Arm 和三星本周宣布了针对 Arm 下一代 Cortex 通用 CPU 内核以及三星下一代全环栅 (GAA) 多桥工艺技术的联合设计技术协同优化 (DTCO) 计划-沟道场效应晶体管（MBCFET）。
“在最新的三星工艺节点上优化 Cortex-X 和 Cortex-A 处理器凸显了我们重新定义移动计算可能性的共同愿景，我们期待继续突破界限，以满足人工智能时代对性能和效率的不懈要求， “Arm 高级副总裁兼客户业务总经理 Chris Bergey 说道。
根据该计划，两家公司的目标是为各种应用提供采用三星 2 nm 级工艺技术制造的 Cortex-A 和 Cortex-X 内核的定制版本，包括智能手机、数据中心、基础设施和各种定制片上系统。目前，两家公司并未透露他们的目标是针对三星第一代 2 nm 生产节点 SF2（预计将于 2025 年推出）共同优化 Arm 的 Cortex 内核， 还是计划针对所有 SF2 系列技术优化这些内核。包括SF2和SF2P。
GAA 纳米片晶体管的通道在所有四个侧面都被栅极包围，有很多优化选项。例如，可以加宽纳米片通道以增加驱动电流并提高性能，或者缩小纳米片通道以降低功耗和成本。根据应用的不同，Arm 和三星将有大量的设计选择。
请记住，我们正在讨论针对各种应用的 Cortex-A 内核以及专门为提供最大性能而设计的 Cortex-X 内核，因此协作工作的结果有望相当不错。我们特别期待具有最大化性能的 Cortex-X 内核、具有优化性能和功耗的 Cortex-A 内核以及具有更低功耗的 Cortex-A 内核。
如今，Arm 等 IP（知识产权）开发商与 Samsung Foundry 等代工厂之间的合作对于最大限度地提高性能、降低功耗和优化晶体管密度至关重要。与 Arm 的合作将确保三星的代工合作伙伴能够获得能够准确满足其需求的处理器内核。
