在二零二二年，碳化硅领域呈现出一片繁荣景象。
在国际舞台上，Wolfspeed引领潮流，已率先建立全球首个专注于8英寸SiC晶圆生产的先进工厂。与此同时，II-VI正式更名Coherent，其1200V SiC MOSFET产品成功通过车规认证，标志着公司在高性能半导体领域的技术突破与实力增强。
ASM已完成对LPE的战略收购，此举旨在强化其在SiC外延设备市场中的地位和竞争力。意法半导体与Soitec的合作协议则聚焦于SiC晶圆制造技术的创新与发展，双方携手共进，致力于推动业界前沿科技的进步与应用。
这些动作展现了各行业巨头在SiC领域不断探索与拓展的决心，共同塑造着未来电气化、高能效时代的基石。
在本土领域内，企业创新之举频现，技术进展与实际应用硕果累累，项目活动如火如荼地开展着，整个市场的氛围展现出一片生机勃勃的景象。
Source：拍信网
2018年，SiC功率器件成功应用于特斯拉旗下的标志性产品Model 3，此举不仅加深了SiC与汽车产业的紧密关联，还开启了这一技术的商业化进程，从而推动其在行业中的快速发展和普及。
截止到二零二二年，不仅全球范围内的主要企业持续推动着碳化硅领域的技术创新与应用拓展，中国的本土碳化硅企业也在此期间实现了全面的技术进步和应用突破。这些成就标志着中国在碳化硅这一关键材料及技术领域已跻身国际前列，与全球顶尖企业并驾齐驱，在研发、生产乃至市场应用上取得了显著的成果。
随着晶圆尺寸的扩展与优化，其呈现的面积显著增加，有效降低了边缘的损耗，并且在单位时间内能够产出更为丰富的衬底和外延材料。这一优势直接推动了芯片产能的提升，同时使得单个芯片的成本大幅降低。目前，市场中仍以6英寸晶圆为主流，但不约而同地认识到8英寸晶圆的升级潜力。
在过去的一年里，国内多个企业坚定地在8英寸晶圆技术领域取得突破，展现出对这一技术升级趋势的积极响应与推动。这场技术创新的浪潮不仅为行业带来了新的增长动力，更为未来集成电路的发展奠定了坚实的基础。
在二零二一年八月，先进的烁科晶体项目实现了里程碑式的成就，成功研发出了八英寸的碳化硅晶体。紧接着，于次年的首月一月，这一科技创新企业再接再厉，宣布了其在该领域内的又一突破——实现了八英寸N型碳化硅抛光片的小批量生产。
于二零二二年八月中旬，晶盛机电荣耀地宣告其首发的八英寸N型SiC晶体已圆满问世。
在二零二二年十一月，天科合达组织了以“八英寸导电级碳化硅基板”为主题的新品发布会，并于现场宣布了公司预计于次年即二零二三年启动这一先进材料的小型规模化生产。
科友半导体在二零二二年末，宣告了其自主研发与生产的电阻式生长设备，成功产出直径跨越八英寸的大尺寸碳化硅单晶，所生成的晶体表面平滑且纯净，未见任何瑕疵，其中最大的个体宽度超越了二百零四毫米的显著成就。
在2022年，一系列杰出的科技企业如清纯半导体、超芯星以及爱仕特相继宣布其研发的碳化硅产品通过了严格的车规级认证流程。这一成就标志着他们在汽车电子领域迈出了重要的一步。同时，基本半导体与国内领先的新能源汽车制造商广汽埃安达成了深度的战略合作伙伴关系，不仅签署了《战略合作协议》，还确立了长期采购合作框架。这表明国产汽车品牌和本土的半导体厂商在强化合作、促进技术交流方面展现出前所未有的默契和活力，预示着双方将携手推动技术创新和产业发展的新高度。
在近期，碳化硅行业的显著进展中，三安光电于二零二二年十一月，通过其全资子公司湖南三安与特定需求方达成战略性的采购意向协议。协议明确指出，自二零二四年起至二零二七年止，需求方承诺每年向湖南三安采购碳化硅芯片，预计此合作协议的总金额将达到人民币三百八亿元，这标志着在碳化硅领域中的一大里程碑事件。
