3nm可穿戴芯片Exynos W1000升级,面板级封装,集成度飞跃提升!

2024-07-08

概要:三星推出Exynos W1000,首款3nm工艺可穿戴芯片,集成度高、性能强,搭载于Galaxy Watch 7,提供更高性能同时保证低功耗和小型化,预计将为智能手表带来新体验。7月10日将发布Galaxy Watch 7新品。

在可穿戴技术的浪潮中,三星以其创新实力再次引领潮流。回溯至2021年8月,三星携业内首款5nm工艺制程的可穿戴芯片Exynos W920登场,震撼了整个智能手表界,它首次亮相于备受瞩目的Galaxy Watch 4系列。时隔两年,三星再度发力,于2023年7月发布了Exynos W930智能手表芯片,进一步巩固了其在可穿戴领域的领先地位。

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然而,就在今年的7月,三星以惊人的速度打破了常规的两年一更新节奏,发布了Exynos W1000。这款芯片不仅是业内首款采用3nm GAA工艺制程的可穿戴设备芯片,更是预示着三星在可穿戴科技领域的全新篇章。Exynos W1000将作为Galaxy Watch 7的核心,引领智能手表进入一个全新的时代。

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随着可穿戴设备功能的日益丰富,对可穿戴主控芯片的性能要求也越来越高。Exynos W1000凭借其先进的工艺制程,在性能上实现了显著的突破。外媒报道,这款芯片搭载了1个Cortex-A78大核和4个小核(Cortex-A55),主频分别高达1.6GHz和1.5GHz。与上一代Exynos W930相比,Exynos W1000在多核性能上提升了惊人的3.7倍,单核性能也提升了3.4倍,主要应用启动速度更是提升了2.7倍。

更令人瞩目的是,Exynos W1000采用了FOPLP(扇出面板级封装)技术,这是当前业内厂商竞相追逐的先进封装方式。它不仅采用了成本效益更高的方形基板,而且其较大的尺寸允许进行更多数量的封装,进一步降低了封装成本。对于三星而言,这一成本的优化无疑是一大福音,毕竟三星智能穿戴设备的出货量在全球排名前五。

不仅如此,Exynos W1000还同时采用了SiP(系统级封装)、ePoP封装技术,集成了电源管理芯片、DRAM、NAND存储芯片等关键组件。这种高度集成化的设计使得Exynos W1000在保持高性能的同时,还能实现小型化,为电池提供了更多的空间,为智能手表的设计带来了更多的灵活性。

在显示方面,Exynos W1000搭载了2.5D常亮显示功能,为用户带来了更加细腻、丰富的显示效果。当前,LTPO曲面常亮屏已经成为高端智能手表的标配,而三星的多款智能手表也具备这一功能。Exynos W1000的加入将进一步增强这一功能的表现力,为用户带来更加出色的视觉体验。

在续航方面,三星对Exynos W1000进行了精心的低功耗设计。Exynos W1000的GPU采用了帧间断电(IFPO)和超驱动下(UUD)技术来降低电流消耗,而调制解调器引擎则通过动态电压频率缩放(DVFS)技术实现低功耗运行。此外,Exynos W1000还采用了低功耗蓝牙(BLE)技术,并将LPDDR4X升级到LPDDR5,进一步提升了电源效率。

据悉,三星将于7月10日举办Galaxy新品发布会。届时,除了备受期待的折叠屏手机新品外,还将有智能穿戴新品亮相。其中,Galaxy Watch 7和Galaxy Watch 7 Ultra有望成为这场发布会的明星产品。根据目前的公开消息,Galaxy Watch 7预计将配备40mm的圆形显示屏,并支持BioActiveSensor2技术,售价约为262美元。

作为三星新一代的可穿戴芯片,Exynos W1000无疑将为三星的智能手表带来全新的使用体验。无论是从性能、续航还是显示效果方面来看,Exynos W1000都将为用户带来前所未有的惊喜。让我们共同期待这款芯片在Galaxy Watch 7上的精彩表现吧!

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