随着电动汽车持续快速增长，充电桩市场空间正在逐渐打开，产业链巨头抢先布局。
日前，闻泰科技旗下安世半导体(Nexperia)宣布推出其首款碳化硅(SiC)MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ和80 mΩ。这两款产品聚焦电动汽车(EV)充电桩等市场，现已投入大批量生产。
据介绍，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。安世半导体指出，这次推出的两款器件可用性高，可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用对高性能SiC MOSFET的需求。
安世半导体高级总监兼SiC产品部主管Katrin Feurle表示：“Nexperia和三菱电机希望通过这两款首发产品为市场带来真正的创新，这个市场一直渴望更多的宽禁带器件供应商。Nexperia现可提供SiC MOSFET器件，这些器件在多个参数上都具有一流的性能，例如超高的RDS(on)温度稳定性、较低的体二极管压降、严格的阈值电压规格以及极其均衡的栅极电荷比，能够安全可靠地防止寄生导通。这是我们与三菱电机承诺合作生产高质量SiC MOSFET的开篇之作。毫无疑问，在未来几年里，我们将共同推动SiC器件性能的发展。”
三菱电机半导体与器件部功率器件业务高级总经理Toru Iwagami表示：“我们很高兴与Nexperia携手推出这些新型SiC MOSFET，这也是我们合作推出的首批产品。三菱电机在SiC功率半导体方面积累了丰富的专业知识，我们的器件实现了多方面特性的出色平衡。”
11月13日，安世半导体与三菱电机共同宣布建立战略合作伙伴关系，共同开发SiC MOSFET分立产品，标志着安世半导体在碳化硅技术领域取得了重大进展。如今，双方合作的开篇之作NSF040120L3A0和NSF080120L3A0现已批量供货，安世半导体未来还计划发布车规级 MOSFET。
此外，安世半导体还于11月10日宣布与总部位于奥地利的汽车电子元件制造商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH将深化现有长期合作关系，共同生产新型650V、20A SiC整流器模块，预计将于2024年第一季度推出样品。
值得注意是，该SiC整流器模块适用于3kW至11kW功率堆栈设计的高频电源应用，目标应用也同样瞄准了工业电源、电动汽车(EV)充电站、车载充电器等市场。