在2022年三月，天岳先进荣获了中电55所的一份价值达18,000万人民币的4英寸高纯半绝缘SiC衬底订单。步入7月，这一创新企业再度宣布与合作伙伴签订了为期三年、聚焦于6英寸导电型碳化硅衬底产品的销售协议，预计在未来的三年内总销售额将累计达到139,300万元人民币。
露笑科技与东莞天域就为期三年的交易达成了共识，双方将携手共进，合同期内共同完成总计十五万片六英寸导电型碳化硅衬底片的流通与交付。
超芯星的六英寸碳化硅衬底产品已成功跻身全球顶尖器件制造商之列，标志着国产技术在国际市场竞争中崭露头角，并赢得了高度认可。
基本半导体与广汽埃安的战略合作伙伴关系正式建立，双方不仅签署了长期采购合作协议，更为国产碳化硅产业的发展注入了强大的动力和活力，加速了其在全球市场的产业化进程。
根据化合物半导体市场的全面分析，在二零二二年度内，记录在案的新立项及签约的碳化硅项目数量已突破二十大计。
在资本投入高企的碳化硅行业中，于2022年度，涌现了多番备受瞩目的新设与签约项目，这些举措旨在加速推进技术创新及产能扩张。这一系列动作充分展现了行业内外对于碳化硅材料及其应用前景的坚定信心与积极布局。
Source：化合物半导体市场
在2022年的产业蓝图中，涉及碳化硅链路的关键项目，其所聚焦的范围横跨了外延生长、衬底制作、材料合成、核心设备研发、功率器件制造以及最终的应用终端。这充分彰显出，在碳化硅技术领域，中国的产业链整合已步入成熟阶段，构建了一个从基础研究到应用实践的全面体系。
在我们的项目投资组合之中，我们精心策划并实施了多项战略举措，总投资规模已成功超越476亿大关。其中，特别值得一提的是六项投资额超过50亿的重点项目：包括同芯积体公司第三代半导体产业园区的开拓性建设、德融科技先进化合物半导体材料及元器件的研发与生产、晶盛机电专注于碳化硅衬底芯片的高效制造、中弘晶能年产3GW光伏电池片与组件成品及半导体项目的全面启动、超芯星在第三代半导体碳化硅衬底关键技术领域的研发与产业化的创新探索，以及辰隆集团在第三代半导体碳化硅全链条项目上的宏伟规划。这些精选的项目不仅体现了我们对技术创新的承诺，也展示了我们在推动行业进步和发展中的领导力和影响力。
Source：拍信网
已启动的项目正逐步迈向新的里程碑，展现出更加辉煌的前景与成就。
正在进行的工程不仅在物理层面实现了壮大与完善，在精神层面上也激发了创新与进步的热情。
扩展与提升并行不悖，使原有框架焕发新生，注入了更多活力与可能性。
总投资额为十六亿巨资的湖南三安第三代半导体项目，在二零二一年六月已启动一期工程，并于当年完成试产阶段。至二零二二年十月，一期项目的月产能已攀升至两万片之谱。当项目全面竣工后，预计年度产出价值将高达一百二十亿元。目前，二期工程已于同年七月动工并已顺利投入运营。
在二零二二年八月，湖南三安与理想汽车携手在苏州开启了SiC功率半导体的研发及生产基地建设项目。此项目专精于第三代半导体——碳化硅车用功率模组的自主创新研发与制造，旨在构建汽车专用功率模组的设计与生产自给自足能力。预期于二零二三年上半年开始进行样品试制，并计划于次年正式投入生产，目标最终实现每年产出二百四十万只碳化硅半桥功率模组。
芯粤能的碳化硅芯片项目总投资规模达到了75亿人民币，此重大项目在2022年11月顺利举行了全面启用洁净室的重要仪式，并预计将于2023年的5月底实现正式投产的目标。该生产线建成后，将具备每年制造24万片6英寸与24万片8英寸碳化硅晶圆芯片的生产能力。这一项目不仅是中国境内首个专门针对车规级应用、集规模化产业聚集及全产业链配套为一体的碳化硅芯片制造典范，更标志着国内在此领域迈入了技术与创新的新阶段。
