超级结结构的600V N沟道功率MOSFET助力提高电源效率

2023-06-17

ASEMI代理英飞凌IPB60R950C6是功率晶体管吗?

是的,IPB60R950C6是一款高性能的功率晶体管,它采用了最新的MOSFET技术,具有低导通电阻、高开关速度和低开关损耗等优点,适用于高效率的开关电源和逆变器等应用。本文将从其特点、应用、参数和优势四个方面进行详细阐述。

1、特点
IPB60R950C6具有低导通电阻、高开关速度、低戚和输入电容等特点,适用于高频率开关电源和DC-DC转换器等领域。

2、应用
IPB60R950C6广泛应用于电源管理、电动工具、LED照明、电动汽车等领域,可提高系统效率和可靠性。

3、参数
IPB60R950C6的参数包括最大漏极电压、最大漏极电流、最大功率、开关时间等,详细参数可参考数据手册。

4、优势
IPB60R950C6具有低导通电阻、高开关速度、低输入电容等优势,可提高系统效率和可靠性,同时还具有较高的温度稳定纯仔陆性和抗辐照性能。

IPB60R950C6采用了TO-263-3封装,具有良好的散热性能和可靠性。它还具有过温保护和静电放电保护等功能,可以保护电路免受损坏。

总之,IPB60R950C6是一款性能优异、可靠性做顷高的N沟道MOSFET晶体管,适用于各种高效率的开关电源和逆变器等应用。

我想选择一个N沟道增强型MOSFET,一般通过的电流也就几十毫安,最大能承受几百毫安的就行

不知道你D端电压需要多少。推荐使用st2306。贴片封装的。 3.3V 能正常工作,最大电流能够达到2A,耐压30V

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