现在市场上流行固态硬盘,单你知道固态硬盘里芯片的类型么? 查询下SLC MLC TLC QLC的区
固态硬盘共有三种闪存类型,分别为SLC、MLC以及TLC;
SLC全称为Single-LevelCell,单层单元闪存。SLC为NAND闪存架构,其每一个单元储存一位数据,但是SLC生产成本较高,晶片可重复写入十万次。SLC的特点是成本高、容量小、速度快
MLC 全称为Multi-Level Cell,多层单元闪存,MLC通过使用大量的电压等级,每一个单元储存两位数据,数掘谨据密度比较高。MLC的特点是容量大成本低,但是速度相较于SLC更慢。
TLC全称为Triple-cell-per-bit,由于采用三层存储单元,因此可以以较低的成本实现更大的容量。现主流的SSD多数都采用最新的3D NAND闪存堆叠技术,基于该技术可打造出存储容量比同类NAND技术高达数倍的存储设备。该技术可支持在更小悄困的空间内容纳更高存储容量,进而带来很大的成本节启散念约、能耗降低,以及大幅的性能提升。东芝已研发96层3D BiCS FLASH存储单元。
为什么SLC速度快寿命更长呢?SLC架构由于每Cell仅存放1bit数据,故只有高和低2种电平状态。而MLC架构每Cell需要存放2个bit,即电平至少要被分为4档,TLC则为8档,QLC则为16档。
SLC每Cell只有开和关两种状态,非常稳定,就算其中一个Cell损坏,对整体的性能也不会有影响。而MLC有四种状态,意味着MLC存储时要更精确地控制每个存储单元的充电电压,读写时就需要更长的充电时间来保证数据的可靠性,而且一旦出现错误,就会导致2倍及以上的数据损坏。
而SLC价格更贵的原因在于SLC的一个Cell只存1bit数据,MLC、TLC、QLC的一个Cell却能存2bit或者更多的bit数据,但芯片的体积并没增加,等于压缩存储了数据,这样的结果就是相同的一块芯片存储的容量变大,因此,MLC、TLC、QLC的自然价格就便宜了。
目前,SLC在消费电子领域几乎绝迹,MLC也越来越少,TLC已经成为主流。Intel发布QLC闪存的660P SSD,则吹响了QLC进攻的号角。
固态硬盘中的“mlc”,“tlc”和“3dv-nand”的区别是什么?
MLC可以储存更多的数据,可降低生产成本,寿命中等,传输速度较慢。
TLC传输速度更慢,价格便宜,但是寿命短,通常用在U盘或者存储卡这类移动存储设备上。
3D NAND闪存的容量大、性能号、成本低、可靠性都有了保证。
MLC (微网独创多层次分佣 (MULTI-LEVEL COMMISSION))
要解释MLC的话,必然要提到SLC。
MLC和SLC属于两种不同类型的NAND FLASH存储器,可以用来作为MP3播放器、移动存储盘等产品的存储介质。SLC全称是Single-Level Cell,即单层单元闪存,而MLC全称则是Multi-Level Cell,即为多层单元闪存。
TLC即Triple-Level Cell的缩写,是2bit/cell的MLC闪存延伸,TLC达到3bit/cell,TLC利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储3个bit的信息,存储密度理论上较之MLC闪存扩大了0.5倍。
TLC闪存也如当年MLC闪存一样,在攻克P/E使用寿命的难关后,在今年下半年走上主流舞台。目前各大主流主控厂商开发支持TLC闪存的主控,并且已经进化到第三代,有效提高TLC SSD的性能,延长TLC SSD的P/E使用寿命。
3dv-nand
而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
优点:
3D NAND解决问题的思路就不一样了,为了提高NAND的容量、降低成本,厂商不需要费劲心思去提高制程工艺了,转而堆叠更多的层数就可以了,这样一来3D NAND闪存的容量、性能、可靠性都有了保证了