等外界因素对其可能造成的损害。
在二零二零年二月二十七日，本公司与中芯集成电路制造有限公司即“SMEC”签署了《功率器件战略合作协议》，旨在深入合作于MOSFET、IGBT等高端功率器件的研发与生产领域。此公告指出，捷捷微电承诺将SMEC确立为战略合作伙伴，并全力确保其产能的充分利用；计划年度总投片量不少于八万片，月度投片规模不低于七千片/月。
作为专注于开发与应用高精度电子元器件的专业团队，我们长时间致力于晶闸管与二极管等独立组件的研究及销售。这些组件与MOSFET、IGBT等高级功率设备在市场需求和客户群上存在着显著的交集。
我们的产品阵容包括高性能二极管、整流桥、大功率模块以及小信号二极管和三极管，此外还有MOSFET，并特选配备部分IGBT产品；根据年度报告数据，2019年的功率离散器件销售额占据了80%的比例，功率半导体晶片业务则占总营收的13.8%，而半导体硅片分部则贡献了4.55%。
我们已显著扩大了专注于8英寸MOS产品的专属研发团队规模，并成功推出了涵盖Trench MOSFET和SGT MOS系列的全面产品线，实现了稳定的批量销售。
根据公司的官方声明于二零二零年九月发布的最新信息显示，当前的核心业务领域聚焦于硅基功率半导体器件的开发与销售。截至二零二零年上半年度，即一月至六月期间，公司所获得的碳化硅相关产品的销售收入累计达到二十万两千八百元整。
我们认为，在功率器件领域中占据一席之地的公司，尤其是如捷捷微电这样的企业，专精于中低端市场，并在该领域内扮演着龙头角色。尽管当前SIC产品的市场份额相对较小，这主要源于国内产业链发展拐点的尚未充分显现；我们预期未来公司将主动拓展与布局涵盖多种基于SIC材料的功率器件产品线，以期通过提升其性能标准及优化市场策略，实现业务规模稳步增长。此举将有望为公司开启新的成长天花板，并激发更多潜在的应用场景和市场需求。
该企业专注于技术创新与绿色发展，是一家集节能电机、高性能电磁线、高效能涡轮增压器、以及高品质蓝宝石长晶片的研发、制造及市场推广于一体的行业领导者。其主营产品包括但不限于各类铜铝芯电磁线、超细级别电磁线、适用于小家电的节能电机、先进的无刷电机、精密数控电机、动力强劲的涡轮增压器，以及用于高科技领域的蓝宝石长晶设备。
凭借笑露科技对蓝宝石技术的深厚积累，并历经多年不懈研发，我们迅速攻克了碳化硅工艺的核心障碍。在现有蓝宝石生产基础上，我们前瞻性布局了碳化硅长晶炉和晶片制造生产线。尽管碳化硅与蓝宝石在设备、工艺及衬底加工环节存在明显的关联性，如温场调控的精确度、压力控制的精准性、籽晶生长方向的精确把握以及基片处理的技术门槛等，但通过整合双方优势，我们已建立起一套高效协同的工作体系。
公司吸纳了资深的碳化硅领域技术专家团队，旨在深入探究碳化硅晶片与外延工艺，并战略性地布局碳化硅产业版图。2020年4月，该公司宣布一项非公开融资计划，目标募集金额不超过十亿人民币，此资金将专项用于构建碳化硅晶片规模化生产线、筹建碳化硅技术研发中心以及清偿现有银行贷款。
在二零二零年八月八日，合肥市长丰县人民政府与露笑科技股份有限公司携手，在合肥市的官方平台之上，正式签署了《合肥市长丰县与露笑科技股份有限公司共建第三代功率半导体产业园的战略合作框架协议》。
该协议旨在推进包括但不限于第三代半导体如碳化硅的研发与规模化产业进程。具体而言，计划涵盖从碳化硅晶体生长、衬底加工制造到外延生长等核心研发生产环节的全面布局。此项目预计总投资额高达一百亿元人民币，将有力推动中国在高端半导体材料及技术领域的创新与发展。
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