近来，北京工业大学理学部王晓蕾副教授的研究团队在磁电多态存储器研究领域实现了突破性进展，其研究成果以“范德瓦尔斯多元铁电体CuCrP2S6的电性和磁向异性”为题，在《自然通讯》这一学术期刊上得到了全球科学界的广泛关注和高度认可。
作为关键的技术挑战之一，开发者需聚焦于通过精确调节存储材质的物理属性，以便能顺畅地在多种稳定状态间转换数据储存，这一过程对于构建高效、节能的非易挥发性存储器至关重要。鉴于这些存储材料的独特优势——如相较于传统半导体器件显著降低能耗——其被明确认定为国家“十四五”信息化战略的重要组成部分。为此，研发人员需探索创新的技术路径，以确保能够精准控制和操作存储介质状态，从而在保证数据稳定性的同时提升能效和性能表现。
王晓蕾副教授的研究团队在探索存储材料的物理属性方面取得了显著进展，在四个方面实现了创新突破。首先，他们首次深入解析了范德华多铁CuCrP2S6材料内部的电学各向异性特性，并揭示了电压、时间及极化方向调整后忆阻行为的变化机制。其次，通过研究温度与磁场对材料的影响，团队观察到了自旋翻转和反铁磁相变现象，并成功获取了不同晶轴方向下的磁各向异性参数。
第三大成就在于，他们发现了在常规频率范围内的各向异性自旋共振现象，且展示出在微弱磁场作用下可调制的多种共振模式。最后，研究团队证明了一种新颖的磁电耦合效应，通过这一效应可以制造出低功耗、非易失性的新型磁电多态忆阻器，其能效相较于传统的电流驱动自旋忆阻器件提升了至少两个数量级。
这些突破不仅为存储技术领域带来了革命性变革，而且为未来研发更高效、节能的存储设备奠定了坚实基础。
