在这篇文章中，小编将对肖特基势垒二极管的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对它的了解程度，和小编一起来阅读以下内容吧。
一、肖特基势垒二极管
肖特基势垒二极管，又称热载流子二极管。利用金属-半导体(M-S)接触特性制成，有点接触型和面结合型两种管芯结构。
肖特基势垒二极管有两种管芯结构：点接触型和面结合型。点接触型管芯用一根金属丝压接在N型半导体外延层表面上形成金半接触。面结合型管芯先要在N型半导体外延层表面上生成二氧化硅保护层，再用光刻的办法腐蚀出一个小孔，暴露出N型半导体外延层表面，淀积一层金属膜（一般采用金属泪或钛，称为势垒金属）形成金半接触，再蒸馏或电镀一层金属（金、银等）构成电极。
对于Si，Ge，GaAs，SiC这些材料，都有较高的载流子迁移率，也就有较大的平均自由程，因而在室温下，这些半导体材料的肖特基势垒中的电流输入机制主要是依靠多数载流子的热电子发射机制。
这些材料组成的器件器件上的正向电压增加后，器件中的IV特性曲线将偏离理论计算曲线，其实这主要是因为器件的串联电阻的影响，在较大的正向导通电流密度下，串联电阻导致的额外分压会使实际加在肖特基结上的电压下降。
二、肖特基二极管压降和耐压关系
肖特基二极管具有正向压降比普通硅二极管更低的特点，因此在高频和高速电路中被广泛使用。当肖特基二极管被正向偏置时，外部电场将降低肖特基势垒的高度，使电子容易地从P型区移动到N型区，电流也就开始流动了。在这种情况下，肖特基二极管的正向压降通常在0.2V至0.7V之间，这比普通二极管的正向压降低得多。这里需要指出的是，肖特基二极管的压降与使用的材料有关。通常，硅制肖特基二极管的正向电压降为0.2-0.45V，而碳化硅制的肖特基二极管的正向电压降为1.2-2.0V，这个范围高于硅制肖特基二极管的正向电压降。在电路中使用肖特基二极管时，需要注意其最大耐压和正向电压降。这是因为如果正向电压过大，会导致肖特基二极管被击穿，从而导致电路出现故障。肖特基二极管的耐压是指能够承受的最大反向电压值，它取决于半导体材料的禁带宽度和掺杂程度。在一般情况下，在保证正常工作的前提下，肖特基二极管的反向电压通常保持在低电压水平，但是在一些情况下需要高耐压的肖特基二极管来维护电路的稳定性。因此，在选择肖特基二极管时需要根据实际的工作条件和使用的环境变量进行选择。在实际应用中，肖特基二极管的电压和反向电流都可以通过合适的原理图符号和规格来表示。在计算电路时，需要考虑肖特基二极管正向电压降和反向电流大小。尤其是在大电压应用和高频应用中，肖特基二极管的压降和反向电流通过合适的符号来表示是很重要的。
经由小编的介绍，不知道你对肖特基势垒二极管是否充满了兴趣？如果你想对它有更多的了解，不妨尝试在我们的网站里进行搜索哦。
