德州仪器（TI）宣布，其位于日本会津的工厂已正式启动氮化镓（GaN）功率半导体的生产。这一举措，加上TI在德克萨斯州达拉斯已有的GaN制造业务，将使TI的GaN功率半导体自有产能增加至原先的四倍。
TI的技术与制造资深副总裁Mohammad Yunus表示，凭借超过十年的GaN芯片设计与制造经验，TI已成功验证并量产8英寸GaN技术，这是目前最具可扩展性和成本竞争力的GaN制造技术。这一里程碑的达成，不仅大幅提升了TI的GaN芯片自有产能，还计划在2030年前将内部制造比率提高至95%以上。同时，这也使得TI能够从多个地点采购，确保高功率、节能GaN半导体产品组合的可靠供应。
TI指出，GaN作为硅的替代品，在许多领域都展现出显著优势，包括节能效果、开关速度、电源解决方案的尺寸与重量、整体系统成本以及在高温高压条件下的性能等。GaN芯片能够提供更高的功率密度，即在更小的空间内提供更多功率，因此适用于笔记本电脑、手机电源适配器以及更小、更节能的加热、空调系统和家用电器马达等。目前，TI提供从低电压到高电压的最广泛集成式GaN功率半导体产品组合，助力实现最节能、可靠且高功率密度的电子产品。
TI的高电压电源副总裁Kannan Soundarapandian表示，GaN使TI能够在有限的空间内提供更高效的功率，这是推动众多客户创新的主要市场需求。服务器电源、太阳能发电和AC/DC转接器等系统的设计师正面临减少功耗、提升能源效率的挑战，他们对TI高性能GaN芯片的可靠供应需求日益增加。TI的集成式GaN功率级产品组合让客户能够实现更高的功率密度、提升易用性并降低系统成本。此外，TI的专利硅基氮化镓制程经过超过8000万小时的可靠性测试，并具备集成保护功能，确保高电压系统安全可靠。
TI还指出，新产能采用市场上最先进的设备制造GaN芯片，从而提升了产品性能和制程效率，并提供了成本优势。在TI不断扩展的GaN制造业务中，采用了更先进、更高效的工具，能够生产更小的芯片，并封装更多功率。这一创新设计不仅减少了水、能源和原材料的消耗，而且使用GaN芯片的最终产品也能享受到相同的环境效益。
TI强调，增加GaN制造规模的性能优势使其能够将GaN芯片提升至更高的电压水平，从900伏特开始，并逐步增加至更高电压，从而进一步推动机器人、可再生能源和服务器电源等应用的能源效率和尺寸创新。此外，TI的扩大投资还包括在2024年初成功在12英寸晶圆上进行GaN制造的试行作业。TI不断扩大的GaN制程技术可以完全转移至12英寸晶圆上，以便根据客户需求进行调整，并在未来转向12英寸技术生产。
