于二月二十四日，联电正式宣布，其董事会已审议通过一项战略决议，在新加坡的Fab12i制造基地内增设一座崭新的高级晶圆制造厂。此项计划的第一阶段目标是将月产能提升至三万片晶圆，并预计在二〇二四年年底实现全面量产。
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作为行业领先的半导体晶圆代工厂之一，新成立的Fab12i P3厂坐落于新加坡这片科技热土上，专精于提供前沿的22/28纳米制程技术，总投资额高达50亿美元。联华电子在新加坡的12英寸晶圆制造事业已深耕逾二十年，而位于这里的Fab12i工厂则不仅是先进特殊制程的研发基地，更是技术创新与卓越品质的象征。为响应市场对高性能解决方案的需求以及巩固其在全球半导体行业的领先地位，联电规划于2022年进一步增加资本支出至36亿美元，其中包括了对Fab12i厂的扩建计划。这一系列投资不仅强化了联电在新加坡及全球市场的竞争力，也为推动科技发展与创新注入了新的活力和动力。
鉴于5G通信、物联网以及汽车电子行业的蓬勃发展趋势，对于联电在22/28纳米制程领域的需求展现出令人瞩目的增长态势。为了应对这一强劲需求并确保在未来几年内对客户持续稳定供应，公司已决定扩充新厂产能，并签订了一系列长期合作协议。这座新工厂致力于生产诸如嵌入式高压解决方案、嵌入式非挥发性存储器、RFSOI以及混合信号CMOS等关键技术，这些技术在智能手机、智能家居设备和电动汽车等领域发挥着至关重要的作用。
联电寄望于通过这一举措，在满足全球市场需求的同时，有效解决22/28纳米晶圆产能的结构性瓶颈问题，并在未来继续扮演重要角色。此举不仅旨在强化公司在关键市场中的领导地位，还致力于为客户提供更为稳定且可靠的产能支持，从而共同推动技术进步与产业升级。
联电总裁洪嘉聪阐述，坐落于新加坡的Fab12i工厂作为其核心研发中心，专注于与业界伙伴携手探索前瞻性的技术创新。一旦新设施全面启用，即刻将投入到大规模生产阶段，以确保紧跟科技前沿，并满足市场需求。
