于2021年十一月十五日起，山东省工业与信息化部门特地对外发布了题为《山东省第三代半导体产业之“十四五”发展规划》的重要文件，并自即日起至十九日止，面向社会各界广泛收集反馈及建议，以期在即将到来的五年规划中，对山东省的第三代半导体产业发展战略进行深入探讨和优化。此举措不仅体现了决策层对于前瞻技术领域发展政策制定的开放态度，同时也彰显了与广大利益相关者共同推动科技进步、激发产业创新活力的决心。
图片来源：山东省工业和信息化厅官网截图
依据《征求意见稿》，旨在加速构建全球领先的第三代半导体全链条生态系统，并集中攻克核心科技难题。此目标着重于强化并优化山东省的第三代半导体工业研发能力，进而显著提升该领域的技术革新与市场竞争力。
至2025年，我们旨在实现第三代半导体产业的量级跃升，构建起规模宏大的特色工艺生产线，并促成要素齐备的先进产业集聚区拔地而起。此举预计将驱动与模块及系统应用相关的产业链价值迈过3,000亿大关。
目标是打造出国际领先的第三代半导体产业基地，以此为支点，聚合形成一个以第三代半导体为核心驱动力，涵盖了电力电子、微波电子、高效能半导体照明及其生产与应用系统的全面产业集群。
至二零二五年，我们将实现关键核心技术的重大突破，构建以国家与地方法人联合的第三代半导体国家级工程研发中心、国家级博士后科研工作站以及院士工作基地，并建立一个集国际前沿科技于一体的高端公共研发、测试和服务中心。此举将显著增强全链条的技术创新效能。
在这一进程中，我们计划建设一个全面涵盖从基础研究到应用开发、检测与服务的平台。通过整合国内外资源，我们将着力提升第三代半导体领域的自主研发能力、工程化水平及产业化速度，从而推动全产业链整体创新能力实现质的飞跃和优化升级。这不仅将加速科技成果向现实生产力转化的步伐，也将为全球科技竞争提供强大支撑。
作为关键驱动力量，我们旨在培育并扶持有核心技术、在全球市场中具备领导力与竞争优势的企业巨头，并同时支持那些掌握核心关键技术的小而精尖特色企业成长。这一战略的核心目标是稳固和强化第三代半导体产业的基石，确保其发展在技术层面不断创新突破，形成全方位的竞争力。
通过聚焦于技术创新与产业链整合，我们旨在构建一个充满活力、自主可控的第三代半导体生态系统。这不仅意味着支持现有领先企业的持续壮大，也包括鼓励新兴企业探索前沿技术，推动产品和服务的升级迭代。我们的愿景是打造一支由行业领头羊引领，伴随众多潜力股并肩成长的产业队伍，共同推动第三代半导体技术在全球范围内实现新跨越。
这一策略的实施将不仅仅是技术与市场的双重提升，更是对整个产业链条的优化和重组，旨在确保产业链上下游企业间的协同合作更加紧密、资源配置更加高效。通过持续的技术创新、人才培养以及国际合作，我们有理由相信，第三代半导体产业将在未来展现出更加辉煌的发展前景。
依据《征求意见稿》，山东省的第三代半导体产业空间规划已经明确。
秉承着政府指导、龙头引领、园区培育和集群发展的整体策略，充分利用国家级集成电路设计济南产业孵化基地、青岛崂山微电子产业园区、中德生态园集成电路产业基地以及济宁省级信息技术产业区的集中优势，加大对主导企业的扶持力度，旨在速成构建以“四大核心区域加N个发展重点”的地域布局体系。
推进高端微电子计划的实施，致力于升级国家级集成电路设计产业孵化中心。借助山东天岳碳化硅衬底材料的核心技术优势，并集成济南比亚迪半导体芯片及相关产业链配套资源的发展布局，构建一个以硅基与碳化硅基功率半导体器件为主的产业集群。此战略目标旨在构筑国际领先的碳化硅半导体制造基地。
精心策划并优化本地整机市场的布局策略，全力推动芯恩及惠科等集成电路重大项目的稳健发展。我们聚焦于模拟及数模混合集成电路、智能传感器、半导体功率器件、光电子芯片和器件以及第三代半导体的核心领域。通过战略性的资源整合、短板补强、产业融合与生态建设的多维推进，旨在快速扩大产业规模，显著提升支撑能力，并加速自主可控产业生态的成熟与壮大。
致力于精细规划和全面推动「浪潮华光氮化镓材料与器件产业化」项目，我们全心全意地提供定制化的优质服务，精心实施跟踪服务与精确指导，力求构建一个优越的建设环境，确保每一环节高效运行。我们不懈努力，旨在为项目的顺利推进营造最适宜的发展空间。
依据其在当地的产业根基与独特性，强调多元化战略，增强与主要城市的协同合作，积极助推项目吸引，进而稳步扩大产业的总体规模。
遵循《征求意见稿》，山东省将聚焦第三代半导体产业的关键领域，旨在推动技术创新与应用拓展，以驱动产业升级和经济发展。
