根据国际媒体报道，《NBC》日前揭示，全球领先的晶圆代工企业格芯成功获取了3000万美元的政府资助，此基金将专门用于佛蒙特州EssexJunction工厂内GaN芯片的研发与制造项目。这笔资金源自于2022年的综合性拨款法案，标志着政府对推动先进半导体技术发展的持续承诺和支持。
在众多领域，如智能手机、无线通信基础设施、电动汽车和电力网络中，对高性能芯片的需求日益显著。这一趋势主要由两个关键因素驱动：一是全球对可持续交通解决方案的追求，特别是在电动汽车领域的大规模普及；二是随着5G乃至潜在的6G技术的发展，对数据传输速率的更高要求。格芯公司强调了这些技术创新对下一代半导体产品的需求增长，旨在满足行业日益扩大的需求和预期。
根据GaN半导体的杰出领导者——格芯公司的总裁兼首席执行官Thomas Caulfield的观点，采用GaN芯片的技术将在应对高热负载及大功率要求方面展现出卓越性能，超越以往任何一代技术。这归功于其固有的高效能特性，使其在处理热量和电力时展现出显著优势。
通过纳入崭新且由联邦资金赋能的支持，在即将到来的2023联邦预算中亦有望获得的潜在强化助力下，GF确有十足的潜力与可能，在全美乃至全球范围内引领氮化镓芯片制造领域的创新潮流与发展方向。
