2024年6月，英诺赛科（珠海）科技有限公司（以下简称“英诺赛科”）向港交所递交了上市申请。同年12月，英诺赛科通过IPO备案。英诺赛科的港交所上市之路进展顺利。此次IPO，英诺赛科拟募资13.999亿港元。
氮化镓全球第一，亏损幅度逐年收窄
英诺赛科是全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓晶圆的公司，也是唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。其产品包括氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、氮化镓集成电路及氮化镓模组等。按收入计，在2023年全球所有氮化镓功率半导体公司中，英诺赛科排名第一，市场份额为33.7%。
具体来看，公司氮化镓分立器件及集成电路、氮化镓晶圆、氮化镓模组三大类产品营收占总营收的比例基本都在30%左右。在2023年推出氮化镓模组后，当年便产生了占总收入的32.1%的营收。
2023年，英诺赛科的全球市场收入为人民币592.7百万元，中国市场收入为人民币534.8百万元，分别占全球功率半导体市场及中国功率半导体市场的0.2%及 0.4%。
可以说，英诺赛科是氮化镓功率半导体领域的龙头企业。在完成IPO前的最后一轮融资后，估值超234亿元。
不过正是这样的一家龙头企业，却始终增收不增利，截至今年上半年还处于亏损状态。招股书显示，英诺赛科2021年、2022年、2023年、2024年上半年营收分别为6821.5万元、1.36亿元、5.93亿元、3.85亿元，营收实现稳速增长；同期净利润分别为-33.99亿元、-22.05亿元、-11.02亿元、-4.88亿元，合计亏损超70亿元，净利润亏损幅度有所收窄。只不过毛亏损有所扩大，同期分别为1.82亿、3.94亿、3.62亿元、8324万元。
英诺赛科营收情况
毛损率由2021年的266.1%增加至2022年的289.4%，英诺赛科在招股书中解释，一方面是因为英诺赛科由2021年初始研发阶段过渡至2022年量产阶段，而且我们的毛损率在稳定量产阶段中达至更高的生产效率前出现波动。另一方面，英诺赛科投入使用的工厂、建筑物以及设备及机械的数量不断增加，折旧及摊销以及工程及维护成本不断增加。
在产品方面，英诺赛科的氮化镓分立器件及氮化镓集成电路的毛损率于2021年至2022年转差，是因为在2022年公司对推出多款全新的低电压氮化镓芯片产品，采取策略性定价以渗透市场。
近两年来，国内分立器件市场竞争激烈，特别是在前两年消费电子市场需求疲软，多家分立器件企业采取了降价去库存的策略，公司营收整体出现下滑。例如从各家上市的分立器件厂商的2023年上半年业绩来看，立昂微、新洁能等企业均出现了营收净利双降。英诺赛科同样受到市场行情的影响。
积极的一面是，2022年，随着晶圆产品达到较高的良率，降低每件成本，英诺赛科氮化镓晶圆的毛损率于同期则略有改善。
研发支出产能利用率70%以上，研发投资转为商业成功
英诺赛科的亏损也与公司采用IDM模式有关，采用IDM模式的的公司通常在产能提升阶段经历需投入大量资本及研发支出的周期过程，可能会导致短期亏损。
招股书显示，英诺赛科2021-2023年，英诺赛科研发开支分别为6.62亿元、5.81亿元、3.48亿元，分别占总营收的970.0%、426.7%、58.8%。随着工程测试开支的减少，英诺赛科研发支出逐年下降，2024年上半年的研发开支为1.45亿元。2022年第二季度，公司进入量产阶段，初始研发投资开始转化为商业成功。
随着技术研发投入，英诺赛科氮化镓产品组合不断丰富，并在900V至1,200V高压产品及15V至30V低压产品的开发方面不断创新。产品应用领域从从消费级迈向工业级，并正在向车规级迈进。
英诺赛科基于8英吋硅基氮化镓技术平台开发了一系列技术，包括氮化镓材料技术、8 英吋硅基氮化镓产品设计技术，及8英吋硅基氮化镓生产工艺技术。截至2024年6 月30日，英诺赛科的研发工作已于全球累积319项专利及430项专利申请。
英诺赛科拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产能为每月12,500 片晶圆，晶圆良率超过95%。在产能方面，2021年、2022年、2023年以及截至2024年上半年，英诺赛科的产能利用率分别为72.3%、69.8%、71.8%及72.8%。
