SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产
SK海做塌昌力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产
SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产，SK 海力士 238 层 NAND 闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产。
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据国外媒体报道，周二，韩国芯片制造商SK海力士宣布，它纯扒已开发出238层NAND闪存芯片。
该公司表示，这款芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度与上一代芯片相比提升50%，读取数据消耗的能量降低21%，将用于PC存储设备、智能手机和服务器，计划在2023年上半年开始批量生产。
去年12月30日，SK海力士宣布完成收购英特尔NAND闪存及SSD业务的第一阶段。在第一阶段的交易中，英特尔向SK海力士出售SSD业务（包括转让NAND SSD相关的知识产权及员工）和大连的NAND闪存制造工厂，SK海力士则向英特尔支付70亿美元。
这笔收购交易的第二阶段预计将在2025年3月及之后进行，届时SK海力士将向英特尔支付余下的20亿美元。据悉，英特尔出售给SK海力士的相关资产交由后者新设立的子公司Solidigm管理。
由于全球经济的不确定性正在抑制消费者对电子产品的购买力，SK海力士在7月下旬宣布，将无限期推迟投资33亿美元新衫颂建存储芯片工厂的扩张计划。
据悉，SK海力士决定推迟扩建的工厂是该公司此前决定在清州园区建设的M17存储芯片工厂，该工厂原本计划于2023年晚些时候开工建设，预计最早于2025年完工。
外媒报道称，该公司之所以决定推迟扩建计划，可能是由于成本上升以及市场对芯片的需求放缓等问题。
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SK 海力士官宣全球首发 238 层 512Gb TLC 4D NAND 闪存，将于明年上半年投入量产。现在，SK 海力士官方发文对其最新技术进行了介绍。
据介绍，SK 海力士 238 层 NAND 闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。
SK 海力士在 2018 年研发的 96 层 NAND 闪存就超越了传统的 3D 方式，并导入了 4D 方式。为成功研发 4D 架构的芯片，公司采用了电荷捕获型技术 (CTF，Charge Trap Flash) 和 PUC (Peri. Under Cell) 技术。相比 3D 方式，4D 架构具有单元面积更小，生产效率更高的优点。
官方称，新产品每单位面积具备更高的密度，借其更小的面积能够在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片，因此相比 176 层 NAND 闪存其生产效率也提高了 34%。
此外，238 层 NAND 闪存的数据传输速度为 2.4Gbps，相比前一代产品提高了 50%，芯片读取数据时的能源消耗也减少了 21%。
SK 海力士计划先为 cSSD 供应 238 层 NAND 闪存，随后将其导入范围逐渐延伸至智能手机和高容量的服务器 SSD 等。SK 海力士还将于明年发布 1Tb 密度的全新 238 层 NAND 闪存产品。
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7月26日，美国美光科技表示将开始出货其最先进的NAND闪存芯片，也是首家正式宣布将NAND芯片扩展到超过200层的企业；本周三，韩国的SK海力士也宣布开发出一款超过200层的闪存芯片。
美光的闪存芯片由232层存储单元组成，数据传输速度将比其上一代176层的芯片快50%，且封装尺寸比前几代产品还要小28%。该芯片将主要瞄准人工智能和机器学习等以数据为中心的领域，满足其低延迟和高吞吐量的需求。
韩国SK海力士公司今日也宣布，开发出超200层的.NAND闪存芯片。该款芯片由238层存储单元组成，比美光的最新芯片还要多装6层。
据SK海力士称，238层芯片是其尺寸最小的NAND闪存芯片，数据传输速度和功率比上一代提高了50%，读取数据消耗的能量也减少了21%。
SK海力士这款最新芯片将在2023年上半年开始量产；而美光则表示将于2022年底开始量产232层NAND。
层数越高越好
NAND闪存几乎应用与所有主要的电子终端之中，智能手机、电脑、USB驱动器等都有它的存在。闪存受不受市场欢迎的两个重要因素，一是成本，二就是存储密度。
而自2013年三星设计出垂直堆叠单元技术后，芯片的层数比拼一直是各大NAND闪存芯片厂商竞争的重点。
与CPU和GPU仍在竞争增大晶体管密度、用更精细的技术大幅提高芯片性能不同，在NAND市场，目前，想要大幅提高存储密度，增加层数就是关键。因此，NAND闪存从最初的24层一路上升，发展到现在的200多层。
不过也有专家表示，在闪存芯片领域，各个厂家都有各自的技术架构和演进路线图，并不完全一致，各家都有各家的技术工艺特色。在低层级的时候，3D堆叠确实能够显著提升闪存的性能，但是随着层数的增加，性能提升也会遭遇瓶颈，需要在技术、成本和性能之间寻找一个平衡。总体而言，层数的领先并不能代表闪存技术上的绝对领先，还是综合成本和性能来看。
美光232层NAND使用了与三星第七代闪存相似的“双堆栈”技术。将232层分为两部分，每部分116层，从一个深窄的孔开始堆叠。通过导体和绝缘体的交替层蚀刻，用材料填充孔，并加工形成比特存储部分，从而制造出成品芯片。
