今天，小编将在这篇文章中为大家带来MOS管的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对MOS管具备清晰的认识，主要内容如下。
一、MOS管常见的2大失效原因
1、MOS管体二极管的缓慢反向恢复
诸如特斯拉线圈之类的高 Q 谐振电路能够在其电感和自电容中存储大量能量。
在某些调谐条件下，当一个MOS管关闭而另一个器件打开时，这会导致电流“续流”通过 MOS管的内部体二极管。
这个原本不是什么问题，但当对面的MOS管试图开启时，内部体二极管的缓慢关断（或反向恢复）就会出现问题。
与MOS管 自身的性能相比，MOS管 体二极管通常具有较长的反向恢复时间。 如果一个 MOS管的体二极管在对立器件开启时导通，则类似于上述击穿情况发生“短路”。
这个问题通常可以通过在每个MOS管周围添加两个二极管来缓解。
首先，肖特基二极管与MOS管源极串联，肖特基二极管可防止MOS管体二极管被续流电流正向偏置。 其次，高速（快速恢复）二极管并联到MOS管/肖特基对，以便续流电流完全绕过MOS管和肖特基二极管。
这确保了MOS管体二极管永远不会被驱动导通，续流电流由快恢复二极管处理，快恢复二极管较少出现“击穿”问题。
2、过度的栅极驱动
如果用太高的电压驱动MOS管栅极，则栅极氧化物绝缘层可能会被击穿，从而导致MOS管无法使用。
超过 +/- 15 V的栅极-源极电压可能会损坏栅极绝缘并导致故障，应注意确保栅极驱动信号没有任何可能超过最大允许栅极电压的窄电压尖峰。
二、选择MOS管的3大法则
法则之一：用N沟道orP沟道
选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。
法则之二：确定MOS管的额定电流
该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。
法则之三：选择MOS管的下一步是系统的散热要求
须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。
最后，小编诚心感谢大家的阅读。你们的每一次阅读，对小编来说都是莫大的鼓励和鼓舞。希望大家对MOS管已经具备了初步的认识，最后的最后，祝大家有个精彩的一天。
