江苏多维科技有限公司的公司产品
江苏多维科技有限公司将在TMR磁传感器产业化的道路上围绕新型的TMR磁传感器芯片，建立世界一流的磁传感器产业集群，推动新型的TMR磁传感器的发展与应用，为我国建设世界先进水平的物联网提供性能优越的高端磁传感器，并为新能源、汽车电子、先进制造业、消费电子、军工和航空航天等领域提供强有力的技术支持和解决方案。
TMR芯片技术的开发应用可有效解决我国物联网（智能电网、智能交通、智能家居安防）、消费电子、汽车及工业化制造及其一些特殊应用领域等对磁阻传感器微型化、数字化、智能化、多功能化、系统化、网络化的要求，实现了低成本、低功耗、高集成度、高响应频率和高灵敏度。项目的产业化打破了国外对高端传感器芯片技术的垄断，缩短了我国磁传感器与国际前沿技术的差距，将引领和主导我国磁传感器芯片行业的技术发展。
江苏多维科技有限公司的产品主要包括TMR线性传感器、TMR开关传感器、TMR角度传感器和TMR电流传感器等8款产品。
江苏多维科技有限公司全球同步推出世界上首批高精度TMR线性磁场传感器
新型TMR 传感器动态范围大、性能卓越、功耗更低，广泛适用于漏没多种工业类和消费类传感器应用
加利福尼亚州圣何塞和中国张家港市2011年12月14日电/美通社亚洲/ 精通隧道磁阻(TMR) 技术的磁传感器领先供应商 江苏多维科技有限公司(MultiDimension Technology Co., Ltd., MDT)日前成功推出同属一个系列的三种线性磁场传感器，型号分别为MMLD47F、MMLP57F 以及MMLP57H。这些磁场传感器产品在世界范围内率先实现了反映磁传感器关键设计性能的诸项优异指标，包括+/-70 Oe 的宽广动态范围、低于0.1%满量程磁场范围的超低磁滞性、高达6 mV/V/Oe 的高灵敏度，以及低至5微瓦的功耗。这些性能指标是以前的任何一种磁场传感器都未曾达到的。这些产品的设计广泛适用于多种工作环境下的工业类和消费类应用，包括磁场、电流和位置传感。
“MDT 全新的TMR 线性传感器为要求大动态范围、高精度测量、高灵敏度、低功耗的应用提供了最佳选择。在自身强大的专利技术组合和先进的制造设施的支持下，我们完全能够将这些关键优势实现于单个传感器的设计之中。这种优势组合是前所未有的，同时也是包括各向异性磁阻(AMR)、巨磁阻(GMR) 或霍尔效应的现有磁传感器技术所不能实现的。MDT 是第一个将TMR 技术的优势全面推向商业传感器市场的批量制造商，江苏多维科技有限公司董事长兼首席执行官薛松生博士表示，“凭借自身拥有的全球最先进的TMR 技术专业知识、批量生产能力、应用设计和技术支持，我们相信，MDT将为磁传感器行业带来开创性机遇，并推动整个行业的增长，而这些机遇正是当今的市场所缺少的。”
MMLD47F/MMLP57F/MMLP57H 传感器采用6mm x 5mm x 1.7mm SOP8 封装，以及较小的3mm x 3mm x 0.75mm DFN8封装用于空间受限的设计。这些产品表现出低于0.1%满量程的超低磁滞性，同时可在高达+/-70 Oe 的宽磁场范围内工作，并且在-40到125摄氏度区间展现出优秀的温度稳定性。设计的磁场灵敏度为3-6 mV/V/Oe，在1伏特电压供电时的典型电流消耗为5-12.5微安。 江苏多维科技推出用于智能流量计的TMR 磁开关传感器
采用TMR 技术的新型磁开关传感器为智能流量计和高端工业类应用提供更长的电池寿命和可靠的高速测量
美国加州圣何塞和中国江苏张家港2012年1月17日电/美通社亚洲/ --江苏多维科技有限公司 (MultiDimension Technology Co., Ltd. - MDT) 宣布推出世界上第一款TMR 磁开关传感器，用于电池供电的智能流量计，包括水表、热量表和气体流量计。
这种新型磁开关传感器由多维科技的TMR 技术（隧道磁阻）支持，是包括接近开关、速度传感器和位置传感器的亏搜坦多种高性能工业类应用的最佳选择。TMR 技术在磁盘驱动器行业中已经被证实是一种高性能、经济销桐有效、低功耗、且具有高可靠性的技术。MDT 是第一个在其多个产品系列中提供TMR 技术所有优势的批量供应商。这些产品系列包括TMR 磁开关传感器、TMR 磁场传感器和TMR磁角度传感器。
