据《韩联社》12月7日报道，南韩存储器大厂SK海力士已于近期内成功研发出基于三层储存单元 (Triple Level Cell，TLC) 的176层堆栈512Gb NAND快闪存储器。
SK海力士是全球范围内主要的存储厂商，在NAND Flash市场排第四位。今年三季度，SK海力士在该领域的市占率为11.3%。在去年6月的时候，SK海力士抢先全世界，成功量产了128层堆栈的4D NAND快闪存储器。而这回，SK海力士则是晚了美国美光 (MU-US) 一步，美光在11月的时候宣布该公司已经展开176层堆栈NAND快闪存储器的出货。
SK海力士官网显示，最新开发的NAND闪存为4D NAND第三代，比上一代128层产品提高了35%以上生产率，成本竞争力有所提升。此外，新开发的176层NAND可使数据的最大读取速度提高约70％，使数据写入速度提高约35％。
在上个月的时候，SK海力士已将NAND样本提供给生产快闪存储器控制芯片的厂商，计划2021年6月左右进入量产，并依序推出消费级SSD、企业级SSD等产品，将市场扩展到各个领域。除了智能手机，新产品还可用于个人电脑和服务器配备的存储器固态硬盘（SSD）等。目前，SK 海力士已开始向客户企业提供样品，计划2021年中期开始量产。除了智能手机，新产品还可用于个人电脑和服务器配备的存储器固态硬盘（SSD）等。目前，SK海力士已开始向客户企业提供样品，计划2021年中期开始量产。
NAND闪存制造的技术实力可以通过设备中堆叠的存储单元层数来衡量，更多的层数意味着更高的容量和更大的密度。NAND闪存市场竞争激烈，围绕堆叠技术的较量也一直非常紧张。整体来看，继过去一年堆叠技术突破100层之后，各厂商开始往更高层数上推进。作为NAND闪存市场的重要玩家，美光率先开发出了176层产品。今年11月，美光宣布成功开发出了176层产品，与128层产品相比，读写延迟降低了25%以上。
全球最大NAND闪存制造商三星电子的第七代V-NAND正处于开发阶段，预计将于明年量产，但三星尚未公布其层配置。三星电子高级副总裁韩进满表示：“我们的第六代V-NAND采用单堆叠技术最多可具有128层，采用双堆栈技术后，256层堆叠是可能的。”三星方面还表示，芯片中堆叠的实际层数可能会根据消费者的需求和市场状况而变化。
此外，SK海力士还计划开发基于176层4D NAND的1Tb密度的闪存，从而持续增强其在NAND闪存业务的竞争力。
