概要：Micro-LED显示技术前景广阔，但传统制造中的等离子体刻蚀影响性能。沙特KAUST大学提出选择性热氧化（STO）法，避免刻蚀，保护像素区域，实现高性能micro-LED制造。该技术已应用于蓝、绿、红各色micro-LED，并有望提升微型显示等领域表现。KAUST已用该技术制造出2.3微米像素，计划进一步商用验证。
Micro-LED，作为下一代显示技术的璀璨新星，凭借其无与伦比的高对比度、卓越亮度、出色能效以及长久寿命，正引领着显示领域的革命。然而，在这令人瞩目的光环背后，却隐藏着一个亟待解决的问题：传统的micro-LED制造过程中，等离子体刻蚀工艺如同一把双刃剑，虽然助力了制造，却也无情地损伤了器件台面侧壁。这些因等离子体刻蚀而产生的缺陷，宛如暗夜的阴影，它们不仅成为了非辐射复合中心，更是电流泄漏的通道，无情地蚕食着micro-LED的效率，让其在器件尺寸不断缩小的道路上，效率迅速下滑。但我们坚信，随着科技的进步，这些问题终将找到解决之道，让Micro-LED的光芒更加璀璨夺目。
**沙特阿卜杜拉国王科技大学引领科技前沿，创新micro-LED像素定义技术**
在科技飞速发展的今天，沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）先进半导体实验室再次展现了其卓越的科研实力。近日，他们成功论证了一种名为选择性热氧化（STO）的革新性micro-LED像素定义方法，这一突破性的技术不仅免除了传统像素制造工艺中不可或缺的等离子刻蚀步骤，更为提升micro-LED性能开启了全新的篇章。
这一创新技术的诞生，无疑是半导体技术领域的一大里程碑。通过选择性热氧化的方法，KAUST的研究团队巧妙地实现了对micro-LED像素的精准定义，不仅简化了制造流程，还大大提高了生产效率和产品性能。这一技术的广泛应用，有望引领micro-LED技术进入全新的发展阶段，为未来的显示技术带来更多可能。
在这个科技日新月异的时代，KAUST以其不懈的科研精神和卓越的创新能力，始终站在科技的前沿。此次成功论证的选择性热氧化技术，不仅展现了KAUST在半导体领域的深厚实力，更彰显了其在全球科技竞争中的领先地位。让我们期待KAUST未来在科技领域创造更多的辉煌！
一篇熠熠生辉的学术之作，已经闪耀登陆国际顶尖科学舞台！我们深感自豪地宣布，这篇凝聚了无数智慧与汗水的文章，已成功被享有崇高声誉的《Light- Science & Applications》期刊收录，并在其官方平台上在线发表。该期刊的影响因子高达19.4，足以证明其无与伦比的学术价值和影响力。这是一次对作者们不懈努力的最好肯定，也是对他们卓越科研实力的最佳见证。让我们共同期待这篇佳作在学术界掀起的新一轮热潮！
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KAUST的杰出工程师团队，凭借精湛的高温热退火工艺，巧妙地氧化了芯片中非像素区域，精准地改变了p层和InGaN/GaN多量子阱结构，让非发光区域黯然失色。与此同时，珍贵的像素区域被预沉积的SiO2层如守护神般紧紧覆盖，确保了其在极端900°C高温下的外延结构依旧保持完美无损。
采用创新的STO工艺，我们的micro-LED像素被精心雕琢，呈现出卓越的器件性能，如低漏电和高效率。这一方法不仅适用于InGaN/GaN的多种颜色（蓝、绿、红）micro-LED制造，更预示着在未来微型显示、可见光通信和光学互连存储器等领域，它将闪耀出无比夺目的光芒，开启无限可能。
引领未来显示技术的革新，我们荣幸地介绍一种颠覆性的micro-LED制造技术——选STO工艺。这是一种自对准的先进工艺，彻底摒弃了传统制造中绝缘介质材料的钝化和繁琐的选择性移除步骤。告别等离子体刻蚀的束缚，像素“台面”的困扰不复存在，取而代之的是芯片表面平滑如镜的平面化几何构型。这一革新不仅优化了生产流程，更为驱动电路与micro-LED的单片集成带来了无限的可能性，预示着更为先进、细腻的显示时代的到来。让我们一起迎接这激动人心的科技革新，体验前所未有的视觉盛宴！
李晓航教授怀着满腔的热情和坚定的信念宣布：“我们的宏伟蓝图是将尖端的micro-LED技术融入增强现实与虚拟现实（AR/VR）的神奇世界中。此刻，借助我们独树一帜的STO技术，我们已经实现了micro-LED像素发光尺寸的惊人突破，小至令人瞩目的2.3微米。我们的实验室正紧锣密鼓地规划着，将这一创新成果从实验室走向市场，转移到商用的微型显示面板上，进一步验证其无与伦比的性能和潜力。这不仅是技术的飞跃，更是对未来视觉体验的一次革命性升级！”