该文件清晰指出了产业发展的核心目标和战略路径，强调了技术创新、人才培养、市场培育及国际合作等关键环节的重要性。通过这些重点任务的实施，山东省意在构建一个集研发、制造、应用为一体的完整产业链条，同时促进国内外资源的优化整合与高效配置，以提升其在全球第三代半导体领域的竞争力。
此策略的推进，将有力地推动科技进步和产业转型，为经济社会发展注入新的活力，并有望引领相关技术及产品在全球市场中的创新发展。
基于碳化硅晶体材料作为核心的切入点，迅速壮大碳化硅半导体产业规模乃当务之急。聚焦于材料开发、外延生长、芯片制造、封装技术和应用探索等第三代半导体产业链的关键节点，我们旨在加强产学研间的紧密合作，通过合资与合作的方式，培育及吸引高水准的企业参与其中。
此举意在促进产业集群的形成和产业链的协同运作，进而打造以第三代半导体为基础的电力电子、微波电子以及半导体照明领域的产业高地。我们的目标是构建一个高效集成、创新活跃且具有国际竞争力的半导体生态系统，以此推动碳化硅相关技术的全面进步与普及应用。
致力于拓展及深化大尺寸GaN、SiC等单晶材料的生产与商业化进程，我们聚焦于攻克关键挑战，包括但不限于提升直径大小、降低应力水平和优化位错缺陷控制，以显著增强4-8英寸GaN外延层与SiC衬底的单晶材料产业化的全面能力。同时，我们矢志不渝地突破超硬晶体材料的切割与抛光核心技术瓶颈，力求强化4-8英寸GaN、SiC基底材料的精密加工性能。此外，我们加大对薄膜材料外延生长技术的支持力度，以填补第三代半导体外延材料领域的发展空白，并积极推动氧化镓等前沿超宽禁带半导体材料的研发与产业化进程，旨在推动整个行业向更高水平迈进。
致力于以第三代半导体材料如GaN与SiC为基石，探索高压大功率及微型发光二极管、毫米波、太赫兹等高精尖器件的设计领域，着重推动新能源汽车中SiC功率元件的应用与消费类快充市场中GaN功率器件的普及。积极促进产学研协同创新，并加速科技成果转化，激励器件设计企业实现规模化与高质量发展，增强设计产业集约化水平。同时，全力培育和壮大以自主研发为主的第三代半导体仿真设计软件品牌，共同构建具有全球影响力的器件设计及软件开发核心区域。
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以精湛技艺及卓越视野，我们致力于深化GaN、SiC等高端半导体材料在垂直型SBD、HEMT、MOSFET以及IGBT领域的研发制造，同时积极推动Micro-LED、MEMS和激光器等相关组件的创新发展。我们悉心打造科研机构微纳加工平台，并全力推进晶圆生产线建设，聚焦于特色工艺制程器件的生产制造，以实现关键电力电子器件的系列化产品布局。
我们不仅致力于提升技术实力，更追求综合性能达到国际先进水平的目标。力求SiC二极管、晶体管及其模块和GaN器件产品的竞争力与日俱增，并在全球舞台上展现出卓越风采。激光芯片及相应组件的研发，也将在全球范围内树立起崭新的标杆，引领行业潮流。
通过上述举措，我们旨在构建一个集技术创新、平台建设与产业整合于一体的生态系统，全面推动半导体领域向更高层次迈进。每一个环节都凝聚着对先进科技的不懈追求和对卓越品质的执着承诺，共同描绘出未来电子技术发展的美好蓝图。
作为专注于提升技术创新和优化设备能力的专业团队，我们致力于采用先进核心装备，实施分段工艺的局部集成，以实现整线设备的国产化升级与整合。通过关键设备的有效牵引，我们能够精准地拓展整线解决方案，并确保其性能稳定、效率高效。
在这一进程中，我们将聚焦提升氧化炉、沉积设备、光刻机、刻蚀设备、离子注入机、清洗机以及化学研磨设备的产能与精度。我们的目标在于突破核心共性技术壁垒，打造顶尖工艺和产业应用技术体系，彻底掌握高端装备制造核心技术，从而确立我们作为第三代半导体材料装备领域的领军地位。
具体而言，我们将集中力量研发碳化硅单晶智能化生长装备，并推动其实现产业化落地。通过攻克碳化硅晶体可控生长环境的精准检测与控制技术、结合大数据分析实现数字孪生及人工智能模拟的关键技术，我们将形成一套完整的智能化碳化硅晶体生长装备成套关键技术，进而显著提升生产效率和产品质量。
秉承将技术资源整合与优化的策略，我们规划构建第三代半导体关键技术研究的核心平台，其旨在打造国际领先的创新中心，专注于涵盖晶体生长、器件物理、微纳设计与制造、芯片封装及测试等关键领域的技术研发。此举意在显著提升研发能力与效能，并通过设立国际先进的公共平台，推动芯片和器件的关键技术突破，着力开发具有自主知识产权的材料、工艺和器件。
我们将深化核心关键技术的研究与应用验证工作，引入前沿工艺设备如高温离子注入系统、化学机械抛光系统及等离子刻蚀机，同时配置大型分析检测测试装备。此举不仅旨在强化产业协同创新的能力，更为关键的是，通过提供专业服务与支撑，加速科技成果向实际应用的转化，促进第三代半导体领域整体技术水平的跃升。