而蚀刻和填充穿过所有堆叠层的孔，就成为了NAND闪存层数增加的技术关卡。
200层的野心
目前，大多数的闪存芯片仍在生产100+层数的芯片，但众多生产企业对200层的生产工艺都是跃跃欲试。
早在2019年，SK海力士就做出过大胆假设，在2025年推出500层堆叠产品，并在2032年实现800层以上。
今年稍早，美国西部数据与合作伙伴日本铠侠称，将很快推出超过200层的BiCS+内存芯片，预定在2024年正式面世。
参与层数竞争的三星电子也被曝将在今年底推出200层以上的第八代NAND闪存，业界猜测可达224层，传输速度和生产效率将提高30%。
现在全球的闪存格局，三星电子虽是技术的奠基者并在过去一直领导市场发展，但在200层以上的竞争上，略落后于美光与SK海力士。这两家公司入局虽晚，但技术演进势头很猛，在技术上可能保持领先优势。
而未来，据欧洲知名半导体研究机构IMEC认为，1000层的NAND闪存也不是很远，或在10年内就会出现。层数之争依旧是NAND闪存的主旋律，就看能否有人弯道超车了。
mp4系统问题
从你说的情况来看，是固件没能刷新完整造成的，只要重新刷新固件就可以的了。
以下是C430系列刷机成砖的重刷方法：
首先声明下，这些方法都是在XP下进行的，其他OS不保证能够正常。
C430系列刷机成砖的重刷方法（适用于SC8600、T7200、HD986、以及它们的马甲的方案）首先，提醒大家，看完本教程后，你也许也会爱上刷固件的快感。。。。
经过互刷测试430t，
刷6000HDV、H200HD、H100HD的固件：可以开机，按键位置混乱、缺少确定键，无法正常使用。
刷700HDH、8000HDA的固件：卡死在开机LOGO。无法连接USB，也无法通过正常方法刷回来。
刷C500、C430、VX575HD、麦迪958的固件：画面变小，花屏，但是能连接USB，可用正常的方法刷回来。
刷8000HDV：刷不进去，不同主控看来改动较大。
以上互刷实验，不建议大家去尝试，只是觉得无聊就玩玩而已。
针对机器刷死的问题。现提供以下几种方案进行解决。
首先声明下，这些方法都是在XP下进行的，其他OS不保证能够正常。
方法一：这个方法也是售后提供给我们的。在FLASH内有正常固件或者说也许是固件的boot正确的情况下应该是有用的。
①运行量产工具，或者单机版的刷机工具，按照操作说明，选择好固件文件，单机版的点击系统升级，出现未发现设备后不要点确定。
接下来先对播放器进行复位（长按开机键7秒），然后按住除开机键外任意按键（比如后退键），不要松开。
插上USB后，迅速反复短按开机键，看看能否连接上USB，如果成功，会出现引导提示。这个可能需要多尝试几次。这个过程中，除去开机键的另外那个按键不能松开。
②运行量产工具，量产工具的使用方法请参照该工具文件夹下的帮助文档“PhoenixproCN.pdf”
选好固件，选好key，然后点击启动，出现绿色勾的时候即可。接下来先对播放器进行复位，然后按住除开机键外任意按键，不要松开。
插上USB后，迅速反复短按开机键，看看能否连接上USB，如果成功，会出现引导提示。这个可能需要多尝试几次。如果引导成功，电脑会有叮咚声
方法二，比如说，机器刷了700HD的固件，由于机器里有固件，所以很难再成功引导！
俗话说，请人吃鱼不如教他钓鱼。。。
方法如下：运行量产工具，量产工具的使用方法请参照该工具文件夹下的帮助文档“PhoenixproCN.pdf”。
拆机，关于拆机的方法如图所示，关于保修的问题，原则上，我是不鼓励用户拆机的，因为拆机有风险
当然，一般拆机是会失去保修资格的，然而我为什么还拆机呢，那是个秘密。。。
大家不要声张，那就是，我拆过的机器，售后一般不会看出来拆过，自然可以保，哈哈哈
拆机的时候注意不要搞断的排线，否则你就把机器卖给“全宇宙收一个坏屏XXX”的那些人吧。。。
好了，进入正题，拆机拆好了以后。
①先对播放器复位（长按开机键7秒），短接闪存任意两个I/O口，可选择：闪存芯片上的小圆圈对角线方向的那个脚开始数，第5,6脚，将它们用导体靠在一起，保持不要松开，按住除开机键任意按键，然后再插USB，再松开短接，保持按键不要松开，然后再反复短按开机键，应该就可以引导USB，如果引导成功，电脑会有叮咚声。刷机然后就可以修复了……值得注意的是。量产后，机器应该还需要进行一次机内的设置过程，
也就是屏幕出现一些英文，大概意思相当于机内刷机。如果量产成功，请稍等一下，看看MP4屏幕会不会出现提示。
如果黑屏，应该需要复位一下，复位完成后，短按一下开机键看看能否开机。有可能要多次复位还有插到电脑上，等待机器自动刷新完成。
②钓鱼方法之原理谈：
我们知道，现在的数码播放器，固件都是存放在NANDFLASH内的，机器上电后，CPU先加载BOOT，完成硬件的初始化
而当你刷的错误的固件的时候，由于bootloader不匹配或者其他原因，机器起不来了，无法连接USB，这样就没办法进行刷机操作了
前面售后提供的方案，推测其原理是阻止机器去读取闪存里面的固件，或者说优先让机器进入USB模式，即可以刷机的状态。但是，这个方案在多次尝试不行的情况下
我们就必须人为的阻止机器上电后载入错误的固件，也就是短路闪存的数据IO口的办法。
为什么要短路那两个脚呢，那是因为下图
从图中可以看到，这是一片双片选的nandflash。所谓I/O口，就是输入输出口 in/out
具体定义忘记了，应该就是那些可编程器件的数据口。。
找到任意两个I/O口，将其短路，这样机器就不会将错误的固件载入，接下来就会引导进入USB模式。。
这样应该就可以通过量产或者刷机来解决了。
另外，还有同学反映：430无法从2.0往1.0刷，会卡死在开机画面，我用430T从2.02刷1.0没问题，而且从1.0再刷2.02后数据又回来了
资料来源： http://www.teclast.com/bbs/viewthread.php?tid=126253&highlight=c430
