01.前言
恒流源是一种保持特定输出电流不变的电源，它不像电压源那样保持恒定的电压输出。其基本电路主要由输入级和输出级组成。输入级提供参考电流，输出级输出所需的恒定电流。恒流源与恒压源相比，其输出电流稳定性更高，常见的恒流源有压控电流源、反馈电流源、场效应晶体管恒流源等。
恒流源具有以下特点：
1) 输出电流受负载（输出电压）的影响小。
2) 输出电流受环境温度影响小。
3）内阻无穷大（这样电流就能全部流到外面）。
4）能够提供恒流驱动。
5）输出精度高。
接下来就介绍四种常用的恒流源电路设计方案：
02.稳压恒流电路
下图是利用齐纳二极管的稳压特性设计的电路：
电路原理：三极管Q1的基极电压受限于稳压二极管的稳定电压Uzd，因此电阻R3的电压等于Uzd减去Q1基极与发射极之间的导通压降0.7V，即，U=Uzd-0.7 保持不变。所以即使VCC电源变化，流过R3的电流也是固定的，即流过R1负载的电流保持不变，达到恒流效果。
这里需要注意的是，根据需要的电流，选择合适的采样电阻，并考虑三极管和稳压二极管的参数。而集电极电压Ucmax是允许施加到集电极结的最大反向电压。使用时不要超过这个最大值，否则集电极结在过大的反向电压作用下会形成强电场，导致集电极反向电流急剧增大，可能造成元件损坏。
下图是利用二极管导通电压为0.6~0.7V的特性设计的二极管恒流电路：
当单片机的GPIO口给高电平时，三极管Q1导通，二极管D1、D2导通（D1、D2的导通压降为0.6~0.7V），因此电阻R3的电压等于1.4V（D1和D2的压降之和）减去晶体管基极和发射极之间的导通压降0.7V，即U=0.7V保持恒定，因此流过晶体管的电流即使VCC电源变化，R3也是固定的，即流过R1的电流保持不变，达到恒流的效果。
03.晶体管恒流电路
下图是利用Q2基极导通电压为0.6~0.7V的特点设计的晶体管恒流源电路：
当GPIO口给高电平时，三极管Q1为NPN管，会导通，同时Q2也会导通。当Q2导通时，Q1的基极电压被拉低并截止。负载R1不工作，Q2无电流流过。Q2基极电压被下拉至地并截止，而Q1基极被释放并再次导通。如此循环往复，电路中的电流最终稳定在0.7/R3（忽略Q1和Q2的基极电流），无论电源电压VCC如何变化，电流都保持恒定。另外，R3的阻值应根据所需电流来选择。
04.使用运放的恒流电路
下图是采用运放的恒流源电路，电流可调。该电路采用运算放大器设计，引入了反馈。与晶体管恒流源相比，具有足够的精度和可调性。
注意运算放大器的“虚短”特性。同时，电路的反相输入端连接电阻R4接地。当VIN输入到R2以稳定电源电压时，R4两端的电压也为VIN。因此，无论外部电路如何变化，流过R4的电流保持不变。而负载R1的电流与R4的电流相等，因此即使R1的电源是变压电源，其电流也保持固定，达到恒流的效果。
这里晶体管Q1是NPN型的。使用时根据实际电压、电流要求选择合适的。如果功率较大，必须考虑散热要求。另外，它的发射极电流约等于集电极电流，但实际上发射极电流还包括基极电流。可见，当运放输出级采用晶体管时，输出电流会产生基极电流分量的误差。如果此时不能满足电路精度要求，则使用MOSFET更好。
分析与上面相同。MOSFET管是压控器件，栅极所需电流很小。由于Iout和Is非常接近，与晶体管相比，电流精度得到提高。另外，使用运放的恒流源电路虽然有明显的优点，但也有缺点。例如运放的VIN电源需要用户额外提供。
05.LDO电路
下图是利用LDO输入电流等于输出电流的特性设计的恒流源电路。
通过LDO输入电流等于输出电流的特性，流过负载R1的电流等于流过电阻R2的电流，电流大小为Iout=V/R2，其中V(3.3V ）是LDO的稳压值。此外，可变电源必须满足LDO的输入电压范围。
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