在Si-IGBT的DIPIPM基础上,三菱电机开发了超小型全SiC DIPIPM,保持相同的封装及管脚配置。本文带你一览超小型全SiC DIPIPM ...
东方古镇的打铁花,拉斯维加斯的烟花秀,盛大的花火表演总会在岁末年初的时候,吸引世界各地人们的目光。一年一度的科技展会 ...
Part 01 前言 之前的文章中(硬件工程师面试常考的一道题,讲讲运算放大器的增益带宽积),我们讲解了增益带宽 ...
Part 01 前言 MOSFET米勒效应是指在MOSFET的开关过程中,由于栅极-漏极之间的电容Cgd的存在,漏极电压的变化会 ...
本文主要讨论了影响现代 LDO 稳压器总启动时间的因素,提出了计算开通斜坡时间的数学基础,还介绍了浪涌电流计算、分析及最 ...
先进封装是“超越摩尔”(More than Moore)时代的一大技术亮点。当芯片在每个工艺节点上的微缩越来越困难、也越来越昂贵之际, ...
12.2.2 编译程序 执行如下命令编译: 左右滑动查看完整内容 $ source /opt/remi-sdk/environment-setup ...
( 文/章鹰)1月6日,美国当地时间周一,在美国拉斯维加斯举办的CES(消费电子)展上,英特尔发布了最新AI PC芯片产品,包括 ...
随着汽车行业向电动汽车(EV)转型,设计工程师在开发底层电气架构时面临诸多挑战。例如,800V 牵引电机逆变器中的大电容负载 ...
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