新型TMR磁栅传感器配合 0.4mm 磁极距磁栅的解决方案，支持高精度线性位移测量，具有出色的温度稳定性和抗杂散磁场干扰能力，在消费和工业应用中可实现的微米级的测量精度。
2024年6月11日消息，在德国 Sensor+Test 2024 国际传感器及测量测试展览会上，专业的隧道磁阻 (TMR) 磁传感器领先制造商江苏多维科技有限公司 (MultiDimension Technology Co., Ltd., MDT) 启动了TMR4101微米级高精度磁栅传感器芯片的全球销售业务。
TMR4101典型输出信号波形
多维科技TMR4101磁栅传感器芯片用于消费电子和工业应用，包括相机自动对焦和变焦、微米级位移测量、线性和角度位置测量和磁编码器。TMR4101磁栅传感器芯片与磁极距为0.4mm的多极磁栅配合使用，当传感器沿磁栅移动时，其两个推挽式TMR半桥结构输出相位差为90°的正弦和余弦信号，信号的周期对应于相邻的一对南北磁极的总长度为0.8mm。
凭借多维科技独特的TMR技术，TMR4101磁栅传感器芯片具有优异的信号灵敏度和低噪声特性，其差分梯度式的传感器设计实现了对杂散磁场信号的抗干扰能力。TMR4101磁栅传感器芯片支持温度补偿的高精度测量方案，测量位置由具有相同温度特性的正弦和余弦信号计算得出，可有效地抑制温度对测量精度的影响。多维科技同时提供0.4mm磁极距的高精度磁栅，以配合TMR4101磁栅传感器芯片使用，磁栅的长度和宽度可以根据应用需求进行定制。TMR4101与磁栅的配合使用，在典型应用中可以实现±1微米以内的重复定位精度。
TMR4101与配套磁栅的相对位置示意图
TMR4101典型特性
在任意的位移范围内实现一致的微米级测量精度;
稳定的信号输出，对机械定位和测量气隙有较大容差;
出色的抗杂散磁场干扰的能力;
支持温度补偿的精准测量方案;
超薄DFN4L封装(1.32 mm×0.66 mm×0.3mm)，适用于智能手机摄像头模组等空间受限的应用;
符合RoHS/REACH标准。
TMR4101封装图(DFN4L)