在2022年的年末，中国第三代半导体领域的产学研一体化区建设取得了重大进展，科友第三代半导体产学研聚集区项目一期在8月成功启用；金芯半导体紧跟步伐，在9月实现了年产3万片6英寸碳化硅单晶衬底的投产目标。紧接着，10月27日，利普思车规级SiC模块自动化封装测试生产线也正式投入运营。此外，重投天科半导体第三代半导体产业园项目在同年的11月完成了厂房封顶工程。这些里程碑事件标志着国产碳化硅产业正步入加速发展阶段，展现出前所未有的活力与创新力。
虽然在技术积累与市场占有率层面，中国的碳化硅产业相较于国际领先的巨头存在显著的差距，然而其在中国市场的崛起却充分体现了机遇、地域优势以及本土智慧的完美融合。
依据TrendForce集邦咨询的深入分析与预估，在2022年，碳化硅和氮化镓功率半导体市场的规模有望飞跃至184,000万美元的大关；预计这一市场将迅猛发展，于2025年达到惊人的529,000万美元。这标志着产业的蓬勃发展态势，“天时”已显现无疑。
根据TrendForce集邦咨询的深入分析与预测，在全球半导体行业版图中，汽车领域正成为SiC功率元件增长的核心驱动力。预计至2022年，该市场在车载应用中的规模将攀升至10.7亿美元，而这一数字到2026年有望激增至39.4亿美元，展现出强劲的增长势能。
同时，SiC工业市场的扩张同样不容忽视，其重点应用领域主要集中在光伏逆变器和UPS等关键系统上。随着技术的不断演进与市场需求的持续增长，这些领域的SiC元件需求预计将迎来显著提升。
中国作为新能源汽车及光伏产业的领头羊，在此领域具有得天独厚的优势，“地利”之势明显。凭借其在产业链上下游的强大整合能力以及对科技创新的支持力度，该国在推动SiC功率元件技术发展与应用普及方面扮演着不可或缺的角色。
在当前全球技术环境的复杂背景下，《瓦森纳协定》对第三代半导体的严格管制与封锁，并未遏制住国内市场的强烈需求。这一领域内，“国产替代”的呼声日益高涨，也直接激发了国家层面的战略性支持，出台了一系列政策以促进SiC行业的发展与技术创新。这种局面正是“人和”之象，不仅体现在政府决策层面对民族产业的坚定信心，还蕴含着市场与社会对自主可控、技术自立的高度期待。
在当前全球范围内激烈角逐SiC技术的浪潮中，中国正以迅猛之势构筑其产业链的核心竞争力，逐步实现关键环节的技术整合与优化。这标志着，在这场科技竞赛中，中国的产业布局已悄然成熟，蓄势待发，不仅为国家的战略发展注入了强大的动力，更在全球舞台上彰显出独特的战略地位。
SiC作为新一代半导体材料的代表，其卓越性能在能源、交通和信息等领域展现出前所未有的应用潜力。而中国通过整合资源、培育创新生态与深化国际合作，已成功建立起涵盖上游原材料、中游制造以及下游应用的完整产业链条。这一布局不仅推动了技术的自主研发与突破，同时也加速了SiC产品的市场化进程。
面对这片充满机遇与挑战的广阔市场，中国坚定地将SiC视为未来发展的关键领域之一，并通过持续的技术投入和政策支持，确保在这一领域的全球竞争中占据先机。随着产业链的不断优化和完善，中国不仅有望在全球范围内分得SiC技术应用的一块重要份额，还将在推动全球半导体产业进步的同时，实现自身科技创新与产业升级的战略目标。
总之，在这场科技与工业的激烈角逐中，中国的产业链布局以其独特的优势和坚定的步伐，正向着SiC领域的中心位置迈进，无疑将成为这一领域不可忽视的重要力量。