多维科技董事长兼首席执行官薛松生博士表示：“MDT 的新型TMR 磁开关传感器为智能流量计带来快速的测量、更长的电池寿命以及持续可靠的运行。我们全心致力于将TMR 技术的优势带到磁传感器市场，并通过推出产品和解决方案帮助我们的客户取得成功。”
MMS103H 和MMS105H 磁开关传感器具有高达100kHz 的频率响应，而电源电流可低至5微安。区别于必须采用间歇供电或休眠模式来减少功耗的同类产品，MDT 的磁开关传感器可以在持续运行状态下实现低功耗。
重要特点：
˙具有CMOS 数字锁存输出的双极型TMR 磁开关传感器
˙工作点和释放点分别为+/-30 高斯(MMS103H) 和+/-50 高斯(MMS105H)
˙频率响应高达100kHz的高速磁场测量
˙在3V电压供电时低至5微安的功耗
˙持续运行以保证可靠测量
˙在-40到125摄氏度区间展现出优秀的温度稳定性
˙TMR磁传感器和信号处理ASIC 集成于小型的SOT-23 或TO-92 封装
薛博士称，MDT 的TMR 技术涵盖了AMR（各向异性磁阻）、GMR（巨磁阻）、霍尔效应和干簧管等现有磁传感器技术的主要优点，并克服了这些技术的重要局限性。因此，MDT 的TMR 磁传感器将高频响、低功耗、高灵敏度、宽测量间隙、耐用性与持久性独特地结合于一身。 多维科技推出两款磁敏角度传感器
江苏多维科技有限公司(简称MDT)宣布推出两款TMR(隧道磁阻)磁敏角度传感器，可广泛用于各类工业传感器应用，包括旋转编码器、速度传感器、非接触式电位器以及用于直流无刷电机(BLDC)的旋转位置控制器。
MMA253F/MMA153FTMR磁敏角度传感器在设计时利用了MDT独创的TMR传感器技术和知识产权，可进行360度全方位测量，其输出信号振幅高且稳定，测量间距的公差也较大。MDT的TMR磁敏角度传感器降低了信号处理电路的复杂性。
多维科技董事长兼首席执行官薛松生博士表示：“我们全心致力于为客户提供TMR传感器的各项技术优势，并以多种服务方式最大限度地满足客户需求。除了供应TMR磁传感器芯片之外，我们还可以按需提供完整的系统解决方案。我们可以为大批量订购的客户量身定制TMR传感器晶圆，并与客户自有的ASIC(专用集成电路)技术实现集成。”
薛博士称，MDT新推出的TMR磁敏角度传感器功率低、精度高且输出信号稳定，从而降低了旋转编码器的整体系统成本。它们可方便地与模拟或数字电路相集成。
MDT的TMR传感器技术结合了AMR(各向异性磁阻)、GMR(巨磁阻)和霍尔效应(HallEffect)等现有磁传感器技术的主要优点，同时克服了上述技术的局限性，包括信号灵敏度低(霍尔、AMR和GMR)和复杂的360度测量设计(AMR)。
主要特征360度测量和双轴SINE/COSINE输出(MMA253F)单轴180度测量(MMA153F)输出信号高于供电电压的90%，无需放大耗电量非常低，在1伏电压下，电流仅为7微安高精度(角度误差为1度)和高分辨率(定制电路的分辨率可达12位)测量间距的允许公差范围较大，支持更加灵活的多种实现方案小型LGA8和SOP8封装
MMA253F/MMA153FTMR磁传感器可立即提供样品。用户还能获得评估工具包MMA253F-EVL，对MMA253F传感器的电磁特性进行评估。MMA253F-EVL工具包提供LCD显示器、USB接口以及适用于绝对式或增量式旋转编码器的12位数字输出。
如图所示,电源两端电压为6V且保持不变,电阻R1的阻值为8V,变阻器R2的最大阻值为20Ω，电流表选取的量程为0
图呢？图在那里？
根据你的意思试画图如下(不知对否)
根据电流表最大量程为0.6A，可算出R2最小值为6÷0.6-8=2Ω。
根据电压表最大量程为3V，可算出R2最大阻值时的回路电流为I=(6-3)÷8=0.375A
则R2最大阻值=3÷0.375=8Ω
所以变阻器R2允许的取值范围为2—8Ω
