在近期的声明中，英特尔宣布已经成功从美国商务部获得了为期一年的特许权，得以持续运营其设于中国的辽宁大连地区、专注于生产NAND闪存芯片的关键业务。这一许可使得该公司的战略计划得以顺利推进，确保了其在全球半导体市场中的竞争力与影响力。
当前阶段，鉴于英特尔正积极推进对外剥离NAND闪存业务的战略重组事宜，位于大连的NAND闪存生产设施现阶段仍旧归由英特尔运营管理。值得注意的是，在英特尔的全球业务版图中，NAND闪存相关业务的占比相对较小。
依据韩国媒体《韩联社》于十月十二日的报导，三星集团在接下来的一年之内，毋须进行额外的程序或申请，将能够无缝接入美国半导体设备的供应渠道。即便面临当前的国际环境挑战，其在中国大陆地区设立的晶圆厂生产活动均不受任何限制，得以平稳推进。
三星正持续地推进其位于西安的高端三维NAND闪存芯片项目的发展与扩充。
在一期工程的建设中，总投资额为108亿美元，该工程在2014年的五月份圆满竣工并正式投入运营，其月度生产能力达到了惊人的13万片。随后，在二期项目的推进下，投资规模进一步扩大至150亿美元，专事生产闪存芯片，继续维持每月产出13万片的高效水平。值得瞩目的是，这一宏大工程的第二阶段于2021年的年中完成建设，顺利实现投产目标。
一期项目总投资额达到了108亿美金，并在2014年5月成功落成并投入使用，其每月的生产量定格在了13万片。二期工程的规模更甚一筹，总投入高达150亿美元，专注于闪存芯片的制造，同样以每月产出13万片的成绩持续贡献于行业。
这一系列建设活动的第二阶段，在2021年年中的中点完成并启动，体现了公司对产能及技术升级的坚定承诺与执行力。
在全局范围内审视，位于西安的三星NAND存储生产设施，其产出规模在整体三星全球NAND Flash产能架构中占据了显著的份额，具体比例达到了惊人的四十个百分点。
秉承持续创新与全球布局之战略，三星已决意投入150亿美元巨资，旨在西安兴建其三期旗舰项目。此项目专注于前沿科技，将集中力量生产引领通讯革命的5G芯片及驱动汽车工业进化的先进汽车芯片，彰显了其在半导体领域内不可撼动的领先地位与对未来技术趋势的深刻洞察。
