/ 前言 / 功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精 ...
来源:54攻城狮 大电流 Si IGBT 和小电流 SiC MOSFET 两者并联形成的混合器件实现了功率器件性能和成本的折衷。 但是S ...
三菱电机开发了工业应用的NX封装全SiC功率模块,采用低损耗SiC芯片和优化的内部结构,与现有的Si-IGBT模块相比,显著降低了 ...
在前面的章节中我们从0开始编写了一个mcp2515的驱动程序,而跟I2C设备类似,在Linux内核中也有着通用SPI设备驱动,在本章节 ...
以下文章来源于泰丰瑞电子,作者Fiona 一种新型RDL PoP扇出晶圆级封装工艺芯片到晶圆键合技术 扇出型晶 ...
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