至晟微电子发布新一代5G微基站氮化镓PA
集微网消息，近年来，随着5G通信、物联网等技术的发展和应用逐步落地，射频微波作为其中的关键技术之一也得到了快速发展，相关应用呈爆发式增长的态势。在广阔的市场需求和国内政策大力支持的背景下野备空，涌现出了一批优秀的本土射频微波芯片设计厂商，南通至晟微电子技术有限公司（以下简称“至晟微电子”）便是其中之一。
至晟微电子凭借着深厚的技术实力不断丰富产品线， 近日该公司发布了新一代5G微基站氮化镓末级功放芯片NV9398系列，相比业内当前主流同类产品性能提升优势明显。
从产品设计上来看，NV9398采用GaN pHemt工艺技术，采用系统布局更简洁灵活的集成结构，运用了大峰均比宽带Doherty设计方案。得益于以上设计，NV9398的工作带宽覆盖了3.3-3.8GHz n78全频段，并且在30-35dBm不同功率等级下都能获得40-45%的发射效率和支持2~3个100MHz载波校准-50dBc以下的线性度，在业内展现出了十分优异的性能表现。
值得一提的是，相比至晟上一代领先业内的GaAs微站功放NV9318系列， 在同样发射功率下，功耗节省了一半以上，邻道干扰降低5dB以上，EVM提升1%以上 ，能够更加适应室内覆盖应用中不同微站功率等级的滚肢配置需求。
至晟微电子创始人兼技术负责人介绍到，NV9398产品的成功推出，反映了至晟团队在业内优秀的产品开发和迭代能力，不但在上一代系统需求方案中推出了业内领先的芯片产品，在运营商节能减排和设备商降低功耗的新方案演进过程中，能够持续不断的推出行业领先产品，从而占据行业产品领先的制高点。只有这样，国内企业才有机会突破低成本兼容替代的模式瓶颈，做到在行业里的长足发展，和当前全球业内领先企业并驾齐驱。至晟微电子在射频行业不同细分市场持续获得行业标杆性颂瞎客户的认证和量产出货，显示出依靠坚实的基础技术积累和创新能力，团队能够在业务扩张、跨界竞争过程中更具竞争优势。
能够研发出诸如NV9398此类优秀的产品离不开公司团队的根植与努力。据至晟微电子介绍，公司的团队掌握了从GaAs和GaN材料特性、器件设计、工艺特性、封装测试和调试建模，量产管控等完整开发能力， 拥有业内领先的射频前端芯片和微波毫米波集成电路开发能力和丰富的量产经验。 基于此，至晟微电子积累了丰富的产品线，覆盖基站射频前端芯片所有的品类包括GaAs和GaN功放、高线性驱放、宽带低噪放、大功率开关和开关低噪放模块等。
在产品应用方面，能够满足MIMO基站、宏站和微基站等所有5G站型的不同需求，产品工艺同时覆盖了硅基SOI、砷化镓和氮化镓等不同工艺平台，并实现了从700MHz到5GHz等5G主流频点和6GHz以上专网产品及毫米波频段产品全覆盖，能为客户提供一站式的5G基站射频前端芯片产品方案。
据集微网了解，经过近五年的发展，至晟微电子已成为业内知名通信设备公司、物联网模组公司的合格供应商，打破了射频行业国外竞争优势企业在基站射频前端芯片领域的垄断，并已实现了多个产品、多个批次的量产交付。
据至晟微电子介绍，在年初完成了新一轮亿元融资后，公司发展明显进入到加速阶段：基站端多颗产品完成从研发到量产导入，物联网模块领域GaAs功放模块产品批量交付行业多家头部客户，5G智能手机射频前端芯片及模组产品也即将发布。另外，至晟微电子的技术、产品和市场应用已初步完成了5G基站、物联网和智能手机等射频前端芯片三大主要应用领域的切入。
DDR的内存条和DDR2的内存条有什么区别?
DDR和DDR2的区别严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。 与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。 从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。 DDR2内存起始频率从DDR内存最高标准频率400Mhz开始，现已定义可以生产的频率支持到533Mhz到667Mhz,标准工作频率工作频率分别是200/266/333MHz，工作电压为1.8V。DDR2采用全新定义的240 PIN DIMM接口标准，完全不兼容于DDR的184PIN DIMM接口标准。 DDR2和DDR一样，采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但是最大的区别在于，DDR2内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取，这就意味着，DDR2拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力，因此，DDR2则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力。 DDR2内存技术最大的突破点其实不在于所谓的两倍于DDR的传输能力，而是，在采用更低发热量，更低功耗的情况下，反而获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。
