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一、大功率晶体管工作原理
大功率晶体管是一种半导体器件，其工作原理类似于普通晶体管，但具有更大的电流和功率承受能力。下面是大功率晶体管的工作原理：
大功率晶体管通常由NPN或PNP三极管构成。其基本结构包括一个控制极（基极）和两个输出极（发射极和集电极）。当一个正电压被施加到基极时，电子从N型半导体区域流入P型半导体区域，并被注入到集电极中。此时，大功率晶体管处于导通状态。
在导通状态下，电流从集电极流入发射极，并且在控制极上的输入信号可以控制电流的流动。当控制极上的电压为低电平时，大功率晶体管处于截止状态，电流无法通过。当控制极上的电压为高电平时，大功率晶体管处于导通状态，电流可以通过。
需要注意的是，大功率晶体管在工作时会产生大量的热量，因此必须与散热器结合使用，以便将热量迅速散发出去，保持晶体管的工作稳定性和可靠性。
二、晶体管有哪些重要指标
1、功率增益
|S21|2代表的功率增益，因此晶体管的功率增益跟S21参数有很大的关系。功率增益小，该晶体管则不适合做功率放大设计，需要选S21增益大的晶体管。
2、端口驻波比
驻波比=波腹电压/波节电压，而这两个电压跟反射系数有关系，反射系数跟S11和S22有直接关系，因此其本质还是S参数的影响。失网能直接测出晶体管端口的驻波比，设计的晶体管应尽量减小驻波比，通常情况下驻波比要小于1.5。
3、反射损耗
反射损耗又称回波损耗，实际就是S11。晶体管与后端负载的阻抗不匹配所产生的反射。反射损耗越小，才是一个好的晶体管设计。
4、微波晶体管输入/输出阻抗参数
晶体管的输入输出阻抗匹配至关重要。若输入阻抗参数不匹配50Ω，使得进入的信号就小，将导致输出肯定偏小;若输出阻抗参数不匹配50Ω，微波信号将很大的能量反射回去，导致输出信号还是很小。所以输入输出都需要测阻抗参数进行50Ω匹配。
5、噪声参数
除去晶体管本身的最小噪声系数外，很大程度需要看晶体管的输入源和输出信号反射系数。
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