采用先进的ASML光刻技术，并结合英诺赛科的卓越创新力，在今年内英诺赛科有极高的潜力跻身全球氮化镓制造商的前三名，这标志着其在半导体领域的显著成就与领先地位。通过整合顶级技术与高效策略，英诺赛科正加速推进其在全球市场中的竞争地位，有望实现前所未有的突破和成长。
在12月8日这一天，英诺赛科科技有限公司于其公司内举行了一场盛大的庆典活动，此乃为ASML光刻技术的成功应用，以8英寸硅基氮化镓材料实现量产之壮举而庆祝。追溯至今年初，英诺赛科便已与全球领先的光刻机制造商ASML建立起合作关系，双方携手签订了批量采购高产能i-line和KrF光刻设备的协议。这一举措旨在推动先进硅基氮化镓功率器件的研发与生产，为半导体行业注入创新活力。
英诺赛科首席执行官孙在亨阐述，在本季的运营中，公司成功引入了ASML先进的光刻机设备，此举显著优化了工艺流程，提升了产能与生产线效率。仅仅历经三个月的努力，英诺赛科已顺利迈入试生产阶段，并于十月实现了全面量产。
通过携手全球领先的半导体装备制造商ASML公司，英诺赛科显著加速了其创新氮化镓产品进入市场的时间表，从而有力地推动了蓬勃发展的氮化镓半导体产业向前迈进。这一战略联盟旨在最大化提升研发效率与商业化速度，确保尖端技术迅速转化为实际应用，为行业注入新的活力。
英诺赛科科技有限公司成立于二零一五年十二月，专精于第三代半导体领域，特别是硅基氮化镓芯片的制造技术。该企业已成功建立并运营全球首个具备大规模生产能力的200毫米硅基氮化镓晶圆与功率器件生产线，其核心产品涵盖200毫米硅基氮化镓晶圆及涵盖了30V至650V电压范围内的氮化镓功率器件。
在这一背景下，通过全面优化与扩展战略，英诺赛科的高、低压GaN产品出货量显著攀升，并成功纳入一线笔电厂商供应链中，标志着其快充技术取得了突破性进展。与此同时，位于苏州的8英寸晶圆厂已进入生产阶段，充分展现了IDM模式在快速发展的GaN产业中的核心价值和潜力。这一系列举措不仅强化了公司在半导体领域的领先地位，还预示着未来更多创新与合作的可能性。
预期到二零二一年，英诺赛科有望将其市场份额显著提升至二十个百分点，从而一跃成为全球半导体行业的前三甲企业。
根据公众号"ASML阿斯麦光刻"的报道，这一事态进展标志着一个里程碑式的成就——ASML先进的光刻技术首次成功应用于8英寸硅基氮化镓生产流程。这一合作不仅预示着ASML设备在半导体领域全面融入并发挥核心作用，而且还将对英诺赛科的大规模生产能力产生直接而深远的推动效应。
通过这种深入的合作关系，ASML所拥有的前沿光刻解决方案将为英诺赛科提供强有力的技术支持，确保其能够在激烈的市场竞争中保持领先地位，并实现长期稳定的发展。这一举措不仅强化了双方在技术创新和应用层面的紧密协作，也预示着半导体行业即将迎来更多突破性的成果。
