在全球范围内，磷化铟衬底市场规模快速增长。受AI算力、数据中心和6G通信驱动，Yole预测全球InP衬底市场规模将从2022年的30亿美元增至2028年的64 亿美元，年复合增长率达13.5%。
这一增长主要由光通信、5G与卫星通信、新兴技术等领域推动。例如，100G/200G光模块需求激增，使得InP基激光器芯片成为主流选择；高频器件（如HEMT、pHEMT）对InP衬底的需求也随5G网络建设而上升。此外，量子点激光器、硅光集成等前沿技术的商业化加速，进一步扩大了市场需求。
然而，全球InP衬底市场高度集中，前三大厂商（日本住友电工、美国AXT、法国II-VI）占据91%的份额。日本住友电工采用VB法生产4英寸掺Fe半绝缘衬底，技术成熟且良率稳定；美国AXT凭借VGF法实现6英寸InP衬底量产，成本优势显著；法国II-VI则聚焦高端外延片，在光通信领域占据主导地位。
国内企业如北京通美虽已跻身全球前列，但在大尺寸（6英寸）和高端产品（如半绝缘衬底）上仍依赖进口。
国内替代进程中，头部企业加速技术攻关。如华芯晶电采用垂直梯度凝固法（VGF）突破4英寸InP衬底制备技术，产品良率达70%，价格仅为进口产品的50%，已进入苹果供应链。其子公司立昂晶电通过优化晶体生长工艺，实现大尺寸、低位错衬底量产，填补国内空白。
云南锗业年产15万片4英寸InP衬底，良率提升至70%，计划扩产至10吨/年（全球第一），目标切入华为海思、Wolfspeed等头部供应链。有研新材则布局InP外延片技术，与国内光模块厂商合作推进国产替代。
政策与资本的双重驱动为国内企业提供了有力支持。国家大基金二期重点支持半导体材料领域，云南锗业等企业获注资加速产线建设。
地方政策方面，河北省对第三代半导体企业给予流片补贴，最高可达1000万元，北京市顺义区对InP衬底项目提供固定资产投资补贴，最高3000万元。市场需求方面，国内光模块厂商（如中际旭创、新易盛）加速国产芯片验证，2024年25G DFB 光器芯片国产化率提升至20%。
尽管取得进展，国内企业仍面临技术瓶颈。国际厂商已量产6英寸InP衬底，而国内企业仍以4英寸为主，6英寸技术处于研发阶段。高端产品如半绝缘衬底、高纯度外延片依赖进口，国内企业在材料一致性和缺陷控制上存在差距。设备与工艺方面，晶体生长设备（如VGF炉）、切片抛光设备（如双面研磨机）国产化率不足30%，高端工艺（如离子注入）依赖海外技术。
未来，国内InP衬底市场将呈现国产替代加速与生态重构的趋势。短期内，中低端2-4英寸InP衬底将实现全面国产替代，价格下降30%-50%；6英寸衬底进入小批量试产，半绝缘衬底良率提升至60%。
长期来看，6英寸衬底将实现量产，半绝缘衬底市占率提升至30%，切入100G以上光模块市场。国内企业将从衬底向外延片、器件延伸，形成“材料-器件-应用”全产业链，在价格和服务上挤压国际厂商份额，但技术壁垒仍需5-10年突破。
然而，国内InP衬底产业仍面临多重风险。技术封锁方面，美国对华半导体设备出口限制可能影响InP衬底生产；产能过剩可能导致价格战，压缩企业利润率；全球光通信市场周期性波动也可能影响国内替代进程。
为应对这些挑战，企业需加强研发，聚焦6英寸衬底、半绝缘材料等关键技术，与高校共建联合实验室；推动产业链协同，加速产品验证；争取政策支持，完善设备与材料供应链。
小结
InP单晶衬底市场正处于需求爆发与技术垄断的博弈期，国内企业在政策支持和市场需求驱动下，已实现中低端产品的国产替代，但在高端领域仍需突破技术壁垒。未来5-10年，随着技术进步和产业链整合，国内InP衬底有望在全球市场占据更重要地位，成为半导体材料自主可控的关键一环。
