根据国家级嘉兴经济技术开发区发布的最新动态,于三月六日,博康公司在该市的经济重地城南街道工业园区内,正式开启了其半导体氮化镓射频功率芯片先导线项目之建设序幕。此项目聚焦于新兴的第三代半导体新材料技术领域,旨在探索并提供创新解决方案以应对当前的技术瓶颈问题,从而推动行业进步与自主创新。
博康半导体科技有限公司在其氮化镓射频功率芯片先导线项目中展现卓越布局,占据总面积46,667平方米的土地,总投资额约达人民币六亿元。一期规划用地面积约为33,200平方米。此项目不仅囊括了研发、生产及销售的全方位功能,而且将有力推动开发区电子信息产业的集群化发展,为推进经开区智造创新强区与经济高质量增长铺设坚实基础。
博康半导体成立于二零二二年,其雄心壮志在于成为国内首屈一指的化合物半导体制造商服务提供商,旨在全面覆盖电信基础设施、射频能源以及各类通用市场的应用范畴。专注于为5G移动通信基站与宽频带通讯等射频领域提供卓越效能的半导体器件及定制化解决方案。
在运营初期,博康半导体的主要业务聚焦于4英寸氮化镓射频芯片和功放管的研发与制造,构建了一套从GaN晶体管到GaN氮化镓功率放大器的系列产品平台,以满足客户多样化的需求场景。展望未来,公司规划在第二阶段扩展至6英寸砷化镓射频芯片产品的开发与生产。