mos管检测氢气浓度是根据
通常根据氢气与半导体反应的场所是在表面还是内部，将半导体型传感器分为表面控制型和体控制型；根据测量半导体的物理量是电阻还是晶体管参数，也可将传感器分为电阻型和非电阻型。
电阻型半导体传感器主要以金属氧化物作为氢敏材料，根据气敏机理的吸附-脱附机理，传感器首先对空气中的氧气进行吸附，这是一个由物理吸附到化学吸附的过程。在一定条件下或巧氧夺取氢敏材料表面电子并产生一种晶格氧，材料表面电子减少，就会产生空间电荷区，使能带弯曲，使得电导率下降。当传感器吸附氢后，氢会夺取表面晶格氧，生成水，同时释放电子，使导带弯曲程度减弱。随着氧缺位的增加，半导体表面的电导增大，从而造成半导体电阻阻值减小。这两种过程不可逆，在一定温度和氢气氛围下达到稳态平衡，化学吸附氧离子达到一平衡值，从而决定了氧化物的电导。根据电阻率大小与氢气浓度之间的函数关系，就可以测出空气中氢气浓度。然而，单一的金属氧化物制得的传感器通常存在对还原性气体的选择性较差、灵敏度不高的缺点，通常用氧化物或贵金属掺杂的方式提高传感器对氢气的选择性。
非电阻型半导体传感器主要用肖基特（金属-半导体）二极管或MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）作氢敏材料，一般检测气体引起的电容或势垒等非电阻电学量的变化。肖基特二极管通常以金属Pd或Pb作正极，用禁带较宽的n型半导体SiC、GaN等材料作负极。传感器与氢气接触后，氢气通颂团毕过催化金属分解为氢原子，扩散到金属与半导体的界面处，在偏置电压下发生极化，使肖基特势垒降低。根据二极管两端电压变化就可以确定氢气浓度。
以n型MOSFET为例，通常用金属Pd作MOSFET的栅极电野芹极。根据MOS管的结构特点，可将其电容视为氧化层电容和耗尽层电容的串联，MOS电容与栅压关系称为MOS管的C-V特性。当栅源电压大于阈值电压（开启电压）时，源漏之间就会产生n型反型沟道，使源漏两极导通。对于实际的阈值电压，还要考虑金属与半导体的功函数，抵消接触电势差的影响。当氢气经栅极吸附会使金属Pd的功函数降低，表面能带向下弯曲，阈值电压也将相应降低，所需施加的栅源电压与栅极接触氢气前的电压比，也会降低。于是MOS电容的C-V特性曲线向负栅压方向平移，根据这个特性能够测量氢气浓度。
燃料电池轿车上保证车载氢气
保证燃料电池轿车上车载氢气系统的安全性的装置有以下几种：
1. 安全阀：在系统气压超出规定范围时，自动开启并释放氢气，以保护系统，避免发生危险。
2. 爆炸防护装置：与外界的高能撞击或火花等因素产生的火360问答灾时，能自行关闭事传何剧盟起冲氢气供应，以避免氢气的爆炸。
3. 氢气泄漏检测啊态八系统：能及时检测车辆中氢气泄漏情况，确保车辆行驶时氢气的安全性。
4. 压力传感器：控制整工跳居器兴好宽头龙个系统内部的氢气压斤省吧希齐力，避免氢气压力过高，造成危险。
这些装置的作用是为了保证车载氢气系统的安全性，防止氢气泄漏、压力过高、火灾等可能发生的危险情况。同时，增强了燃料电池车辆的安全性，为用户提供更可靠的交通工具。
第二代车载诊断系统的汽车故障状态有那些？
当前故障、偶发故障、历史故障
