国内十大半导体公司是那些?
中国十大半导体公司颤哪大排名有:1、韦尔股份,2、紫光展锐,3、长江存储,4、中兴微,5、海思,6、兆易创新,7、木林森,8、格科微,9、士兰微,10、歌尔股份。
1、韦尔股份
全球前三大CMOS图像传感器芯片设计企业之一,全球第二大车载CIS厂商,成立于2007年,总部坐落于上海。
主营产品包括保护器件、功率器件、电源管理器件、模拟开关等四条产品线,700多个产品型号,产品在手机、电脑、电视、通讯、安防、车载、穿戴、医疗等领域得到广泛应用。
2、紫光展锐
紫光展锐总部位于上海,是全球少数全面掌握2G/3G/4G/5G、Wi-Fi、蓝牙、电视调频、卫星通信等全场景通信技术的企业之一,并具备稀缺的大型芯片集成及套片能力。
产品包括移动通信中央处理器,基带芯片,AI芯片,射频前端芯片,射频芯片等各类通信、计算及控制芯片。
3、长江存储
长江存储成立于2016年7月,由紫光国芯与武汉新芯公司合并所成立。
该公司是一家专注于3DNAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,同时也提供完整的存储缓亩器解决方案,可供应3DNAND闪存晶圆及颗粒,嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案,广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心。
4、中兴微
中兴微电子成立于2003年,前身为中兴通讯于1996年成立的IC设计部,是国内主要半导体设计公司之一。
目前由中兴通讯完全控股。其主要产品包括多媒体芯片、通信基站及有线产品用芯片等。
在无线产品领域,中兴微电子5G的7nm核心芯片已实现商用,基于7nm自研芯片的高性能、全系列的无线产品助力运营商打造高性价比、平滑演进的5G网络。
有线产品领域,中兴微电子自研核心专用芯片的上市实现了产品的高集成度、高性能、低功耗。
5、海思
海思是全球领先的Fabless半导体与器件设计公司。前身为华为集成电路设计中心,1991年启动集成电路设计及研发业务,2004年注册成立实体公司,提供海思芯片对外销售及服务。
受美国制裁影响,海思在2021年下滑了81%,收入从上一年的82亿美元变成了15亿美元。
6、兆易创新
公司成立于2005年,是一家领先的无晶圆厂半导体公司,致力于开发先进的存储器技术和IC解决方案。
公司的核心产品线为FLASH、32位通用型MCU及智能人机交互传感器芯片及整体解决方案。
在中国市场,其SPINORFLASH市场占有率为第一,同时也是全球排名前三的供应商之一,累计出货量超130亿颗,年出货量超28亿颗。
MCU作为中国32位通用MCU领域的主流产品,以24个系列350余款产品选择,覆盖率稳居市场前列,并且累计出货量已超过4亿颗。
国内仅有的两家的可量产供货的光学指纹芯片供应商。
7、木林森
木林森股份有限公司,成立于1997年,是集LED封装与LED应用产品为一体,以LED封装和LED智慧照明品牌业务为主,覆盖LED半导体材料、新型应用产品及创新业务的全球化科技企业。
8、格科微
创立于2003年,是中国领先的CMOS图像传感器芯片、DDI显示芯片设计公司,产品广泛应用于全球手机移动终端及非手机类电子产品。
我们设计、开发、销售高性能的CMOS图像传感器芯片,该芯片可采集光学图像并转换成数字图像输出信号。
我们的图像传感器广泛应用于手机、智能穿戴、移动支付、平板、笔记本、摄像机以及汽车电子等产品领域。
我们也设计、开发、销售DDI显示驱动芯片,该芯片可驱动显示面板将图像数据显示于屏幕上。
主要应用在手机、智能穿戴及其它需要显示图像的电子设备上。
9、士兰微
公司成立于1997年9月,总部在中国茄竖杭州,是国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一。
士兰微电子建在杭州钱塘新区的集成电路芯片生产线目前实际月产出达到22万片,在小于和等于6英寸的芯片制造产能中排在全球第二位。
10、歌尔股份
公司成立于2001年6月,主要从事声光电精密零组件及精密结构件、智能整机、高端装备的研发、制造和销售,目前已在多个领域建立了综合竞争力。
从上游精密元器件、模组,到下游的智能硬件,从模具、注塑、表面处理,到高精度自动线的自主设计与制造,歌尔打造了在价值链高度垂直整合的精密加工与智能制造的平台,为客户提供全方位服务。
CMOS器件的基本原理及结构
CMOS器件:就是CMOS传感器 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor),中文学名为互补金属氧化物半导体,它本是计算机系统内一种重要的芯片,保存了系统引导最基本的资料。其原理是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体,使其在CMOS上共存着带N(带-电) 和 P(带+电)级的半导体,这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像。
CMOS传感器也可细分为被动式像素传感器(Passive Pixel Sensor CMOS)与主动式像素传感器(Active Pixel Sensor CMOS)。
CMOS传感器按为像素结构分被动式与主动式两种。
被动式 :又叫无源式。它由一个反向偏置的光敏二极管和一个开关管构成。光敏二极管本质上是一个由P型半导体和N型半导体组成的PN结,它可等效为一个反向偏置的二极管和一个MOS电容并联。当开关管开启时,光敏二极管与垂直的列线(Column bus)连通。位于列线末端的电荷积分放大器读出电路(Charge integrating amplifier)保持列线电压为一常数,当光敏二极管存贮的信号电荷被读出时,其电压被复位到列线电压水平,与此同时,与光信号成正比的电荷由电荷积分放大器转换为电荷输出。
主动式: 主动式像素结构(Active Pixel Sensor.简称APS),又叫有源式,如图2所示. 几乎在CMOS PPS像素结构发明的同时,人们很快认识到在像素内引入缓冲器或放大器可以改善像素的性能,在CMOS APS中每一像素内都有自己的放大器。集成在表面的放大晶体管减少了像素元件的有效表面积,降低了“封装密度”,使40%~50%的入射光被反射。这种传感器的另一个问题是,如何使传感器的多通道放大器之间有较好的匹配,这可以通过降低残余水平的固定图形噪声较好地实现。由于CMOS APS像素内的每个放大器仅在此读出期间被激发,所以CMOS APS的功耗比CCD图像传感器的还小。