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Kioxia发布OCTRAM技术，开启低功耗DRAM新篇章

2024-12-24

近日，在存储器解决方案领域，Kioxia Corporation再次展现其创新实力，宣布成功开发出OCTRAM(氧化物半导体通道晶体管DRAM)技术。这一新型4F2 DRAM技术，结合了高导通电流与超低关断电流的氧化物半导体晶体管，标志着DRAM技术的一大进步。

2024年12月9日，在加州旧金山举行的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上，Kioxia首次公布了这一技术突破。据悉，OCTRAM技术是Kioxia与Nanya Technology共同研发的成果。

OCTRAM技术的核心在于InGaZnO晶体管的超低泄漏特性，这一特性为实现低功耗DRAM提供了可能。随着AI、后5G通信系统以及物联网产品的快速发展，对低功耗存储器的需求日益迫切。OCTRAM技术的出现，有望为这些应用带来显著的功耗降低，从而推动相关领域的进一步发展。

作为存储器解决方案的全球领导者，Kioxia此次的技术创新再次证明了其在DRAM领域的深厚底蕴和持续创新能力。未来，随着OCTRAM技术的不断成熟和应用推广，我们有理由相信，它将为更多领域带来革命性的变化，推动整个半导体行业的持续进步。

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