HBM革新AI算力,技术迭代引领高性能存储,开启新纪元!

2024-03-14

HBM是当前算力的内存瓶颈。存储性能是当下制约高性能计算的关键因素,从存储器到处理器,数据搬运会面临带宽和功耗的问题。为解决传统DRAM带宽较低的问题,本质上需要对单I/O数据速率和位宽进行提升。HBM由于采用了TSV、微凸块等技术,DRAM裸片、计算核心间实现了较短的信号传输路径、较高的I/O数据速率、高位宽和较低的I/O电压,因此具备高带宽、高存储密度、低功耗等优势。即便如此,当前HBM的性能仍然跟不上算力卡的需求。
三大原厂持续加大研发投入,HBM性能倍数级提升。随着技术的迭代,HBM的层数、容量、带宽指标不断升级,目前最先进的HBM3e版本,理论上可实现16层堆叠、64GB容量和1.2TB/s的带宽,分别为初代HBM的2倍、9.6倍和4倍。从Trendforce公布的HBM Roadmap来看,2024年上半年,海力士、三星、美光均会推出24GB容量的HBM3e,均为8层堆叠。2024年下半年,三家厂商将推出36GB版本的HBM3e,或为12层堆叠。此外,HBM4有望于2026年推出。
HBM制造集成前道工艺与先进封装,TSV、EMC、键合工艺是关键。HBM制造的关键在于TSV DRAM,以及每层TSV DRAM之间的连接方式。目前主流的HBM制造工艺是TSV+Micro bumping+TCB,例如三星的TC-NCF工艺,而SK海力士则采用改进的MR-MUF工艺,在键合应力、散热性能、堆叠层数方面更有优势。目前的TCB工艺可支撑最多16层的HBM生产,随着HBM堆叠层数增加,以及HBM对速率、散热等性能要求的提升,HBM4开始可能引入混合键合工艺,对应的,TSV、GMC/LMC的要求也将提高。
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