深化产学研合作，紧贴第三代半导体单晶材料生长、器件设计与制造以及封装测试技术前沿，旨在加速高校和研究机构科技成果向产业的转化。通过共建联合实验室等模式，着力推动创新成果转移与应用，以实现对我省在核心半导体技术领域的发展突破。
同时，积极构建省级第三代半导体重点实验室及工程技术中心，加快步伐申请国家级平台，并吸引高端研发人才。此举旨在对接先进科研成果，加速推动其产业化进程，确保我省能够在关键技术层面实现赶超发展。
秉承着与世界顶尖学府及科研实体合作的理念，我们旨在构建一个以创新型研究机构为核心，专注于第三代半导体领域的综合平台。通过此平台，我们将携手国内外领先的产业伙伴，共同设立名为第三代半导体产业研究院的实体组织。该研究院将致力于推动前沿技术的研发，以实现科技的孵化与产业化目标。
此举旨在逐步建立起国际认可、国内顶尖的第三代半导体科研基地，不仅能够引领行业技术进步，还力求促进产业链各环节间的紧密协作与协同创新。我们期待通过这一战略举措，打造一个集科技创新、成果转化和产业培育于一体的生态体系，为推动第三代半导体产业的全面发展提供坚实支撑。
为了彰显对核心企业的特别关注和支持，我们采取定制化策略，即一企一策，旨在精准破解企业在发展道路上的瓶颈问题。优先将符合条件的、具有战略意义的产业链重点项目纳入山东省新旧动能转换重大项目库，并充分利用国家推行的新旧动能转换政策，予以重点扶持。
重点关注晶体材料如SiC和GaN等、功率器件与模块、照明及显示器件及其下游应用领域，着重培育并壮大细分行业内的领军企业。对于表现突出且符合上市条件的企业，我们将提供必要的指导和支持，以助其顺利进入资本市场，从而实现持续增长和创新突破。
为了全面提升从原材料到最终应用的产业链上下游合作深度，我们应当采取积极措施以加强跨地域、跨行业的深入对接与协同运作。聚焦省内省外行业间的精准联动和战略同盟，确保能够实施对关键环节进行补强、拓展或深化项目。
我们有目标地分步骤打造一系列具有规模优势、技术领先且品牌知名度高的“领军型”企业集群。同时，培育出专注于细分市场的“瞪羚”和“独角兽”级企业，这些企业的出现将有力促进产业链内部各环节的紧密连接与相互依存，实现大中小企业间的协同共生。
通过这种方式，我们旨在构建一个稳定、高效的产业链供应链体系，不仅增强其抵御外部冲击的能力，还能显著提升整体市场竞争力。最终目标是实现产业生态的全面优化升级和可持续发展，以满足日益增长的市场需求并引领行业未来趋势。
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扩展与优化半导体器件的性能，包括但不限于碳化硅芯片及模块在电气效率、热管理、整体可靠性以及封装材料方面，旨在通过系统性的改进措施，降低生产成本，加速实现第三代半导体技术的商业化进程。此举不仅聚焦于关键领域的突破，如充电桩、电动汽车和家电等，更旨在扫清规模化应用的技术障碍。
通过深化对关键技术的研发与整合，我们旨在构建一个全面支持省内碳化硅模块生产企业快速提升产能的战略生态，从而促进形成强大的产业集聚效应，打造模组开发及应用的创新高地。这一策略不仅致力于技术层面的精进，还着眼于生态系统的建设和完善，以确保资源、人才和市场等要素的高度协同与优化配置。
这样的规划旨在通过技术创新与产业政策双轮驱动，实现从研发到生产再到市场的全链条突破，最终推动形成具有国际竞争力的碳化硅模块产业集群。这不仅将加速半导体技术在关键领域的广泛应用，还将对经济结构的升级、绿色能源转型产生深远影响，展现科技创新引领高质量发展的强大动力。
为了赋能国内芯片制造和封装测试业的卓越发展，并与第三代半导体材料企业的紧密合作，我们致力于开启一场研发协同运动。此举旨在突破关键技术障碍，实现核心原材料的本地化生产与覆盖。
我们正积极推动省内企业间的深度交流与对接，携手第三方半导体材料领军者，共同投入资源、智慧及力量于研发攻关之中，以期在关键领域取得实质性进展，并确保核心技术自主可控。
为了进一步推动国产第三代半导体材料与应用的实际落地，我们将遴选并支持一批应用示范项目。通过这些试点，我们旨在构建一个全面覆盖衬底制造、芯片加工以及模组集成等产业链环节的国产化生态系统。对参与企业提出明确的国产化比例要求，并通过实施有效的考核机制，激励行业同仁加速提升自主研发能力与产品自给率。
此战略规划不仅将强化我国在第三代半导体领域的核心竞争力，还将促进关键核心技术自主可控的发展路径，为实现科技自立自强奠定坚实基础。
